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颁发日期: 2004年11月15日
修订日期:
GSMBZ5221B~GSMBZ5270B
描述
齐纳二极管
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
TA = 25 ' ,减免上述25'
器件总功耗
氧化铝基板** TA = 25 ' ,减免上述25'
热阻结到环境
结温和存储温度
* FR - 5 - 1.0 0.75 0.062 **氧化铝0.4 0.3
符号
PD
PD
RJ-A
TJ , TSTG
0.024英寸99.5 %的氧化铝。
最大
225
1.8
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/
mW
毫瓦/
‘ /W
热特性
(V
F
= 0.9V最大@
I
F
= 10毫安所有类型。 )
设备
GSMBZ5221B
GSMBZ5222B
GSMBZ5223B
GSMBZ5224B
GSMBZ5225B
GSMBZ5226B
GSMBZ5227B
GSMBZ5228B
GSMBZ5229B
GSMBZ5230B
GSMBZ5231B
GSMBZ5232B
GSMBZ5233B
GSMBZ5234B
GSMBZ5235B
GSMBZ5236B
GSMBZ5237B
GSMBZ5238B
GSMBZ5239B
GSMBZ5240B
记号
CODE
18A
18B
18C
18D
18E
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8Q
TEST
当前
IZT (毫安)
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
2.280
2.375
2.565
2.660
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.700
5.890
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.500
齐纳电压
VZ (V)的
公称
最大
2.4
2.520
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
2.625
2.835
2.940
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.300
6.510
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.500
ZZK
IZ=0.25mA
=最大
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
ZZT
IZ = IZT
=最大
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
17
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
马克斯。反向
当前
IR( UA)的
@VR ( V)
100
1.0
100
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
1/9
颁发日期: 2004年11月15日
修订日期:
设备
GSMBZ5241B
GSMBZ5242B
GSMBZ5243B
GSMBZ5244B
GSMBZ5245B
GSMBZ5246B
GSMBZ5247B
GSMBZ5248B
GSMBZ5249B
GSMBZ5250B
GSMBZ5251B
GSMBZ5252B
GSMBZ5253B
GSMBZ5254B
GSMBZ5255B
GSMBZ5256B
GSMBZ5257B
GSMBZ5258B
GSMBZ5259B
GSMBZ5260B
GSMBZ5261B
GSMBZ5262B
GSMBZ5263B
GSMBZ5264B
GSMBZ5265B
GSMBZ5266B
GSMBZ5267B
GSMBZ5268B
GSMBZ5269B
GSMBZ5270B
记号
CODE
8R
8S
8T
8U
8V
8W
8X
8Y
8Z
81A
81B
81C
81D
81E
81F
81G
81H
81J
81K
81L
81M
81N
81P
81Q
81R
81S
81T
81U
81V
81W
TEST
当前
IZT (毫安)
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.4
10.450
11.400
12.350
13.300
14.250
15.200
16.150
17.100
18.050
19.000
20.900
22.800
23.750
25.650
26.600
28.500
31.350
34.200
37.050
40.850
44.650
48.450
53.200
57.000
58.900
64.600
71.250
77.900
82.650
86.450
齐纳电压
VZ (V)的
公称
最大
11
11.550
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
12.600
13.650
14.700
15.750
16.800
17.850
18.900
19.950
21.000
23.100
25.200
26.250
28.350
29.400
31.500
34.650
37.800
40.950
45.150
49.350
53.550
58.800
63.000
65.100
71.400
78.750
86.100
91.350
95.550
ZZK
IZ=0.25mA
=最大
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
2000
2200
2300
ZZT
IZ = IZT
=最大
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
330
370
400
马克斯。反向
当前
IR( UA)的
@VR ( V)
2.0
8.4
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
69
2/9
颁发日期: 2004年11月15日
修订日期:
特性曲线
3/9
颁发日期: 2004年11月15日
修订日期:
4/9
颁发日期: 2004年11月15日
修订日期:
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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