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初步
GS88018/32/36T-11/11.5/100/80/66
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
FT引脚用户可配置的过流或流水线
手术
单周期取消（ SCD ）的操作
3.3 V +10 ％ / - 5 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
默认为交错流水线模式
字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作
常见的数据输入和数据输出
时钟控制，注册地址，数据和控制
内部自定时写周期
用于便携式应用的自动断电
100引脚TQFP封装
-11
-11.5
-100
-80
-66
10纳秒
10 ns的12.5纳秒15纳秒
t周期为10ns
4.0纳秒4.0纳秒4.0纳秒4.5纳秒
5纳秒
t
KQ
I
DD
225毫安225毫安225毫安200毫安185毫安
11 ns的11.5纳秒12纳秒
14纳秒
18纳秒
t
KQ
15纳秒
15纳秒
15纳秒
20纳秒
时钟周期内完成15纳秒
I
DD
180毫安180毫安180毫安175毫安165毫安
512K ×18 ， 256K ×32 ， 256K ×36
8MB同步突发静态存储器
流经/管道读取
100兆赫， 66兆赫
3.3 V V
DD
3.3 V和2.5 V的I / O
交错为了与线性突发顺序（ LBO ）的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚用户（引脚14 ） 。抱着FT模式
引脚为低电平时， RAM的流量通过模式，导致
输出数据绕过数据输出寄存器。控股FT
高处的RAM中的管道模式，激活rising-
边沿触发数据输出寄存器。
SCD流水线读
该GS88018 / 32 / 36T是SCD （单循环取消）
流水线同步SRAM 。 DCD （双循环取消）
版本也可以。 SCD的SRAM管线取消
命令一期比读取命令少。 SCD的RAM
开始取消选择后，立即关闭其输出
命令已被捕获在所述输入寄存器。
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写
信号（ Bx的） 。此外，全局写（ GW）是供
写的字节写入所有字节在同一时间，不管
控制输入。
睡眠模式
功能说明
应用
该GS88018 / 32 / 36T是9437184位（ 8,388,608位的X32
版本）的高性能同步SRAM与一个2位的
爆地址计数器。虽然一个类型的最初开发
对于二级缓存的应用程序支持高性能
的CPU ，该装置现在发现在同步SRAM的应用
应用，从DSP总店网络芯片
集的支持。
低功耗（休眠模式）通过断言实现
（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK） 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS88018 / 32 / 36T工作在3.3 V电源和所有
输入/输出3.3 V - 2.5 V兼容。另
输出功率（V
DDQ
）引脚用于去耦输出噪声
从内部电路。
控制
地址，数据I / O的芯片使能（ E1，E2， E3） ，地址脉冲串
控制输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ） ，写控制输入
（ Bx的，BW ， GW）是同步的，并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端（ CK） 。输出使能（ G）
和断电控制（ ZZ ）是异步输入。爆
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下，会产生后续的突发地址
在内部，并通过ADV控制。突发地址
计数器可以被配置成在计算的线性或
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2000 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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GS88018 100引脚TQFP引脚
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GS88032 100引脚TQFP引脚
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GS88036 100引脚TQFP引脚
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2000 ，千兆半导体公司
初步
GS88018/32/36T-11/11.5/100/80/66
TQFP引脚说明
引脚位置
37, 36
35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81, 44, 45, 46,
47, 48, 49, 50, 43
80
63, 62, 59, 58, 57, 56, 53, 52
68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79
13, 12, 9, 8, 7, 6, 3, 2
18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29
51, 80, 1, 30
51, 80, 1, 30
58, 59, 62, 63, 68, 69, 72, 73, 74
8, 9, 12, 13, 18, 19, 22, 23, 24
51, 52, 53, 56, 57
75, 78, 79,
1, 2, 3, 6, 7
25, 28, 29, 30
87
93, 94
95, 96
95, 96
89
88
98, 92
97
86
83
84, 85
64
14
31
15, 41, 65, 91
5,10,17, 21, 26, 40, 55, 60, 67, 71, 76, 90
4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77
16, 38, 39, 42, 66
符号
A
0
, A
1
A
2
–A
17
A
18
DQ
A1
-DQ
A8
DQ
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-DQ
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-DQ
C8
DQ
D1
-DQ
D8
DQ
A9
， DQ
B9
,
DQ
C9
， DQ
D9
NC
DQ
A1
-DQ
A9
DQ
B1
-DQ
B9
NC
BW
B
A
, B
B
B
C
, B
D
NC
CK
GW
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
ADSP ， ADSC
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
典型值
e
I
I
I
I / O
描述
地址域的LSB和地址计数器的预置输入
地址输入
地址输入
数据输入和输出引脚（ X32 ， X36版）
I / O
—
I / O
数据输入和输出引脚
无连接（ X32版）
数据输入和输出引脚
—
I
I
I
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
—
无连接
字节写，将所有启用的字节;低电平有效
字节写使能为DQ
A
， DQ
B
数据I / O的;低电平有效
字节写使能为DQ
C
， DQ
D
数据I / O的;低电平有效（ X32 ， X36
VERSION ）
无连接（ X18版）
时钟输入信号;高电平有效
全局写使能，将所有字节;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前实现;低电平有效
地址选通（处理器，高速缓存控制器） ;低电平有效
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
无连接
冯： 1.11 8/2000
5/25
2000 ，千兆半导体公司
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GM71C16403CJ-5
GP02-45
G4B
G8342
GVT73128A8SJ-15LI
GSAC-XXCCC6
GS8321E36GE-250
GS71116AJ-8I
GM123210NRSNB-01
GM5EG95200A
GX60-18P
G690L293T71
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