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无铅电镀产品
颁发日期： 2005/06/28
修改日期： 2006/10 / 02C
GSC6680
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
11m
11.5A
该GSC6680提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用，并适用
对于低电压应用，如DC / DC转换器。
描述
特点
*低导通电阻
*高Vgs的最大额定电压
*表面贴装封装
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0C
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
8C
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45 C
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
评级
30
±20
11.5
9.5
50
2.5
0.02
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj - AMB
价值
50
单位
: /W
GSC6680
页： 1/5
颁发日期： 2005/06/28
修改日期： 2006/10 / 02C
电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
30
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
30
-
-
-
-
-
16.8
4.2
8
8.9
7.3
25.6
18.6
1450
285
180
马克斯。
-
-
3.0
-
±100
1
25
11
18
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 ：我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 15V ，我
D
=11.5A
V
GS
= ±20V
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=11.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=9.5A
I
D
=11.5A
V
DS
=15V
V
GS
=5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
G
=5.5
R
D
=10
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ： ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
连续源电流（
体二极管
)
符号
V
SD
I
S
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
1.3
1.92
单位
V
A
测试条件
I
S
= 3.5A ，V
GS
= 0V ， TJ = 25 ：
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.3V
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 125 ： /安装在闽当W 。铜垫。
GSC6680
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颁发日期： 2005/06/28
修改日期： 2006/10 / 02C
特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.最大漏极电流
V.S.外壳温度
GSC6680
图6.输入功率耗散
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修改日期： 2006/10 / 02C
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
图11.正向特性
反向二极管
GSC6680
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
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图13.开关时间电路
图14.开关时间波形
图15.栅极电荷电路
图16.栅极电荷波形
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保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品，恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
台湾：
17-1号大同路。傅口新竹工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-597-7061传真： 886-3-597-9220 ， 597-0785
中国：
（ 201203 ） 255号，长江财Lueng RD 。 ，浦勇鑫区尚海城，中国
电话： 86-21-5895-7671 4传真： 86-21-38950165
GSC6680
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GS8322ZV72GC-133
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