日前，Vishay
GSOT05C - HT3
威世半导体
ESD保护二极管
特点
数据线瞬态保护，
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） 8千伏（接触）
IEC 61000-4-5 （闪电）看我
PPM
下面
节省空间LiLiPut包
18151
3
顶视图
1
2
销1
机械数据
案例：
LLP75-3B塑料包装
模塑料阻燃性等级：
符合UL 94 V -0
终端：
高温焊接保证：
260 ℃/ 10秒。在终端
重量：
5毫克
零件表
部分
GSOT05C-HT3
订购代码
GSOT05C-HT3-GS08
05
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
峰值功耗
1)
正向浪涌电流
1)
测试条件
8/20
s
脉冲
8.3ms单一正弦半波
符号
P
PK
I
FSM
价值
300
7
单位
W
A
非重复性电流脉冲及以上牛逼降额
A
= 25 °C
热特性
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
操作和储存
温度范围
测试条件
符号
T
英镑
, T
J
价值
- 55至+ 150
单位
°C
电气特性
产品型号
设备
记号
CODE
评级
对峙
电压
V
WM
V
GSOT05C-
HT3
05
5.0
最低
击穿
电压
@ 1毫安
V
BR
V
6.0
9.8
最大
夹紧
电压
@ I
P
= 1 A
V
C
V
12.5
@ I
P
= 5 A
最大
脉冲峰值
当前
t
p
= 8/20
s
I
PPM
A
17
最大
泄漏
当前
@ V
WM
I
D
A
100
最大
电容
@ 0 V ， 1 MHz的
C
pF
400
文档编号85825
第1版， 02军， 03
www.vishay.com
1
GSOT05C - HT3
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
10000
日前，Vishay
P
PPM
- 峰值脉冲功率（ W）
1000
300W, 8/20
s波形
100
10
0.1
1.0
17476
TD - 脉冲持续时间（
s )
10
100
1000
10000
图1.非-Repetitive峰值脉冲功率与脉冲时间
110
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
脉冲宽度（ TD ）
被定义为点
在峰值电流
衰减到我的50 ％
PPM
t
d
= I
PP
2
20
25
30
17477
吨 - 时间（
s )
图2.脉冲波形
100
峰值脉冲功率
8/20
s
80
％额定功率
60
40
20
平均功率
0
17478
0
25
50
75
100
125
150
T
L
- 焊接温度
°C
图3.功率降额
www.vishay.com
2
文档编号85825
第1版， 02军， 03
GSOT05C - HT3
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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文档编号85825
第1版， 02军， 03
日前，Vishay
GSOT05C - HT3
威世半导体
ESD保护二极管
特点
数据线瞬态保护，
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） 8千伏（接触）
IEC 61000-4-5 （闪电）看我
PPM
下面
节省空间LiLiPut包
18151
3
顶视图
1
2
销1
机械数据
案例：
LLP75-3B塑料包装
模塑料阻燃性等级：
符合UL 94 V -0
终端：
高温焊接保证：
260 ℃/ 10秒。在终端
重量：
5毫克
零件表
部分
GSOT05C-HT3
订购代码
GSOT05C-HT3-GS08
05
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
峰值功耗
1)
正向浪涌电流
1)
测试条件
8/20
s
脉冲
8.3ms单一正弦半波
符号
P
PK
I
FSM
价值
300
7
单位
W
A
非重复性电流脉冲及以上牛逼降额
A
= 25 °C
热特性
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
操作和储存
温度范围
测试条件
符号
T
英镑
, T
J
价值
- 55至+ 150
单位
°C
电气特性
产品型号
设备
记号
CODE
评级
对峙
电压
V
WM
V
GSOT05C-
HT3
05
5.0
最低
击穿
电压
@ 1毫安
V
BR
V
6.0
9.8
最大
夹紧
电压
@ I
P
= 1 A
V
C
V
12.5
@ I
P
= 5 A
最大
脉冲峰值
当前
t
p
= 8/20
s
I
PPM
A
17
最大
泄漏
当前
@ V
WM
I
D
A
100
最大
电容
@ 0 V ， 1 MHz的
C
pF
400
文档编号85825
第1版， 02军， 03
www.vishay.com
1
GSOT05C - HT3
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
10000
日前，Vishay
P
PPM
- 峰值脉冲功率（ W）
1000
300W, 8/20
s波形
100
10
0.1
1.0
17476
TD - 脉冲持续时间（
s )
10
100
1000
10000
图1.非-Repetitive峰值脉冲功率与脉冲时间
110
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
脉冲宽度（ TD ）
被定义为点
在峰值电流
衰减到我的50 ％
PPM
t
d
= I
PP
2
20
25
30
17477
吨 - 时间（
s )
图2.脉冲波形
100
峰值脉冲功率
8/20
s
80
％额定功率
60
40
20
平均功率
0
17478
0
25
50
75
100
125
150
T
L
- 焊接温度
°C
图3.功率降额
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2
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第1版， 02军， 03
GSOT05C - HT3
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
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电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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第1版， 02军， 03
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