GSD2004WS-V
威世半导体
小信号开关二极管，高压
特点
硅外延平面二极管
快速开关二极管，特别适合于
e3
需要高电压capa-应用
相容性
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
20145
机械数据
案例：
SOD323塑料外壳
重量：
约。 5.0毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
GSD2004WS-V
订购代码
GSD2004WS - GS18或GSD2004WS - GS08
记号
B6
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
连续反向电压
反向重复峰值电压
正向电流（连续）
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向
当前
功耗
1)
测试条件
符号
V
R
V
RRM
I
F
I
FRM
价值
240
300
225
625
4.0
1.0
200
1)
单位
V
V
mA
mA
A
A
mW
t
p
= 1 s
t
p
= 1 s
I
FSM
I
FSM
P
合计
设备上的玻璃基板，看到第二页的布局
文档编号85730
修订版1.5 ， 17日， 06
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1
GSD2004WS-V
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
典型热阻
结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
S
价值
650
1)
150
- 65至+ 150
单位
° C / W
°C
°C
设备上的玻璃基板，看到第二页的布局
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
漏电流
正向电压
二极管电容
反向恢复时间
1)
测试条件
I
R
= 100 A
V
R
= 240 V
V
R
= 240 V ，T
j
= 150 °C
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安
V
F
= V
R
= 0中，f = 1 MHz的
I
F
= I
R
= 30 mA时，我
rr
= 3.0毫安，
R
L
= 100
Ω
符号
V
BR
I
R
I
R
V
F
V
F
C
合计
t
rr
民
300
典型值。
最大
100
100
单位
V
nA
A
V
V
pF
ns
0.83
0.87
1.00
5.0
50
设备上的玻璃基板，看布局
包装尺寸以毫米（英寸） ： SOD323
1.15 (0.045)
0.8 (0.031)
0.1 （ 0.004 ）最大
足迹推荐：
0.25 （ 0.010 ）分
1.95 (0.077)
1.60 (0.063)
阴极
BAR
0.15 (0.006)
0.10 (0.004)
0.6 (0.024)
0.6 (0.024)
0.40 (0.016)
0.20 (0.008)
2.85 (0.112)
2.50 (0.098)
文件编号： S8 -V - 3910.02-001 （ 4 ）
牧师03 - 日期：2004年08.November
17443
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2
1.5 (0.059)
1.1 (0.043)
1.6 (0.063)
0.6 (0.024)
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修订版1.5 ， 17日， 06
GSD2004WS-V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85730
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
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应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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