【GS820E32AT/Q-150/138/133/117/100/66TQFP ， QFP商用温度工】,IC型号GS820E32AT-133,GS820E32AT-133 PDF资料,GS820E32AT-133经销商,ic,电子元器件-51电子网

GS820E32AT/Q-150/138/133/117/100/66

TQFP ， QFP

商用温度

工业级温度

特点

FT引脚为用户配置流过或流水线操作。

双循环取消（ DCD ）工作。

3.3V +10 ％ / - 5 ％，核心供电

2.5V或3.3V的I / O供电。

LBO引脚用于线性或交错突发模式。

在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚。

默认为交错流水线模式。

字节写（BW）和/或全局写（ GW）的操作。

常见的数据输入和数据输出。

时钟控制，注册地址，数据和控制。

内部自定时写周期。

用于便携式应用的自动断电。

JEDEC标准的100引脚TQFP或QFP封装。

-150

管道TCYCLE 6.6ns

3-1-1-1 t

KQ

3.8ns

I

DD

270mA

流动TCYCLE 10.5ns

至T

KQ

9ns

2-1-1-1 I

DD

170mA

-138

-133

-117

-100

-66

7.25ns 7.5ns 8.5ns 10ns的12.5ns

4ns

4.5

5ns

6ns

245毫安240毫安210毫安180毫安150毫安

为15ns 15ns的15ns的为15ns 20ns的

9.7ns 10ns的11ns的为12ns 18ns

120毫安120毫安120毫安120毫安95毫安

64K ×32

2M同步突发SRAM

流经/管道读取

150MHz的 - 66MHZ

9ns - 18ns

3.3V VDD

3.3V & 2.5V的I / O

的数据输出寄存器中的功能可以由用户来控制

通过FT模式引脚/焊盘（引脚14的TQFP ，凹凸1F在焦平面

BGA ）。抱着FT模式引脚/凹凸低，放置在流动的RAM

通过模式，使输出数据绕过数据输出

注册。控股FT高处的RAM的流水线模式，

激活上升沿触发数据输出寄存器。

DCD流水线读

该GS820E32A是DCD （双循环取消）流水线

同步SRAM 。 SCD （单周期取消）版本也

可用。 DCD的SRAM管道禁用命令相同

度为读命令。 DCD的RAM保存取消命令

一个完整的周期，然后开始后关闭它们的输出只是

第二个时钟脉冲上升沿。

字节写和全局写

通过使用字节写使能（ BW ）进行字节写操作

输入与一个或多个单独的字节的写信号（ Bx的）。在

此外，全局写（ GW ）是可用于写入所有字节在同一

时，无论该字节写入控制输入。

睡眠模式

低功耗（休眠模式）通过断言实现（高）的

在ZZ信号，或者通过停止时钟（CK）。存储器数据将被保留

在休眠模式下。

功能说明

应用

该GS820E32A是2,097,152位高性能同步

SRAM有2位爆裂地址计数器。虽然一个类型的原本

对于二级缓存的应用程序支持开发高

高性能CPU的，该设备现在发现在同步应用

SRAM应用范围从DSP总店网络芯片

集的支持。

核心和接口电压

在GS820E32A工作在3.3V的电源和所有输入/

输出为3.3V和2.5V兼容。单独的输出电源（V

DDQ

)

引脚用于去耦的输出噪声与内部电路。

控制

地址，数据I / O的芯片使（E

1

, E

2

, E

3

），地址脉冲串控制

输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ）和写控制输入（ BX， BW ， GW）是

同步和通过正边沿触发的时钟被控制

输入端（ CK）。输出使能（ G）和断电控制（ ZZ ）是

异步输入。突发周期可以与任何ADSP启动

或ADSC输入。在连拍模式下，后续的突发地址

内部产生的并通过ADV控制。突发地址

计数器可以被配置的线性或交织顺序来算

与线性突发顺序（ LBO ）的输入。连拍功能不需要

被使用。新的地址可以在每个周期装载不

退化的芯片性能。

冯： 1.04 3/2000

1/23

2000 ，千兆半导体公司

E

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

GS820E32AT/Q-150/138/133/117/100/66

GS820E32A 100引脚TQFP封装，引脚QFP

NC

DQ

C8

DQ

C7

V

DDQ

V

SS

DQ

C6

DQ

C5

DQ

C4

DQ

C3

V

SS

V

DDQ

DQ

C2

DQ

C1

FT

V

DD

NC

V

SS

DQ

D1

DQ

D2

V

DDQ

V

SS

DQ

D3

DQ

D4

DQ

D5

DQ

D6

V

SS

V

DDQ

DQ

D7

DQ

D8

NC

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

1

80

2

79

3

78

4

77

5

76

6

75

7

74

8

73

9

72

64K ×32

10

71

顶视图

11

70

12

69

13

68

14

67

15

66

16

65

17

64

18

63

19

62

20

61

21

60

22

59

23

58

24

57

25

56

26

55

27

54

28

53

29

52

30

51

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

CK

GW

BW

G

ADSC

ADSP

ADV

A

8

A

9

A

6

A

7

E

1

E

2

B

D

B

C

B

A

E

3

V

DD

V

SS

NC

DQ

B8

DQ

B7

V

DDQ

V

SS

DQ

B6

DQ

B5

DQ

B4

DQ

B3

V

SS

V

DDQ

DQ

B2

DQ

B1

V

SS

NC

V

DD

ZZ

DQ

A1

DQ

A2

V

DDQ

V

SS

DQ

A3

DQ

A4

DQ

A5

DQ

A6

V

SS

V

DDQ

DQ

A7

DQ

A8

NC

冯： 1.04 3/2000

LBO

A

5

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

NC

V

SS

V

DD

NC

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

2/23

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

NC

2000 ，千兆半导体公司

E

GS820E32AT/Q-150/138/133/117/100/66

TQFP引脚说明

引脚位置

37, 36

35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81, 44, 45,

46, 47, 48, 49

52, 53, 56, 57, 58, 59, 62, 63

68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79

2, 3, 6, 7, 8, 9, 12, 13

18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29

16, 38, 39, 42, 43, 66, 50, 51, 80, 1, 30

87

93, 94

95, 96

89

88

98, 92

97

86

83

84, 85

64

14

31

15, 41, 65, 91

5,10,17, 21, 26, 40, 55, 60, 67, 71, 76, 90

4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77

符号

A

0

, A

1

A

2

-

15

DQ

A1

-DQ

A8

DQ

B1

-DQ

B8

DQ

C1

-DQ

C8

DQ

D1

-DQ

D8

NC

BW

B

A

, B

B

C

, B

D

CK

GW

E

1

, E

3

E

2

G

ADV

ADSP ， ADSC

ZZ

FT

LBO

V

DD

V

SS

V

DDQ

TYPE

I

描述

地址字段LSB的和地址计数器的预置输入

地址输入

I / O

数据输入和输出引脚。

无连接

I

字节写。将所有启用的字节。低电平有效。

字节写使能为DQ

A

， DQ

B

数据I / O的。低电平有效。

字节写使能为DQ

C

， DQ

D

数据I / O的。低电平有效。

时钟输入信号。高电平有效。

全局写使能。写入所有字节。低电平有效。

芯片使能。低电平有效。

芯片使能。高电平有效。

输出使能。低电平有效。

突发地址计数器提前启用。低电平有效。

地址选通（处理器，高速缓存控制器）。低电平有效。

睡眠模式控制。高电平有效。

流过管道或方式。低电平有效。

线性突发顺序模式。低电平有效。

核心供电。

I / O和核心地。

输出驱动器电源。

E

冯： 1.04 3/2000

3/23

2000 ，千兆半导体公司

E

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GS820E32AT/Q-150/138/133/117/100/66

GS820E32A框图

注册

A0-An

D

Q

A0

D0

A1

D1

Q1

计数器

负载

A

Q0

A0

A1

LBO

ADV

CK

ADSC

ADSP

GW

BW

B

A

注册

内存

ARRAY

Q

D

Q

D

注册

D

B

Q

32

4

32

注册

D

B

C

Q

注册

D

注册

Q

注册

D

B

D

Q

注册

D

Q

注册

E

1

E

2

E

3

D

Q

注册

D

Q

FT

G

掉电

控制

ZZ

DQx1-DQx8

冯： 1.04 3/2000

4/23

2000 ，千兆半导体公司

E

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GS820E32AT/Q-150/138/133/117/100/66

模式引脚功能

模式名称

突发订单控制

输出寄存器控制

掉电控制

管脚名称国

LBO

FT

ZZ

L

H或NC

L

H或NC

L或NC

H

功能

线性突发

交错突发

流经

管道

活跃

待机情况下，我

DD

= I

SB

注意：

有向上拉杠杆收购和FT引脚和一个下拉装置和ZZ引脚器件，所以这些输入引脚可以悬空和芯片

操作在缺省状态为在上述表中指定。

突发计数器序列

线性突发序列

A[1:0]

第一个地址

第二个地址

3地址

第四地址

00

01

10

11

A[1:0]

01

10

11

00

A[1:0]

10

11

00

01

A[1:0]

11

00

01

10

第一个地址

第二个地址

3地址

第四地址

I

nterleaved突发序列

A[1:0]

00

01

10

11

A[1:0]

01

00

11

10

A[1:0]

10

11

00

01

A[1:0]

11

10

01

00

注：突发柜台换到初始五号时钟状态。

字节写真值表

功能

读

写字节

A

写字节

B

写字节

C

写字节

D

写的所有字节

GW

H

L

BW

H

L

X

B

A

X

H

L

H

L

X

B

X

H

L

H

L

X

B

C

X

H

L

H

L

X

B

D

X

H

L

X

笔记

1

2, 3

2, 3, 4

注意：

1.所有字节输出活跃在读周期，无论字节的状态写使能输入。

2.字节写使能输入B

A

, B

B

, B

C

和/或乙

D

可用于与体重的任意组合来编写一个或多个字节。

3.所有字节的I / O保持高阻时所有的写操作，无论字节的状态写使能输入。

冯： 1.04 3/2000

5/23

2000 ，千兆半导体公司

E

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GS820E32AT-180/166/133/4/5

TQFP

商用温度

工业级温度

特点

FT引脚用户可配置的过流或流水线操作

化

双循环取消（ DCD ）的操作

3.3 V +10 ％ / - 5 ％，核心供电

2.5 V或3.3 V的I / O供电

LBO引脚的直线或交错突发模式

在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚

默认为交错流水线模式

字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作

常见的数据输入和数据输出

时钟控制，注册地址，数据和控制

内部自定时写周期

用于便携式应用的自动断电

JEDEC标准的100引脚TQFP封装

无铅100引脚TQFP封装

64K ×32

2MB同步突发SRAM

180兆赫， 133兆赫

3.3 V V

DD

3.3 V和2.5 V的I / O

计数器可以被配置成在计算的线性或

交错为了与线性突发顺序（ LBO ）的输入。该

突发功能不需要使用。新的地址可以被装载

在每一个周期用的芯片性能不劣化。

流经/管道读取

的数据输出寄存器的功能可以通过控制

通过FT模式引脚用户（引脚14的TQFP ）。控股

金融时报MODE引脚为低电平时， RAM的流量直通模式，

使输出数据绕过数据输出寄存器。

控股FT高处的RAM在流水线模式，

激活的上升沿触发的数据输出寄存器。

DCD流水线读

该GS820E32A是DCD （双循环取消）流水线

同步SRAM 。 SCD （单周期取消）版本

也可提供。 DCD的SRAM管道禁用命令到

同样程度的读取命令。 DCD的SRAM举行

取消命令为一个完整周期，然后开始关闭

它们的输出只是后的时钟的第二个上升沿。

字节写和全局写

通过使用字节写使能进行字节写操作

（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写

信号（ Bx的）。此外，全局写（ GW）是供

写的字节写入所有字节在同一时间，不管

控制输入。

睡眠模式

低功耗（休眠模式）通过断言实现

（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK）。

在休眠模式下的内存数据将被保留。

核心和接口电压

在GS820E32A工作在3.3 V电源和所有

输入/输出3.3 V - 2.5 V兼容。另

输出功率（V

DDQ

）引脚用于去耦输出噪声

从内部电路。

功能说明

应用

该GS820E32A是2,097,152位高性能

同步SRAM与一个2位的猝发地址计数器。

虽然类型的最初开发的2级缓存

支持高性能的CPU的应用，所述设备

现在发现应用程序中同步SRAM的应用程序，

从DSP总店联网芯片组的支持。

控制

地址，数据I / O的芯片使（E

1

, E

2

, E

3

），地址爆

控制输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ），写控制输入

（ Bx的，BW ， GW）是同步的，并通过一个控制

正边沿触发的时钟输入端（ CK）。输出使能（ G）

和断电控制（ ZZ ）是异步输入。爆

周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在

连拍模式下，会产生后续的突发地址

在内部，并通过ADV控制。突发地址

冯： 1.07 10/2004

1/21

2000 ， GSI技术

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GS820E32AT-180/166/133/4/5

参数简介

管道

3-1-1-1

溢流

通过

2-1-1-1

TCYCLE

t

KQ

I

DD

TCYCLE

t

KQ

I

DD

-180

5.5纳秒

3.2纳秒

155毫安

9.1纳秒

8纳秒

百毫安

-166

6纳秒

3.5纳秒

140毫安

10纳秒

8.5纳秒

90毫安

-133 (-4)

7.5纳秒

4纳秒

115毫安

12纳秒

10纳秒

80毫安

-5

10纳秒

5纳秒

90毫安

15纳秒

12纳秒

65毫安

冯： 1.07 10/2004

2/21

2000 ， GSI技术

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GS820E32AT-180/166/133/4/5

GS82032A 100引脚TQFP引脚

NC

DQ

C

DQ

C

V

DDQ

V

SS

DQ

C

DQ

C

DQ

C

DQ

C

V

SS

V

DDQ

DQ

C

DQ

C

FT

V

DD

NC

V

SS

DQ

D

DQ

D

V

DDQ

V

SS

DQ

D

DQ

D

DQ

D

DQ

D

V

SS

V

DDQ

DQ

D

DQ

D

NC

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

1

80

2

79

3

78

4

77

5

76

6

75

7

74

8

73

9

72

64K ×32

10

71

顶视图

11

70

12

69

13

68

14

67

15

66

16

65

17

64

18

63

19

62

20

61

21

60

22

59

23

58

24

57

25

56

26

55

27

54

28

53

29

52

30

51

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

A

E

1

E

2

B

D

B

C

B

A

E

3

V

DD

V

SS

CK

GW

BW

G

ADSC

ADSP

ADV

A

NC

DQ

B

DQ

B

V

DDQ

V

SS

DQ

B

DQ

B

DQ

B

DQ

B

V

SS

V

DDQ

DQ

B

DQ

B

V

SS

NC

V

DD

ZZ

DQ

A

DQ

A

V

DDQ

V

SS

DQ

A

DQ

A

DQ

A

DQ

A

V

SS

V

DDQ

DQ

A

DQ

A

NC

冯： 1.07 10/2004

LBO

A

1

A

0

NC

V

SS

V

DD

NC

A

NC

3/21

2000 ， GSI技术

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GS820E32AT-180/166/133/4/5

TQFP引脚说明

符号

A

0

, A

1

A

DQ

A

DQ

B

DQ

C

DQ

D

NC

BW

B

A

, B

B

C

, B

D

CK

GW

E

1

, E

3

E

2

G

ADV

ADSP ， ADSC

ZZ

FT

LBO

V

DD

V

SS

V

DDQ

I

TYPE

I

I / O

描述

地址域的LSB和地址计数器的预置输入

地址输入

数据输入和输出引脚

无连接

字节写，将所有启用的字节;低电平有效

字节写使能为DQ

A

， DQ

B

数据I / O的;低电平有效

字节写使能为DQ

C

， DQ

D

数据I / O的;低电平有效

时钟输入信号;高电平有效

全局写使能，将所有字节;低电平有效

芯片使能;低电平有效

芯片使能;高电平有效

输出使能;低电平有效

突发地址计数器提前实现;低电平有效

地址选通（处理器，高速缓存控制器） ;低电平有效

睡眠模式控制;高电平有效

流过管道或方式;低电平有效

线性突发顺序模式;低电平有效

核心供电

I / O和核心地

输出驱动器电源

冯： 1.07 10/2004

4/21

2000 ， GSI技术

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GS820E32AT-180/166/133/4/5

GS82032A框图

A0

–

An

注册

D

Q

A0

D0

A1

Q0

D1

Q1

计数器

负载

A0

A1

A

LBO

ADV

CK

ADSC

ADSP

GW

BW

B

A

注册

内存

ARRAY

Q

D

Q

D

注册

D

B

Q

32

4

32

注册

D

B

C

Q

注册

D

注册

Q

注册

D

B

D

Q

注册

D

Q

E

1

E

2

E

3

注册

D

Q

注册

D

Q

FT

G

掉电

控制

DQx1

–

DQx8

ZZ

冯： 1.07 10/2004

5/21

2000 ， GSI技术

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