颁发日期： 2003/10/23
修改日期： 2004/11 / 29B
GSD669A
描述
特点
NPNEPI TA XIALPLANARTRANSISTOR
T
他GSD669A是专为高频功率放大器。
·低频功率放大器互补配对GSB649A
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
REF 。
L
e1
e
b
C
A
S
1
b
b
1
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42
2.66
绝对最大额定值
（大
= 25 ：除非另有说明， ）
参数
评级
单位
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收集电流（DC ）
收集电流* （脉冲）
结温
存储温度范围
总功率耗散（ TC = 25 ：
)
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Tj
Ts
TG
P
D
180
160
5
1.5
3
+150
-55 ~ +150
1
V
V
V
A
A
W
电气特性
（大
= 25 ：除非另有说明， ）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
ICBO
*V
CE （ SAT ）
*V
BE（上）
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
180
160
5
-
-
-
60
30
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
140
14
马克斯。
-
-
-
10
1
1.5
200
-
-
-
单位
V
V
V
uA
V
V
测试条件
I
C
= 1mA时，我
E
=0
I
C
= 10毫安，R
BE
=
I
E
= 1mA时，我
C
=0
V
CB
= 160V ，我
E
=0
l
C
=600mA,I
B
=50mA
V
CE
=5V,I
C
=150mA
V
CE
=5V,I
C
=150mA
V
CE
=5V,I
C
=500mA
V
CE
=5V,I
C
=150mA
V
CB
= 10V ，我
E
=0,f=1MHz
*
脉冲测试：脉冲宽度380us ，占空比
2%
兆赫
pF
分类h及
FE1
秩
范围
B
60-120
C
100-200
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颁发日期： 2003/10/23
修改日期： 2004/11 / 29B
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