颁发日期： 2005年8月31日
修订日期：
GSM BT 5401
描述
P NP EP ITAXI AL P L ANAR牛逼RANS ISTO
该GSMBT5401是专为一般用途的应用需要高击穿电压。
特点
＆放大器;
集电极 - 发射极击穿电压（ BV
首席执行官
= -150V @ IC = -1mA ）
高
包装尺寸
&Complementary到GSMBT5551
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
评级
+150
-55~+150
-160
-150
-5
-600
225
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性（Ta = 25
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
*V
CE （ SAT ）
1
*V
CE （ SAT ）
2
*V
BE （ SAT ）
1
*V
BE （ SAT ）
2
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
fT
COB
分钟。
-160
-150
-5
-
-
-
-
-
50
60
50
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
)
马克斯。
-
-
-
-50
-200
-500
-1
-1
-
240
-
300
6
单位
V
V
V
nA
mV
mV
V
V
测试条件
I
C
= -100uA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -10uA ，我
C
=0
V
CB
= -120V ，我
E
=0
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-50mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -10mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
380 S，占空比
2%
兆赫
pF
GSMBT5401
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颁发日期： 2005年8月31日
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特性曲线
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