GS809C和GS810C
微处理器复位监视器
UCT
ROD
wP
Ne
引脚配置
SOT- 23 （顶视图）
GND
1
3
RESET
产量
2
V
cc
描述
在GS809C和810C的系统监控
电路用来监视V
CC
在数字系统中
并提供一复位信号至所述主机处理器
必要的时候。无需外部元件
所需。
当处理器电源电压下降
复位门限以下时，复位输出驱动
活跃，在不到为40μs （T
D1
） 。复位就会维持
tained活性为一个时间周期（T
D2
） ，在V后
cc
上升到高于阈值电压。
为防止抖动，复位阈值电压的
第V的0.4 ％内置迟滞
TH
.
该GS809C有一个低电平有效复位输出，而
该GS810C具有高电平有效复位输出。两
器件具有推/拉输出驱动器。
复位信号有效保证，下至
V
cc
= 1.0V.
3μA的低电源电流使这些器件
非常适合电池供电的应用。他们
被设计成拒绝来自致使快速瞬变
假复位。
两款器件均采用节省空间的可
SOT- 23封装。
图。 1 - 典型应用图
V
CC
V
CC
GS809C
RESET
V
CC
处理器
RESET
输入
GND
GND
应用
计算机
电池供电设备
关键uProcessor和uController电源
监测
特点
严格的复位电压容差± 1.5 ％
4复位活跃超时周期选项
低静态电流： < 3μA
9 从2.1V至4.63V复位阈值选项
复位输出保证降至1.0V
无需外部元件
V
cc
瞬态抗扰度
宽温度范围-40 ° C至+ 85°C
1 6
10/22/01
GS809C和GS810C
微处理器复位监视器
订购信息
复位低有效
GS809CxxEUx
GS810CxxEUx
复位高有效
复位超时
期
默认值： 210mS
E： 150毫秒
D： 30毫秒
答：为1.5ms
复位电压
选项
L
M
J
T
S
27
R
24
21
V
th
= 4.63V
V
th
= 4.38V
V
th
= 4.0V
V
th
= 3.08V
V
th
= 2.93V
V
th
= 2.7V
V
th
= 2.63V
V
th
= 2.4V
V
th
= 2.1V
请联系您当地的通用半导体销售办事处的其他阈值电压选项的可用性。
标识信息
X XX XX
日期代码
年 - 周
阈值电压
26 ： 2.63V 38 ： 3.8V 46 ： 4.63V等等
人无信
A:
D:
E:
G:
GS809C,
1.5mS
GS809C ， 30.0mS
GS809C ， 150.0mS
GS809C ， 210.0mS
L:
Q:
R:
S:
GS810C,
1.5mS
GS810C ， 30.0mS
GS810C ， 150.0mS
GS810C ， 210.0mS
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GS809C和GS810C
微处理器复位监视器
绝对最大额定值
(1)
参数
电源电压
RESET / RESET
输入电流，V
cc
输出电流，重置/重设
的dV / dt （V
cc
)
工作温度范围
存储温度范围
功率耗散（T
A
≤
70°C)
SOT- 23 （除鼠4mW的/°C， 70°C以上）
T
A
T
英镑
P
D
符号
V
cc
价值
6.0
-0.3 （V
cc
+ 0.3)
20
20
100
-40至+85
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mA
V / μs的
°C
°C
mW
注意：
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
电气特性
参数
V
cc
范围
T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
V
范围
测试条件
民
1
典型值
–
–
–
–
V
THNOM
V
THNOM
0.4
最大
5.5
5.5
3.0
5.0
V
THNOM
+1.5%
V
THNOM
+2.0%
单位
V
A
T
A
= -40+ 85°C
电源电流
I
CC
VCC = 3.0V
VCC = 3.0V ，T
A
= -40+ 85°C
复位门限
阈值迟滞
复位门限
温度COEF网络cient
RESET输出电压低
809C/810C
809C V
cc
＆ LT ; V
TH分钟
810C V
cc
＆ GT ; V
TH最大
T
A
= -40+ 85°C
I
SINK
= 1.2毫安
809C V
cc
＆ GT ; V
TH最大
810C V
cc
＆ LT ; V
TH分钟
T
A
= -40+ 85°C
I
来源
- 0.5毫安
V
CC
= V
TH
= 100mV的
T
A
= -40+ 85°C
T
A
= -40+ 85°C
V
TH
T
A
= -40+ 85°C
V
TH HIST
1
–
–
V
THNOM
–1.5%
V
THNOM
–2.0%
V
%V
TH
–
30
–
PPM /°C的
V
OL
–
–
0.5
V
RESET输出电压高
809C/810C
V
OH
0.8V
CC
–
–
V
V
CC
到复位延迟
复位超时周期
T
D1
T
D2
–
T
D2NOM
–35%
40
T
D2NOM
–
T
D2NOM
+35%
S
mS
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