GS8162Z18/36B(B/D)
119- & 165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
NBT (无总线转左右)功能,允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM , NOBL 和
ZBT SRAM的
2.5 V或3.3 V +10 % / - 10 %,核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
用户可配置的管道和流通过模式
ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
片上写入奇偶校验;偶数或奇数可选择
片奇偶校验编码和错误检测
LBO引脚的直线或交错突发模式
用2M , 4M , 8M和设备的引脚兼容
字节写操作( 9位字节)
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准的119焊球和165焊球BGA封装
符合RoHS标准的119焊球和165焊球BGA封装
可用的
18MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
250兆赫, 150兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
因为它是一种同步装置,地址,数据输入,并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制( LBO)必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能( ZZ )和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭,在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS8162Z18 / 36B (B / D)可以由用户进行配置
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置中,除了在起立边沿
触发寄存器捕获输入信号,该装置
包括一个上升沿触发输出寄存器。对于读
周期,流水线SRAM的输出数据由暂时存储
在访问周期内边沿触发的输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS8162Z18 / 36B (B / D)与GSI的实现高
高性能的CMOS技术,是在一个JEDEC-可用
标准的119焊球或165焊球BGA封装。
功能说明
该GS8162Z18 / 36B (B / D)是18Mbit的同步静态
SRAM 。 GSI的NBT SRAM的,像ZBT , NtRAM , NOBL或
其他流水线读/双晚写或流经读/
单后期写的SRAM ,允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
参数简介
-250
管道
3-1-1-1
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x36)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x36)
2.5
4.0
295
345
5.5
5.5
225
255
-200
3.0
5.0
245
285
6.5
6.5
200
220
-150
3.8
6.7
200
225
7.5
7.5
185
205
单位
ns
ns
mA
mA
ns
ns
mA
mA
流经
2-1-1-1
冯: 1.04A 2/2006
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2004年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS8162Z18/36B(B/D)
165焊球BGA - X18黎民I / O -顶视图( D组)
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FT
DQB
DQB
DQB
DQB
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2
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A
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DQB
DQB
DQB
DQB
MCH
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NC
NC
NC
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NC
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3
E1
E2
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V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
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NC
V
DDQ
V
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V
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A
A
4
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V
SS
A
A
5
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8
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A
A
10
A
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NC
NC
NC
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DQA
DQA
DQA
DQA
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A
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11
A
NC
DQPa
DQA
DQA
DQA
DQA
ZZ
NC
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11 ×15焊球BGA - 13毫米×15毫米机身, 1.0毫米凸块间距
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GS8162Z18/36B(B/D)
165焊球BGA - X36通用I / O -顶视图( D组)
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DQC
DQC
DQC
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A
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V
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4
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V
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A
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5
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6
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V
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A
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10
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DQB
DQB
DQB
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DQA
DQA
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A
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DQB
DQB
DQB
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DQA
DQA
DQA
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DQPa
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11 ×15焊球BGA - 13毫米×15毫米机身, 1.0毫米凸块间距
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GS8162Z18/36B(B/D)
GS8162Z36B垫出119焊球BGA -顶视图( B包)
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GS8162Z18/36B(B/D)
GS8162Z18B垫出119焊球BGA -顶视图( B包)
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