初步
GS8644Z18/36E-xxxV
165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ， NOBL 和
ZBT SRAM的
1.8 V或2.5 V内核电源和I / O供电
用户可配置的管道和流通过模式
ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
LBO引脚的直线或交错突发模式
带2MB， 4MB， 9MB ， 18MB ， 36MB和引脚兼容
器件
字节写操作（ 9位字节）
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准的165焊球BGA封装
符合RoHS标准的165焊球BGA封装
72MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
250兆赫， 133MHz的
1.8 V或2.5 V V
DD
1.8 V或2.5 V的I / O
因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能（ ZZ ）和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS8644Z18 / 36E - XXXV可以由用户进行配置
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置中，除了在起立边沿
触发寄存器捕获输入信号，该装置
包括一个上升沿触发输出寄存器。对于读
周期，流水线SRAM的输出数据由暂时存储
在访问周期内边沿触发的输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS8644Z18 / 36E - XXXV与GSI的实现高
高性能的CMOS技术，是在一个JEDEC-可用
标准的165焊球BGA封装。
功能说明
该GS8644Z18 / 36E - XXXV是72Mbit的同步静态
SRAM 。 GSI的NBT SRAM的，像ZBT ， NtRAM ， NOBL或
其他流水线读/双晚写或流经读/
单后期写的SRAM ，允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
参数简介
-250 -225 -200 -166 -150 -133单位
管道
3-1-1-1
t
KQ
TCYCLE
CURR （ X18 ）
CURR （ X36 ）
t
KQ
TCYCLE
CURR （ X18 ）
CURR （ X36 ）
3.0
4.0
385
450
6.5
6.5
265
290
3.0
4.4
360
415
6.5
6.5
265
290
3.0
5.0
335
385
6.5
6.5
265
290
3.0
6.0
305
345
8.0
8.0
255
280
3.3
6.7
295
325
8.5
8.5
240
265
3.5
7.5
265
295
8.5
8.5
225
245
ns
ns
mA
mA
ns
ns
mA
mA
溢流
通过
2-1-1-1
冯： 1.05 6/2006
1/30
2003 ， GSI技术
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GS8644Z18/36E-xxxV
165焊球BGA - X18通用I / O -顶视图（ E组）
1
A
B
C
D
E
F
G
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J
K
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M
N
P
R
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
FT
DQB
DQB
DQB
DQB
DQPb
NC
LBO
2
A
A
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
MCH
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
3
E1
E2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
4
BB
NC
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
5
NC
BA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
TMS
6
E3
CK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
A1
A0
7
CKE
W
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDO
TCK
8
ADV
G
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
9
A
A
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
10
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
ZQ
DQA
DQA
DQA
DQA
NC
A
A
11
A
NC
DQPa
DQA
DQA
DQA
DQA
ZZ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
11 ×15焊球BGA - 15毫米×17 mm主体， 1.0毫米凸块间距
冯： 1.05 6/2006
2/30
2003 ， GSI技术
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GS8644Z18/36E-xxxV
165焊球BGA - X36通用I / O -顶视图（ E组）
1
A
B
C
D
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G
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J
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R
NC
NC
DQPc
DQC
DQC
DQC
DQC
FT
DQD
DQD
DQD
DQD
DQPd
NC
LBO
2
A
A
NC
DQC
DQC
DQC
DQC
MCH
DQD
DQD
DQD
DQD
NC
A
A
3
E1
E2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
4
BC
BD
V
SS
V
DD
V
DD
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V
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V
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V
SS
A
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BA
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SS
V
SS
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SS
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SS
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SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
TMS
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E3
CK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
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SS
V
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V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
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A0
7
CKE
W
V
SS
V
SS
V
SS
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SS
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SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDO
TCK
8
ADV
G
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
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V
SS
A
A
9
A
A
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
10
A
A
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
ZQ
DQA
DQA
DQA
DQA
NC
A
A
11
NC
NC
DQPb
DQB
DQB
DQB
DQB
ZZ
DQA
DQA
DQA
DQA
DQPa
NC
A
A
B
C
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G
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M
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11 ×15焊球BGA - 15毫米×17 mm主体， 1.0毫米凸块间距
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2003 ， GSI技术
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GS8644Z18/36E-xxxV
GS8644Z18 / 36E - XXXV 165焊球BGA引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
CKE
W
E
1
E
3
E
2
FT
G
ADV
ZQ
ZZ
LBO
TMS
TDI
TDO
TCK
MCH
V
DD
V
SS
V
DDQ
TYPE
I
I
I / O
I
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
O
I
—
I
I
I
描述
地址域的LSB和地址计数器的预置输入
地址输入
数据输入和输出引脚
字节写使能为DQ
A
， DQ
B
， DQ
C
， DQ
D
的I / O ;低电平有效
无连接
时钟输入信号;高电平有效
时钟使能;低电平有效
写使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
流经/管道模式控制
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前实现;高电平有效
FLXDrive输出阻抗控制
低=低阻抗[高驱动器] ，高=高阻抗[低驱动器] ）
睡眠模式控制;高电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
扫描测试模式选择
扫描测试数据
扫描测试数据输出
扫描测试时钟
必须连接高
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
冯： 1.05 6/2006
4/30
2003 ， GSI技术
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GS8644Z18/36E-xxxV
功能细节
时钟
时钟的无效置到达RAM中的内部电路使能（ CKE ）输入块的时钟输入。它可用于
暂停RAM的操作。如果不遵守时钟使能建立或保持要求，将导致运行不稳定。
管道模式读取和写入操作
所有输入（除输出允许，线性突发顺序和休眠）的同步时钟的上升沿。单曲循环
读取和写入操作必须使用前进/负载引脚（ ADV ）启动保持为低电平，以加载新的地址。设备
激活是通过确认所有三个芯片使能输入完成（E
1
, E
2,
与ê
3
） 。的使能任一项的无效
输入将停用的设备。
功能
读
写字节??一??
写字节“B”
写字节“C”
写字节“D”
写的所有字节
写入中止/ NOP
W
H
L
L
L
L
L
L
B
A
X
L
H
H
H
L
H
B
B
X
H
L
H
H
L
H
B
C
X
H
H
L
H
L
H
B
D
X
H
H
H
L
L
H
开始读操作时，同时满足下列条件时时钟的上升沿： CKE为低电平时，所有三个
芯片启用（E
1
, E
2,
与ê
3
）是活动的，写使能输入信号W被拉高高， ADV为低电平。地址
呈现给所述地址输入锁存到地址寄存器，并提交给存储器核心和控制逻辑。控制
逻辑确定读访问过程中，允许所请求的数据传播到输出寄存器的输入端。在
时钟的下一个上升沿的读数据被允许通过输出寄存器和到输出引脚传播。
发生写操作时，所选择的RAM ， CKE处于活动状态，并且写输入采样为低电平，在时钟的上升沿。
字节写使能输入（B
A
, B
B
, B
C,
和B
D
）确定哪个字节将被写入。全或无可能被激活。写
周期没有活动字节写入输入一个空操作周期。流水线NBT SRAM提供双晚写功能，
相匹配的写命令与数据管道长度为2个周期的读命令与数据管道长度（ 2次） 。在
时钟的第一个上升沿，启用，写，写字节（ s）和地址注册。该数据在与该地址相关联的是
在时钟的第三个上升边缘必需的。
流经模式读取和写入操作
在RAM中的流通过模式的操作非常相似，在流水线模式操作。一个读周期和激活
利用突发地址计数器是相同的。在流模式下通过该设备可能会开始后立即驶出新数据
新地址被读入内存，而不是拿着新的数据，直到下（第二）的时钟边沿。因此，在流
通过模式读取管道比管道模式一个周期更短。
写操作开始以相同的方式，但是不同之处在于，写入管道是一个周期更短的为好，保持能力
把从读总线写入不插入任何死循环。而流水线NBT的RAM实现双晚
写在协议流通过模式单一后期写的协议模式被观察到。因此，在通过流模式，地址
和控制被登记在时钟和数据的第一个上升沿在需要在数据输入引脚处的第二个上升沿
时钟。
冯： 1.05 6/2006
5/30
2003 ， GSI技术
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产品预览
GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
119- ， 165- ， & 209引脚BGA
商用温度
工业级温度
特点
NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ， NOBL 和
ZBT SRAM的
2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
用户可配置的管道和流通过模式
ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
LBO引脚的直线或交错突发模式
带2MB， 4MB， 9MB ， 18MB ， 36MB和引脚兼容
器件
字节写操作（ 9位字节）
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准119- ， 165-或209焊球BGA封装
72MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
250兆赫， 133MHz的
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能（ ZZ ）和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS8644Z18 / 36/ 72可以由用户来配置的
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置中，除了在起立边沿
触发寄存器捕获输入信号，该装置
包括一个上升沿触发输出寄存器。对于读
周期，流水线SRAM的输出数据由暂时存储
在访问周期内边沿触发的输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS8644Z18 / 36/ 72与GSI的实现高
高性能的CMOS技术，是在一个JEDEC-可用
标准的119焊球， 165焊球或209焊球BGA封装。
功能说明
该GS8644Z18 / 36/ 72是72Mbit的同步静态
SRAM 。 GSI的NBT SRAM的，像ZBT ， NtRAM ， NOBL或
其他流水线读/双晚写或流经读/
单后期写的SRAM ，允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
参数简介
t
KQ(x18/x36)
t
KQ(x72)
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x36)
CURR
(x72)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x36)
CURR
(x72)
-250 -225 -200
2.5 2.7 3.0
3.0 3.0 3.0
4.0 4.4 5.0
385
450
540
6.5
6.5
265
290
345
-166
3.5
3.5
6.0
-150
3.8
3.8
6.7
-133单位
4.0纳秒
4.0纳秒
7.5纳秒
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
360 335 305 295 265毫安
415 385 345 325 295毫安
505 460 405 385 345毫安
6.5 6.5 7.0 7.5 8.5纳秒
6.5 6.5 7.0 7.5 8.5纳秒
265 265 255 240 225毫安
290 290 280 265 245毫安
345 345 335 315 300毫安
冯： 1.03 11/2004
1/39
2003 ， GSI技术
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产品预览
GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z72C垫出209焊球BGA -顶视图（ C组）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
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H
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D
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V
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V
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V
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V
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V
DDQ
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V
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V
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V
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A
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4
E2
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V
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V
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V
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V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
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A
A
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5
A
NC
NC
NC
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
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V
SS
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V
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A
A
A
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MCH
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V
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V
DDQ
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V
DDQ
V
SS
NC
A
TCK
10
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
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F
DQ
F
DQ
F
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F
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DQ
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J
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U
V
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11× 19焊球BGA- 14× 22毫米
2
身体1毫米凸块间距
冯： 1.03 11/2004
2/39
2003 ， GSI技术
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z72 209焊球BGA引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
DQ
E
DQ
F
DQ
G
DQ
H
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1
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3
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2
G
ADV
ZZ
FT
LBO
MCH
MCH
MCL
W
ZQ
CKE
I
I
I
TYPE
I
I
描述
地址字段的LSB和地址计数器预置输入。
地址输入
I / O
数据输入和输出引脚
I
I
I
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
字节写使能为DQ
A
， DQ
B
的I / O ;低电平有效
字节写使能为DQ
C
， DQ
D
的I / O ;低电平有效
字节写使能为DQ
E
， DQ
F
， DQ
G
， DQ
H
的I / O ;低电平有效
无连接
时钟输入信号;高电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前启用
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
必须连接高
必须连接高
必须连接低
写使能;低电平有效
FLXDrive输出阻抗控制
低=低阻抗[高驱动]
高=高阻抗[低驱动]
时钟使能;低电平有效
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z72 209焊球BGA引脚说明（续）
符号
TMS
TDI
TDO
TCK
V
DD
V
SS
V
DDQ
TYPE
I
I
O
I
I
I
I
描述
扫描测试模式选择
扫描测试数据
扫描测试数据输出
扫描测试时钟
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z36B垫出119焊球BGA -顶视图（ B包）
1
A
B
C
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E
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T
U
V
DDQ
NC
NC
DQC
DQC
V
DDQ
DQC
DQC
V
DDQ
DQD
DQD
V
DDQ
DQD
DQD
NC
NC
V
DDQ
2
A
E2
A
DQPc
DQC
DQC
DQC
DQC
V
DD
DQD
DQD
DQD
DQD
DQPd
A
A
TMS
3
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BC
V
SS
NC
V
SS
BD
V
SS
V
SS
V
SS
LBO
A
TDI
4
A
ADV
V
DD
ZQ
E1
G
A
W
V
DD
CK
NC
CKE
A1
A0
V
DD
A
TCK
5
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BB
V
SS
NC
V
SS
BA
V
SS
V
SS
V
SS
FT
A
TDO
6
A
E3
A
DQPb
DQB
DQB
DQB
DQB
V
DD
DQA
DQA
DQA
DQA
DQPa
A
A
NC
7
V
DDQ
NC
NC
DQB
DQB
V
DDQ
DQB
DQB
V
DDQ
DQA
DQA
V
DDQ
DQA
DQA
NC
ZZ
V
DDQ
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B
C
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N
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T
U
7 ×17焊球BGA- 14× 22毫米
2
身体1.27毫米凸块间距
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
119- ， 165- ， & 209引脚BGA
商用温度
工业级温度
特点
NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ， NOBL 和
ZBT SRAM的
2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
用户可配置的管道和流通过模式
ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
LBO引脚的直线或交错突发模式
带2MB， 4MB， 9MB ， 18MB ， 36MB和引脚兼容
器件
字节写操作（ 9位字节）
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准119- ， 165-或209焊球BGA封装
72MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
250兆赫， 133MHz的
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能（ ZZ ）和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS8644Z18 / 36/ 72可以由用户来配置的
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置中，除了在起立边沿
触发寄存器捕获输入信号，该装置
包括一个上升沿触发输出寄存器。对于读
周期，流水线SRAM的输出数据由暂时存储
在访问周期内边沿触发的输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS8644Z18 / 36/ 72与GSI的实现高
高性能的CMOS技术，是在一个JEDEC-可用
标准的119焊球， 165焊球或209焊球BGA封装。
功能说明
该GS8644Z18 / 36/ 72是72Mbit的同步静态
SRAM 。 GSI的NBT SRAM的，像ZBT ， NtRAM ， NOBL或
其他流水线读/双晚写或流经读/
单后期写的SRAM ，允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
参数简介
t
KQ(x18/x36)
t
KQ(x72)
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x36)
CURR
(x72)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x36)
CURR
(x72)
-250 -225 -200
2.5 2.7 3.0
3.0 3.0 3.0
4.0 4.4 5.0
385
450
540
6.5
6.5
265
290
345
-166
3.5
3.5
6.0
-150
3.8
3.8
6.7
-133单位
4.0纳秒
4.0纳秒
7.5纳秒
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
360 335 305 295 265毫安
415 385 345 325 295毫安
505 460 405 385 345毫安
6.5 6.5 7.0 7.5 8.5纳秒
6.5 6.5 7.0 7.5 8.5纳秒
265 265 255 240 225毫安
290 290 280 265 245毫安
345 345 335 315 300毫安
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z72C垫出209焊球BGA -顶视图（ C组）
1
A
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DQ
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DQ
G
DQ
G
DQ
G
DQP
G
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
NC
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H
DQ
H
DQ
H
DQ
H
DQP
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
2
DQ
G
DQ
G
DQ
G
DQ
G
DQP
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
NC
DQ
H
DQ
H
DQ
H
DQ
H
DQP
H
DQ
D
DQ
D
DQ
D
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D
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A
BC
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SS
V
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V
SS
V
DDQ
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SS
V
DDQ
CK
V
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V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
NC
A
TMS
4
E2
BG
BD
NC
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
NC
A
A
TDI
5
A
NC
NC
NC
V
DD
V
SS
V
DD
V
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V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
NC
A
A
A
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ADV
W
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MCH
MCL
MCH
CKE
FT
MCL
MCH
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NC
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E3
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SS
V
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V
SS
V
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NC
V
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V
SS
V
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SS
V
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NC
A
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SS
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SS
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SS
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
NC
A
TCK
10
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQP
F
DQ
F
DQ
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DQ
F
DQ
F
NC
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQP
A
DQ
E
DQ
E
DQ
E
DQ
E
11
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQP
B
DQ
F
DQ
F
DQ
F
DQ
F
NC
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQP
E
DQ
E
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E
DQ
E
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V
W
11× 19焊球BGA- 14× 22毫米
2
身体1毫米凸块间距
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z72 209焊球BGA引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
DQ
E
DQ
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DQ
G
DQ
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B
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,B
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, B
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, B
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,B
H
NC
CK
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ZZ
FT
LBO
MCH
MCH
MCL
W
ZQ
CKE
I
I
I
TYPE
I
I
描述
地址字段的LSB和地址计数器预置输入。
地址输入
I / O
数据输入和输出引脚
I
I
I
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
字节写使能为DQ
A
， DQ
B
的I / O ;低电平有效
字节写使能为DQ
C
， DQ
D
的I / O ;低电平有效
字节写使能为DQ
E
， DQ
F
， DQ
G
， DQ
H
的I / O ;低电平有效
无连接
时钟输入信号;高电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前启用
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
必须连接高
必须连接高
必须连接低
写使能;低电平有效
FLXDrive输出阻抗控制
低=低阻抗[高驱动]
高=高阻抗[低驱动]
时钟使能;低电平有效
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GS8644Z72 209焊球BGA引脚说明（续）
符号
TMS
TDI
TDO
TCK
V
DD
V
SS
V
DDQ
TYPE
I
I
O
I
I
I
I
描述
扫描测试模式选择
扫描测试数据
扫描测试数据输出
扫描测试时钟
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
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GS8644Z36B垫出119焊球BGA -顶视图（ B包）
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NC
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DQC
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DQD
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A
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DQPc
DQC
DQC
DQC
DQC
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DD
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DQD
DQD
DQD
DQPd
A
A
TMS
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A
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A
TDI
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A
ADV
V
DD
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CKE
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A
TDO
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A
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A
DQPb
DQB
DQB
DQB
DQB
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DQA
DQA
DQA
DQA
DQPa
A
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V
DDQ
NC
NC
DQB
DQB
V
DDQ
DQB
DQB
V
DDQ
DQA
DQA
V
DDQ
DQA
DQA
NC
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C
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U
7 ×17焊球BGA- 14× 22毫米
2
身体1.27毫米凸块间距
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