GS880Z18/36BT-333/300/250/200/150
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
NBT (无总线转左右)功能,允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM , NOBL 和
ZBT SRAM的
2.5 V或3.3 V +10 % / - 10 %,核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
用户可配置的管道和流通过模式
LBO引脚的直线或交错突发模式
引脚与2M , 4M , 18M和设备兼容
字节写操作( 9位字节)
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准的100引脚TQFP封装
无铅100引脚TQFP封装
9MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
333兆赫, 150兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能( ZZ )和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭,在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS880Z18 / 36BT可以由用户进行配置
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置,也就是说,除了
上升沿触发寄存器捕获输入信号,
器件集成了一个上升沿触发输出寄存器。为
读周期,流水线SRAM的输出数据暂时存储
由边缘触发的输出寄存器的访问周期中
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS880Z18 / 36BT与GSI的实现高
高性能的CMOS技术,是在一个JEDEC-可用
标准的100引脚TQFP封装。
功能说明
该GS880Z18 / 36BT是一个9Mbit同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的,像ZBT , NtRAM , NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ,允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
因为它是一种同步装置,地址,数据输入,并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制( LBO)必须连接到电源
-333
管道
3-1-1-1
t
KQ
TCYCLE
CURR ( X18 )
币种( X32 / X36 )
t
KQ
TCYCLE
CURR ( X18 )
币种( X32 / X36 )
2.5
3.0
250
290
4.5
4.5
200
230
中参数简介
-300
2.5
3.3
230
265
5.0
5.0
185
210
-250
2.5
4.0
200
230
5.5
5.5
160
185
-200
3.0
5.0
170
195
6.5
6.5
140
160
-150
3.8
6.7
140
160
7.5
7.5
128
145
单位
ns
ns
mA
mA
ns
ns
mA
mA
流经
2-1-1-1
冯: 1.02 10/2004
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2001年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS880Z18/36BT-333/300/250/200/150
GS880Z18BT 100引脚TQFP引脚(包T)
V
DDQ
V
SS
NC
NC
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
FT
V
DD
V
DD
V
SS
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQP
B
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
79
3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
73
9
72
512K ×18
10
71
顶视图
11
70
12
69
13
68
14
67
15
66
16
65
17
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18
63
19
62
20
61
21
60
22
59
23
58
24
57
25
56
26
55
27
54
28
53
29
52
30
51
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
A
E
1
E
2
NC
NC
B
B
B
A
E
3
V
DD
V
SS
CK
W
CKE
G
ADV
NC
A
A
A
A
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
DQP
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
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LBO
A
A
A
A
A
1
A
0
NC
NC
V
SS
V
DD
NC
NC
A
A
A
A
A
A
A
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GS880Z18/36BT-333/300/250/200/150
GS880Z36BT 100引脚TQFP引脚(包T)
DQP
C
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
V
SS
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
V
SS
V
DDQ
DQ
C
DQ
C
FT
V
DD
V
DD
V
SS
DQ
D
DQ
D
V
DDQ
V
SS
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
V
SS
V
DDQ
DQ
D
DQ
D
DQP
D
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
79
3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
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9
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256K ×36
10
71
顶视图
11
70
12
69
13
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14
67
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66
16
65
17
64
18
63
19
62
20
61
21
60
22
59
23
58
24
57
25
56
26
55
27
54
28
53
29
52
30
51
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
A
E
1
E
2
B
D
B
C
B
B
B
A
E
3
V
DD
V
SS
CK
W
CKE
G
ADV
NC
A
A
A
DQP
B
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
DQP
A
冯: 1.02 10/2004
LBO
A
A
A
A
A
1
A
0
NC
NC
V
SS
V
DD
NC
NC
A
A
A
A
A
A
A
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GS880Z18/36BT-333/300/250/200/150
100引脚TQFP引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
CK
B
A
B
B
B
C
B
D
W
E
1
E
2
E
3
G
ADV
CKE
NC
DQ
A
DQ
B
DQ
DQ
D
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
TYPE
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
—
I / O
I / O
I / O
I / O
In
In
In
In
In
In
描述
突发地址输入;预装爆计数器
地址输入
时钟输入信号
数据输入DQ字节写入信号
A1
-DQ
A9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
B1
-DQ
B9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
C1
-DQ
C9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
D1
-DQ
D9
;低电平有效
写使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效。自解码的深度扩张
芯片使能;低电平有效。自解码的深度扩张
输出使能;低电平有效
前进/负载;突发地址计数器控制引脚
时钟输入缓冲器使能;低电平有效
无连接
字节的数据输入和输出引脚
字节B数据输入和输出引脚
字节C数据输入和输出引脚
字节D数据输入和输出引脚
掉电控制;高电平有效
管线/流过模式控制;低电平有效
线性突发顺序;低电平有效
核心供电
地
输出驱动器电源
冯: 1.02 10/2004
4/24
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GS880Z18/36BT-333/300/250/200/150
GS880Z18 / 36B NBT SRAM功能框图
DQA
–
DQN
FT
Q
写数据
K
注册1
D
写数据
写地址
BURST
计数器
K
注册2
SA1’
SA0’
读,写和
数据一致性
D
K
K
控制逻辑
SA1
SA0
K
写地址
注册1
MATCH
Q
A
0
-AN
B
C
LBO
B
D
W
B
A
B
B
K
FT
E
1
E
2
ADV
E
3
CK
冯: 1.02 10/2004
5/24
2001年, GSI技术
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CKE
G
编写驱动程序
内存
ARRAY
注册2
K
检测放大器
K