颁发日期： 2005/06/07
修订日期：
GSM BT 1623
描述
包装尺寸
NP EP ITAXI AL P L ANAR牛逼RANS ISTO
该GSMBT1623是专为AF放大器和通用应用程序使用驱动级。
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
60
50
5
150
250
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
*VBE(sat)1
*h
FE
1
*h
FE2
*h
FE3
fT
COB
在TA = 25 ：
分钟。
60
50
5
-
-
-
-
90
25
80
80
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
250
1.0
600
-
-
-
3.5
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=60V
VEB=5V
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
VCE = 6V ， IC = 1毫安
VCE = 6V ， IC = 150毫安
VCE = 1V ， IC = 10毫安
VCE = 10V ， IC = 1mA时， F = 100MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz时， IE = 0A
*脉冲测试：脉冲宽度
380 S，占空比
2%
测试条件
分类h及
FE
1
秩
范围
L6P
90 - 180
L6Y
135 - 270
L6G
200 - 400
L6B
300 - 600
1/2
颁发日期： 2005/06/07
修订日期：
特性曲线
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品，恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
台湾：
17-1号大同路。傅口新竹工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-597-7061传真： 886-3-597-9220 ， 597-0785
中国：
（ 201203 ） 255号，长江财Lueng RD 。 ，浦勇鑫区尚海城，中国
电话： 86-21-5895-7671 4传真： 86-21-38950165
2/2
QQ：2881677436 复制
