GS882Z18/36BB/D-333/300/250/200/150
119焊球和165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ， NOBL 和
ZBT SRAM的
2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
用户可配置的管道和流通过模式
ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
片奇偶校验编码和错误检测
LBO引脚的直线或交错突发模式
用2M ， 4M ， 18M和器件引脚兼容
字节写操作（ 9位字节）
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准的119焊球BGA和165焊球FPBGA
套餐
9MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
功能说明
333兆赫， 150兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
该GS882Z18 / 36B是一个9Mbit同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的，像ZBT ， NtRAM ， NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ，允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能（ ZZ ）和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS882Z18 / 36B可由操作用户配置
在管道或流通过模式。操作为流水线
同步装置中，除了上升沿触发
注册了捕获输入信号，该设备采用了
上升沿触发输出寄存器。对于读周期，流水线
SRAM的输出数据由边沿触发临时存储
在访问周期内输出寄存器，然后被释放到
输出驱动器，时钟的下一个上升沿。
该GS882Z18 / 36B与GSI的实现高
性能CMOS技术和可在JEDEC-
标准的119焊球BGA和165焊球FPBGA封装。
中参数简介
-333
管道
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CURR （ X18 ）
币种（ X32 / X36 ）
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流经
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2001年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS882Z18/36BB/D-333/300/250/200/150
GS882Z36B垫出119焊球BGA -顶视图（ B包）
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2001年， GSI技术
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GS882Z18/36BB/D-333/300/250/200/150
GS882Z18B垫出119焊球BGA -顶视图（ B包）
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2001年， GSI技术
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GS882Z18/36BB/D-333/300/250/200/150
165焊球BGA - X18黎民I / O -顶视图（ D组）
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2001年， GSI技术
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GS882Z18/36BB/D-333/300/250/200/150
165焊球BGA - X36通用I / O -顶视图（ D组）
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11 ×15焊球BGA - 13毫米×15毫米机身， 1.0毫米凸块间距
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2001年， GSI技术
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GS882Z18/36BB/D-333/300/250/200/150
119焊球和165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ， NOBL 和
ZBT SRAM的
2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
用户可配置的管道和流通过模式
ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
片奇偶校验编码和错误检测
LBO引脚的直线或交错突发模式
用2M ， 4M ， 18M和器件引脚兼容
字节写操作（ 9位字节）
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准的119焊球BGA和165焊球FPBGA
套餐
9MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
功能说明
333兆赫， 150兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
该GS882Z18 / 36B是一个9Mbit同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的，像ZBT ， NtRAM ， NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ，允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能（ ZZ ）和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS882Z18 / 36B可由操作用户配置
在管道或流通过模式。操作为流水线
同步装置中，除了上升沿触发
注册了捕获输入信号，该设备采用了
上升沿触发输出寄存器。对于读周期，流水线
SRAM的输出数据由边沿触发临时存储
在访问周期内输出寄存器，然后被释放到
输出驱动器，时钟的下一个上升沿。
该GS882Z18 / 36B与GSI的实现高
性能CMOS技术和可在JEDEC-
标准的119焊球BGA和165焊球FPBGA封装。
中参数简介
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管道
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t
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币种（ X32 / X36 ）
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币种（ X32 / X36 ）
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2001年， GSI技术
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GS882Z18/36BB/D-333/300/250/200/150
GS882Z36B垫出119焊球BGA -顶视图（ B包）
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2001年， GSI技术
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GS882Z18/36BB/D-333/300/250/200/150
GS882Z18B垫出119焊球BGA -顶视图（ B包）
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2001年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS882Z18/36BB/D-333/300/250/200/150
165焊球BGA - X18黎民I / O -顶视图（ D组）
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11 ×15焊球BGA - 13毫米×15毫米机身， 1.0毫米凸块间距
冯： 1.02 10/2004
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2001年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS882Z18/36BB/D-333/300/250/200/150
165焊球BGA - X36通用I / O -顶视图（ D组）
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11 ×15焊球BGA - 13毫米×15毫米机身， 1.0毫米凸块间距
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