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GS9014

新产品

威世半导体

原通用半导体

小信号晶体管（ NPN ）

TO- 226AA （ TO-92 ）

0.181 (4.6)

分钟。 0.492 （ 12.5 ） 0.181 （ 4.6 ）

0.142 (3.6)

特点

NPN硅外延平面晶体管

补充GS9015

低噪声前置放大器

高

FE

机械数据

案例：

TO- 92塑料包装

重量：

约。 0.18克

包装代码/选项：

每个集装箱E6 /散装-5K ，每盒20K

每盒E7 / 4K每个弹药倍率， 20K

马克斯。

0.022 (0.55)

0.098 (2.5)

底部

意见

尺寸以英寸（毫米）

最大额定值&热特性

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

在T功耗

AMB

= 25°C

热阻结到环境空气

结温

存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

R

θJA

T

j

T

S

在25 ° C环境温度，除非另有规定等级

价值

50

45

5

100

450

(1)

250

(1)

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

° C / W

°C

°C

注意：

（1）在从情况下的距离为2mm有效的规定，引线被保持在环境温度

文档编号88197

16-May-02

www.vishay.com

1

GS9014

威世半导体

原通用半导体

电气特性

(T

参数

电流增益A组

B

C

D

J

= 25 ° C除非另有说明）

符号

测试条件

民

60

100

200

400

45

50

5

—

—

—

—

0.58

—

150

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

—

0.14

0.84

0.63

2.2

270

0.9

最大

150

300

600

1000

—

—

—

50

50

0.3

1.0

0.70

3.5

—

10

单位

直流电流增益

h

FE

V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

—

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

输出电容

增益带宽积

噪声系数

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

C

OB

T

NF

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

I

C

= 100μA ，我

E

= 0

I

E

= 100μA ，我

C

= 0

V

CB

= 50V ，我

E

= 0

V

EB

= 5V ，我

C

= 0

I

C

= 100mA时我

B

= 5毫安

I

C

= 100mA时我

B

= 5毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 2毫安

V

CB

= 10V ，我

E

= 0,

= 1兆赫

V

CE

= 5V ，我

C

= 10毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 0.2毫安，

= 1KHz时，卢比= 2KΩ

V

V

V

nA

nA

V

V

V

pF

兆赫

dB

www.vishay.com

2

文档编号88197

16-May-02

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