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产品预览
GS8640Z18/36T-300/250/200/167
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
NBT (无总线转左右)功能,允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM , NOBL 和
ZBT SRAM的
2.5 V或3.3 V +10 % / - 10 %,核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
用户可配置的管道和流通过模式
LBO引脚的直线或交错突发模式
引脚具备4MB , 9MB , 18MB和36MB的设备兼容
字节写操作( 9位字节)
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准的100引脚TQFP封装
符合RoHS标准的100引脚TQFP封装
72MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
300兆赫, 167兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
因为它是一种同步装置,地址,数据输入,并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制( LBO)必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能( ZZ )和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭,在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS8640Z18 / 36T可以通过操作该用户被配置
在管道或流通过模式。操作为流水线
同步装置,也就是说,除了上升沿
触发寄存器捕获输入信号,该装置
包括一个上升沿触发的输出寄存器。对于读
周期,流水线SRAM的输出数据由暂时存储
的边缘接入周期中触发输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS8640Z18 / 36T与GSI的实现高
高性能的CMOS技术,是在一个JEDEC-可用
标准的100引脚TQFP封装。
功能说明
该GS8640Z18 / 36T是一个72Mbit的同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的,像ZBT , NtRAM , NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ,允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
参数简介
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
-300
2.3
3.3
400
480
5.5
5.5
285
330
-250
2.5
4.0
340
410
6.5
6.5
245
280
-200
3.0
5.0
290
350
7.5
7.5
220
250
-167
3.5
6.0
260
305
8.0
8.0
210
240
单位
ns
ns
mA
mA
ns
ns
mA
mA
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
*所有GSI技术包至少5/6符合RoHS标准。
随着更多的“G”标志上市软件包6/6符合RoHS标准。
冯: 1.01 1/2006
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2004年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
产品预览
GS8640Z18/36T-300/250/200/167
GS8640Z18T引脚
V
DDQ
V
SS
NC
NC
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
FT
V
DD
V
DD
V
SS
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQP
B
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
79
3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
73
9
72
2M ×18
10
71
顶视图
11
70
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20
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21
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59
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27
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28
53
29
52
30
51
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
A
E
1
E
2
NC
NC
B
B
B
A
E
3
V
DD
V
SS
CK
W
CKE
G
ADV
A
A
A
A
A
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
DQP
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
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LBO
A
A
A
A
A
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0
NC
NC
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A
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2004年, GSI技术
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GS8640Z18/36T-300/250/200/167
GS8640Z36T引脚
DQP
C
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
V
SS
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
V
SS
V
DDQ
DQ
C
DQ
C
FT
V
DD
V
DD
V
SS
DQ
D
DQ
D
V
DDQ
V
SS
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
V
SS
V
DDQ
DQ
D
DQ
D
DQP
D
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
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顶视图
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31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
A
E
1
E
2
B
D
B
C
B
B
B
A
E
3
V
DD
V
SS
CK
W
CKE
G
ADV
A
A
A
A
DQP
B
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
DQP
A
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LBO
A
A
A
A
A
1
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NC
V
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V
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A
A
A
A
A
A
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GS8640Z18/36T-300/250/200/167
TQFP引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
CK
B
A
B
B
B
C
B
D
W
E
1
E
2
E
3
G
ADV
CKE
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
TYPE
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
I / O
I / O
I / O
I / O
In
In
In
In
In
In
描述
突发地址输入;预装爆计数器
地址输入
时钟输入信号
数据输入DQ字节写入信号
A1
-DQ
A9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
B1
-DQ
B9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
C1
-DQ
C9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
D1
-DQ
D9
;低电平有效
写使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效。自解码的深度扩张
芯片使能;低电平有效。自解码的深度扩张
输出使能;低电平有效
前进/负载;突发地址计数器控制引脚
时钟输入缓冲器使能;低电平有效
字节的数据输入和输出引脚
字节B数据输入和输出引脚
字节C数据输入和输出引脚
字节D数据输入和输出引脚
掉电控制;高电平有效
管线/流过模式控制;低电平有效
线性突发顺序;低电平有效
核心供电
输出驱动器电源
无连接
冯: 1.01 1/2006
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GS8640Z18/36T-300/250/200/167
GS8640Z18 / 36 NBT SRAM功能框图
DQA
DQN
FT
Q
写数据
K
注册1
D
写数据
写地址
BURST
计数器
K
注册2
SA1’
SA0’
读,写和
数据一致性
D
K
K
控制逻辑
SA1
SA0
K
写地址
注册1
MATCH
Q
B
C
LBO
B
D
W
B
A
B
B
K
FT
E
1
E
2
E
3
ADV
CK
冯: 1.01 1/2006
A
0
-AN
5/25
2004年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
CKE
G
编写驱动程序
内存
ARRAY
注册2
K
检测放大器
K
查看更多GS8640Z18T-200PDF信息
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    GS8640Z18T-200
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    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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