【初步GS82032T/Q-150/138/133/117/100/66TQFP ， QFP商用温度工】,IC型号GS82032T-133,GS82032T-133 PDF资料,GS82032T-133经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

GS82032T/Q-150/138/133/117/100/66

TQFP ， QFP

商用温度

工业级温度

特点

FT引脚用户可配置的过流或管道

手术

单周期取消（ SCD ）的操作

3.3 V +10 ％ / - 5 ％，核心供电

2.5 V或3.3 V的I / O供电

LBO引脚的直线或交错突发模式

在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚

默认为交错管道模式

字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作

常见的数据输入和数据输出

时钟控制，注册地址，数据和控制

内部自定时写周期

用于便携式应用的自动断电

JEDEC标准的100引脚TQFP或QFP封装

-150 -138 -133 -117 -100

管道TCYCLE 6.6 7.25 7.5 8.5

10

3-1-1-1

t

KQ

3.8

4

4.5

5

I

DD

270 245 240 210 180

流TCYCLE 10.5 15

15

至T

KQ

9

9.7

10

11

12

2-1-1-1

I

DD

170 120 120 120 120

-66

12.5

6

150

20

18

95

单位

ns

mA

ns

mA

64K ×32

2M同步突发SRAM

流经/管道读取

150兆赫， 66兆赫

9 NS- 18 NS

3.3 V V

DD

3.3 V和2.5 V的I / O

的数据输出寄存器的功能可以通过控制

通过FT模式引脚/凸点的TQFP ，凹凸的用户（引脚14

1F在FP -BGA ）。抱着FT模式引脚/凹凸低，

放置在RAM中通过流模式，导致输出数据

绕过数据输出寄存器。控股FT高的地方

在管道模式RAM中，在激活的上升沿触发

数据输出寄存器。

SCD流水线读

该GS82032是SCD （单周期取消）流水线

同步SRAM 。 DCD （双循环取消）版本

也可提供。 SCD的SRAM管线取消命令之一

舞台小于读取命令。 SCD的RAM开始关闭

它们的输出后，立即取消命令已

捕获到的输入寄存器。

字节写和全局写

通过使用字节写使能进行字节写操作

（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写

信号（ Bx的）。此外，全局写（ GW）是供

写的字节写入所有字节在同一时间，不管

控制输入。

睡眠模式

低功耗（休眠模式）通过断言实现

（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK）。

在休眠模式下的内存数据将被保留。

功能说明

应用

该GS82032是2,097,152位高性能

同步SRAM与一个2位的猝发地址计数器。

虽然类型的最初开发的2级缓存

支持高性能的CPU的应用，所述设备

现在发现在同步SRAM的应用程序

从DSP总店联网芯片组的支持。

核心和接口电压

在GS82032工作在3.3 V电源和所有输入/

输出为3.3 V - 2.5 V兼容。单独的输出

电源（V

DDQ

）引脚用于脱钩的输出噪声

内部电路。

控制

地址，数据I / O的芯片使（E

1

, E

2

, E

3

），地址爆

控制输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ），写控制输入

（ Bx的，BW ， GW）是同步的，并通过一个控制

正边沿触发的时钟输入端（ CK）。输出使能（ G）

和断电控制（ ZZ ）是异步输入。爆

周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在

连拍模式下，会产生后续的突发地址

在内部，并通过ADV控制。突发地址

计数器可以被配置成在计算的线性或

交错为了与线性突发顺序（ LBO ）的输入。该

突发功能不需要使用。新的地址可以被装载

在每一个周期用的芯片性能不劣化。

冯： 1.04 2/2001

1/23

2000 ，千兆半导体公司

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

ByteSafe是千兆半导体公司（ GSI技术）的商标。

初步

GS82032T/Q-150/138/133/117/100/66

GS82032 100引脚TQFP封装，引脚QFP

NC

DQ

C8

DQ

C7

V

DDQ

V

SS

DQ

C6

DQ

C5

DQ

C4

DQ

C3

V

SS

V

DDQ

DQ

C2

DQ

C1

FT

V

DD

NC

V

SS

DQ

D1

DQ

D2

V

DDQ

V

SS

DQ

D3

DQ

D4

DQ

D5

DQ

D6

V

SS

V

DDQ

DQ

D7

DQ

D8

NC

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

1

80

2

79

3

78

4

77

5

76

6

75

7

74

8

73

9

72

64K ×32

10

71

顶视图

11

70

12

69

13

68

14

67

15

66

16

65

17

64

18

63

19

62

20

61

21

60

22

59

23

58

24

57

25

56

26

55

27

54

28

53

29

52

30

51

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

A

6

A

7

E

1

E

2

B

D

B

C

B

A

E

3

V

DD

V

SS

CK

GW

BW

G

ADSC

ADSP

ADV

A

8

A

9

NC

DQ

B8

DQ

B7

V

DDQ

V

SS

DQ

B6

DQ

B5

DQ

B4

DQ

B3

V

SS

V

DDQ

DQ

B2

DQ

B1

V

SS

NC

V

DD

ZZ

DQ

A1

DQ

A2

V

DDQ

V

SS

DQ

A3

DQ

A4

DQ

A5

DQ

A6

V

SS

V

DDQ

DQ

A7

DQ

A8

NC

冯： 1.04 2/2001

LBO

A

5

A

4

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

A

3

A

2

A

1

A

0

NC

V

SS

V

DD

NC

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

NC

2/23

2000 ，千兆半导体公司

初步

GS82032T/Q-150/138/133/117/100/66

TQFP引脚说明

引脚位置

37, 36

35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81, 44, 45,

46, 47, 48, 49

52, 53, 56, 57, 58, 59, 62, 63

68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79

2, 3, 6, 7, 8, 9, 12, 13

18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29

16, 38, 39, 42, 43, 66, 50, 51, 80, 1, 30

87

93, 94

95, 96

89

88

98, 92

97

86

83

84, 85

64

14

31

15, 41, 65, 91

5,10,17, 21, 26, 40, 55, 60, 67, 71, 76, 90

4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77

符号

A

0

, A

1

A

2

–A

15

DQ

A1

-DQ

A8

DQ

B1

-DQ

B8

DQ

C1

-DQ

C8

DQ

D1

-DQ

D8

NC

BW

B

A

, B

B

C

, B

D

CK

GW

E

1

, E

3

E

2

G

ADV

ADSP ， ADSC

ZZ

FT

LBO

V

DD

V

SS

V

DDQ

TYPE

I

描述

地址域的LSB和地址计数器的预置输入

地址输入

I / O

数据输入和输出引脚

无连接

I

字节写，将所有启用的字节;低电平有效

字节写使能为DQ

A

， DQ

B

数据I / O的;低电平有效

字节写使能为DQ

C

， DQ

D

数据I / O的;低电平有效

时钟输入信号;高电平有效

全局写使能，将所有字节;低电平有效

芯片使能;低电平有效

芯片使能;高电平有效

输出使能;低电平有效

突发地址计数器提前实现;低电平有效

地址选通（处理器，高速缓存控制器） ;低电平有效

睡眠模式控制;高电平有效

流过管道或方式;低电平有效

线性突发顺序模式;低电平有效

核心供电

I / O和核心地

输出驱动器电源

冯： 1.04 2/2001

3/23

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GS82032T/Q-150/138/133/117/100/66

GS82032框图

注册

A0–An

D

Q

A0

D0

A1

D1

Q1

计数器

负载

A

Q0

A0

A1

LBO

ADV

CK

ADSC

ADSP

GW

BW

B

A

注册

内存

ARRAY

Q

D

Q

D

注册

D

B

Q

32

4

32

注册

D

B

C

Q

注册

D

注册

Q

注册

D

B

D

Q

注册

D

Q

注册

E

1

E

2

E

3

D

Q

注册

D

Q

FT

G

掉电

控制

1

ZZ

DQx1–DQx8

冯： 1.04 2/2001

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GS82032T/Q-150/138/133/117/100/66

模式引脚功能

模式名称

突发订单控制

输出寄存器控制

掉电控制

针

名字

LBO

FT

ZZ

状态

L

H或NC

L

H或NC

L或NC

H

功能

线性突发

交错突发

流经

管道

活跃

待机情况下，我

DD

= I

SB

注意：

有上的LBO和FT销和在ZZ针下拉器件上拉器件，所以这些输入引脚可以是

未连接的芯片如在上述的表中指定的默认状态将操作。

突发计数器序列

线性突发序列

I

nterleaved突发序列

A[1:0] A[1:0] A[1:0] A[1:0]

第一个地址

第二个地址

3地址

第四地址

00

01

10

11

01

00

11

10

11

00

01

11

10

01

00

01

10

11

00

10

11

00

01

11

00

01

10

A[1:0] A[1:0] A[1:0] A[1:0]

第一个地址

第二个地址

3地址

第四地址

00

01

10

11

注：突发柜台换到初始五号时钟状态。

字节写真值表

功能

读

写字节

A

写字节

B

写字节

C

写字节

D

写的所有字节

GW

H

L

BW

H

L

X

B

A

X

H

L

H

L

X

B

X

H

L

H

L

X

B

C

X

H

L

H

L

X

B

D

X

H

L

X

笔记

1

2, 3

2, 3, 4

注意事项：

1.所有字节输出活跃在读周期，无论字节的状态写使能输入。

2.字节写使能输入B

A

, B

B

, B

C

和/或乙

D

可用于与体重的任意组合来编写一个或多个字节。

3.所有字节的I / O保持高阻时所有的写操作，无论字节的状态写使能输入。

冯： 1.04 2/2001

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GS82032T/Q-150/138/133/117/100/66

TQFP ， QFP

商用温度

工业级温度

特点

FT引脚用户可配置的过流或管道

手术

单周期取消（ SCD ）的操作

3.3 V +10 ％ / - 5 ％，核心供电

2.5 V或3.3 V的I / O供电

LBO引脚的直线或交错突发模式

在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚

默认为交错管道模式

字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作

常见的数据输入和数据输出

时钟控制，注册地址，数据和控制

内部自定时写周期

用于便携式应用的自动断电

JEDEC标准的100引脚TQFP或QFP封装

-150 -138 -133 -117 -100

管道TCYCLE 6.6 7.25 7.5 8.5

10

3-1-1-1

t

KQ

3.8

4

4.5

5

I

DD

270 245 240 210 180

流TCYCLE 10.5 15

15

至T

KQ

9

9.7

10

11

12

2-1-1-1

I

DD

170 120 120 120 120

-66

12.5

6

150

20

18

95

单位

ns

mA

ns

mA

64K ×32

2M同步突发SRAM

流经/管道读取

150兆赫， 66兆赫

9 NS- 18 NS

3.3 V V

DD

3.3 V和2.5 V的I / O

的数据输出寄存器的功能可以通过控制

通过FT模式引脚/凸点的TQFP ，凹凸的用户（引脚14

1F在FP -BGA ）。抱着FT模式引脚/凹凸低，

放置在RAM中通过流模式，导致输出数据

绕过数据输出寄存器。控股FT高的地方

在管道模式RAM中，在激活的上升沿触发

数据输出寄存器。

SCD流水线读

该GS82032是SCD （单周期取消）流水线

同步SRAM 。 DCD （双循环取消）版本

也可提供。 SCD的SRAM管线取消命令之一

舞台小于读取命令。 SCD的RAM开始关闭

它们的输出后，立即取消命令已

捕获到的输入寄存器。

字节写和全局写

通过使用字节写使能进行字节写操作

（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写

信号（ Bx的）。此外，全局写（ GW）是供

写的字节写入所有字节在同一时间，不管

控制输入。

睡眠模式

低功耗（休眠模式）通过断言实现

（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK）。

在休眠模式下的内存数据将被保留。

功能说明

应用

该GS82032是2,097,152位高性能

同步SRAM与一个2位的猝发地址计数器。

虽然类型的最初开发的2级缓存

支持高性能的CPU的应用，所述设备

现在发现在同步SRAM的应用程序

从DSP总店联网芯片组的支持。

核心和接口电压

在GS82032工作在3.3 V电源和所有输入/

输出为3.3 V - 2.5 V兼容。单独的输出

电源（V

DDQ

）引脚用于脱钩的输出噪声

内部电路。

控制

地址，数据I / O的芯片使（E

1

, E

2

, E

3

），地址爆

控制输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ），写控制输入

（ Bx的，BW ， GW）是同步的，并通过一个控制

正边沿触发的时钟输入端（ CK）。输出使能（ G）

和断电控制（ ZZ ）是异步输入。爆

周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在

连拍模式下，会产生后续的突发地址

在内部，并通过ADV控制。突发地址

计数器可以被配置成在计算的线性或

交错为了与线性突发顺序（ LBO ）的输入。该

突发功能不需要使用。新的地址可以被装载

在每一个周期用的芯片性能不劣化。

冯： 1.04 2/2001

1/23

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初步

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GS82032 100引脚TQFP封装，引脚QFP

NC

DQ

C8

DQ

C7

V

DDQ

V

SS

DQ

C6

DQ

C5

DQ

C4

DQ

C3

V

SS

V

DDQ

DQ

C2

DQ

C1

FT

V

DD

NC

V

SS

DQ

D1

DQ

D2

V

DDQ

V

SS

DQ

D3

DQ

D4

DQ

D5

DQ

D6

V

SS

V

DDQ

DQ

D7

DQ

D8

NC

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

1

80

2

79

3

78

4

77

5

76

6

75

7

74

8

73

9

72

64K ×32

10

71

顶视图

11

70

12

69

13

68

14

67

15

66

16

65

17

64

18

63

19

62

20

61

21

60

22

59

23

58

24

57

25

56

26

55

27

54

28

53

29

52

30

51

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

A

6

A

7

E

1

E

2

B

D

B

C

B

A

E

3

V

DD

V

SS

CK

GW

BW

G

ADSC

ADSP

ADV

A

8

A

9

NC

DQ

B8

DQ

B7

V

DDQ

V

SS

DQ

B6

DQ

B5

DQ

B4

DQ

B3

V

SS

V

DDQ

DQ

B2

DQ

B1

V

SS

NC

V

DD

ZZ

DQ

A1

DQ

A2

V

DDQ

V

SS

DQ

A3

DQ

A4

DQ

A5

DQ

A6

V

SS

V

DDQ

DQ

A7

DQ

A8

NC

冯： 1.04 2/2001

LBO

A

5

A

4

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

A

3

A

2

A

1

A

0

NC

V

SS

V

DD

NC

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

NC

2/23

2000 ，千兆半导体公司

初步

GS82032T/Q-150/138/133/117/100/66

TQFP引脚说明

引脚位置

37, 36

35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81, 44, 45,

46, 47, 48, 49

52, 53, 56, 57, 58, 59, 62, 63

68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79

2, 3, 6, 7, 8, 9, 12, 13

18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29

16, 38, 39, 42, 43, 66, 50, 51, 80, 1, 30

87

93, 94

95, 96

89

88

98, 92

97

86

83

84, 85

64

14

31

15, 41, 65, 91

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4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77

符号

A

0

, A

1

A

2

–A

15

DQ

A1

-DQ

A8

DQ

B1

-DQ

B8

DQ

C1

-DQ

C8

DQ

D1

-DQ

D8

NC

BW

B

A

, B

B

C

, B

D

CK

GW

E

1

, E

3

E

2

G

ADV

ADSP ， ADSC

ZZ

FT

LBO

V

DD

V

SS

V

DDQ

TYPE

I

描述

地址域的LSB和地址计数器的预置输入

地址输入

I / O

数据输入和输出引脚

无连接

I

字节写，将所有启用的字节;低电平有效

字节写使能为DQ

A

， DQ

B

数据I / O的;低电平有效

字节写使能为DQ

C

， DQ

D

数据I / O的;低电平有效

时钟输入信号;高电平有效

全局写使能，将所有字节;低电平有效

芯片使能;低电平有效

芯片使能;高电平有效

输出使能;低电平有效

突发地址计数器提前实现;低电平有效

地址选通（处理器，高速缓存控制器） ;低电平有效

睡眠模式控制;高电平有效

流过管道或方式;低电平有效

线性突发顺序模式;低电平有效

核心供电

I / O和核心地

输出驱动器电源

冯： 1.04 2/2001

3/23

2000 ，千兆半导体公司

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

初步

GS82032T/Q-150/138/133/117/100/66

GS82032框图

注册

A0–An

D

Q

A0

D0

A1

D1

Q1

计数器

负载

A

Q0

A0

A1

LBO

ADV

CK

ADSC

ADSP

GW

BW

B

A

注册

内存

ARRAY

Q

D

Q

D

注册

D

B

Q

32

4

32

注册

D

B

C

Q

注册

D

注册

Q

注册

D

B

D

Q

注册

D

Q

注册

E

1

E

2

E

3

D

Q

注册

D

Q

FT

G

掉电

控制

1

ZZ

DQx1–DQx8

冯： 1.04 2/2001

4/23

2000 ，千兆半导体公司

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初步

GS82032T/Q-150/138/133/117/100/66

模式引脚功能

模式名称

突发订单控制

输出寄存器控制

掉电控制

针

名字

LBO

FT

ZZ

状态

L

H或NC

L

H或NC

L或NC

H

功能

线性突发

交错突发

流经

管道

活跃

待机情况下，我

DD

= I

SB

注意：

有上的LBO和FT销和在ZZ针下拉器件上拉器件，所以这些输入引脚可以是

未连接的芯片如在上述的表中指定的默认状态将操作。

突发计数器序列

线性突发序列

I

nterleaved突发序列

A[1:0] A[1:0] A[1:0] A[1:0]

第一个地址

第二个地址

3地址

第四地址

00

01

10

11

01

00

11

10

11

00

01

11

10

01

00

01

10

11

00

10

11

00

01

11

00

01

10

A[1:0] A[1:0] A[1:0] A[1:0]

第一个地址

第二个地址

3地址

第四地址

00

01

10

11

注：突发柜台换到初始五号时钟状态。

字节写真值表

功能

读

写字节

A

写字节

B

写字节

C

写字节

D

写的所有字节

GW

H

L

BW

H

L

X

B

A

X

H

L

H

L

X

B

X

H

L

H

L

X

B

C

X

H

L

H

L

X

B

D

X

H

L

X

笔记

1

2, 3

2, 3, 4

注意事项：

1.所有字节输出活跃在读周期，无论字节的状态写使能输入。

2.字节写使能输入B

A

, B

B

, B

C

和/或乙

D

可用于与体重的任意组合来编写一个或多个字节。

3.所有字节的I / O保持高阻时所有的写操作，无论字节的状态写使能输入。

冯： 1.04 2/2001

5/23

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