GS78116B
BGA
商用温度
工业级温度
特点
快速存取时间： 10 ， 12 ， 15纳秒
CMOS低功耗运行： 300/250/220/180毫安
最小周期时间
单3.3 V± 0.3 V电源供电
所有输入和输出为TTL兼容
全静态工作
工业温度选项： -40°至85°C
14毫米×22毫米， 119焊球，1.27 mm间距球栅阵列
包
512K ×16
8MB异步SRAM
引脚说明
符号
A
0
到A
18
DQ
1
到DQ
16
CE
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
10 ，12，15纳秒
3.3 V V
DD
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
地
无连接
描述
该GS78116是一个高速CMOS静态RAM组织为
524,288字×16位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS78116运行在一个
采用3.3 V单电源和所有输入和输出都与TTL
兼容。该GS78116提供14毫米× 22毫米
BGA封装。
框图
A
0
地址
输入
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
A
18
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
控制
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
16
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1999 ，千兆半导体公司
GS78116B
512K ×16异步SRAM的119焊球，有14毫米× 22毫米
顶视图
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
NC
NC ，
V
SS
NC
NC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
DD
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
NC
NC
NC
NC
2
A
15
A
11
NC
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
SS
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
NC
A
7
A
3
3
A
14
A
10
V
DD
,
NC
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
NC
A
6
A
2
4
A
16
CE
A
17
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
18
WE
OE
5
A
13
A
9
V
SS
,
NC
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
NC
A
5
A
1
6
A
12
A
8
NC
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
SS
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
NC
A
4
A
0
7
NC
NC
NC
NC
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
DD
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
NC
NC ，
V
SS
NC
注意：凸起1B ， 7T ，3C和5C实际上是数控的，但应当是有线3C = V
DD
和图1B所示， 7T和5C = V
SS
以确保兼容性
未来的版本。
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GS78116B
真值表
CE
H
L
L
L
注：X：为“H”或“L”的
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
DQ
1
到DQ
8
未选择
读
写
高Z
V
DD
当前
ISB1 ， ISB2
I
DD
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
-0.5到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
1.5
-55到150
单位
V
V
V
W
o
C
注意：
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于推荐
工作条件。暴露于高比长时间推荐的电压可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压为-10/12/15
输入高电压
输入低电压
环境温度下，
商用系列
环境温度下，
工业温度范围
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
Ai
民
3.0
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
—
—
—
—
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
注意事项：
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
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GS78116B
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
TEST
条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
10
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试在T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 ％测试。
DC I / O引脚特性
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
OL
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z，
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
= -4毫安
I
OL
= 4毫安
民
-2微安
-1微安
2.4
最大
2微安
1微安
0.4 V
电源电流
参数
符号
测试条件
E
≤
V
IL
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
E
≥
V
IH
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤V
IL
分钟。周期
E
≥
V
DD
– 0.2V
所有其它输入
≥
V
DD
- 0.2 V或
≤
0.2 V
0至70℃
10纳秒
12纳秒
15纳秒
10纳秒
-40到85°C
12纳秒
15纳秒
操作
供应
当前
I
DD
225毫安
220毫安
180毫安
270毫安
240毫安
200毫安
待机
当前
I
SB1
130毫安
120毫安
110毫安
150毫安
140毫安
130毫安
待机
当前
I
SB2
60毫安
80毫安
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1999 ，千兆半导体公司
GS78116B
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589
434
注意事项：
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
.
AC特性
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间（ CE ）
输出使能到输出有效（ OE ）
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出（ CE ）
输出使能在低Z输出（ OE ）
芯片禁用高Z输出（ CE ）
输出禁止在高Z输出（ OE ）
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OE
t
OH
t
LZ *
t
OLZ *
t
HZ *
t
OHZ *
-10
民
10
—
—
—
3
3
0
—
—
-12
民
12
—
—
—
3
3
0
—
—
-15
民
15
—
—
—
3
3
0
—
—
最大
—
10
10
4
—
—
—
5
4
最大
—
12
12
5
—
—
—
6
5
最大
—
15
15
6
—
—
—
7
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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GS78116B
BGA
商用温度
工业级温度
特点
快速存取时间： 10 ， 12 ， 15纳秒
CMOS低功耗运行： 300/250/220/180毫安
最小周期时间
单3.3 V± 0.3 V电源供电
所有输入和输出为TTL兼容
全静态工作
工业温度选项： -40°至85°C
14毫米×22毫米， 119焊球，1.27 mm间距球栅阵列
包
512K ×16
8MB异步SRAM
引脚说明
符号
A
0
到A
18
DQ
1
到DQ
16
CE
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
10 ，12，15纳秒
3.3 V V
DD
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
地
无连接
描述
该GS78116是一个高速CMOS静态RAM组织为
524,288字×16位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS78116运行在一个
采用3.3 V单电源和所有输入和输出都与TTL
兼容。该GS78116提供14毫米× 22毫米
BGA封装。
框图
A
0
地址
输入
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
A
18
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
控制
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
16
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512K ×16异步SRAM的119焊球，有14毫米× 22毫米
顶视图
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
NC
NC ，
V
SS
NC
NC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
DD
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
NC
NC
NC
NC
2
A
15
A
11
NC
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
SS
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
NC
A
7
A
3
3
A
14
A
10
V
DD
,
NC
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
NC
A
6
A
2
4
A
16
CE
A
17
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
18
WE
OE
5
A
13
A
9
V
SS
,
NC
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
NC
A
5
A
1
6
A
12
A
8
NC
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
SS
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
NC
A
4
A
0
7
NC
NC
NC
NC
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
DD
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
NC
NC ，
V
SS
NC
注意：凸起1B ， 7T ，3C和5C实际上是数控的，但应当是有线3C = V
DD
和图1B所示， 7T和5C = V
SS
以确保兼容性
未来的版本。
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真值表
CE
H
L
L
L
注：X：为“H”或“L”的
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
DQ
1
到DQ
8
未选择
读
写
高Z
V
DD
当前
ISB1 ， ISB2
I
DD
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
-0.5到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
1.5
-55到150
单位
V
V
V
W
o
C
注意：
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于推荐
工作条件。暴露于高比长时间推荐的电压可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压为-10/12/15
输入高电压
输入低电压
环境温度下，
商用系列
环境温度下，
工业温度范围
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
Ai
民
3.0
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
—
—
—
—
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
注意事项：
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
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GS78116B
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
TEST
条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
10
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试在T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 ％测试。
DC I / O引脚特性
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
OL
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z，
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
= -4毫安
I
OL
= 4毫安
民
-2微安
-1微安
2.4
最大
2微安
1微安
0.4 V
电源电流
参数
符号
测试条件
E
≤
V
IL
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
E
≥
V
IH
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤V
IL
分钟。周期
E
≥
V
DD
– 0.2V
所有其它输入
≥
V
DD
- 0.2 V或
≤
0.2 V
0至70℃
10纳秒
12纳秒
15纳秒
10纳秒
-40到85°C
12纳秒
15纳秒
操作
供应
当前
I
DD
225毫安
220毫安
180毫安
270毫安
240毫安
200毫安
待机
当前
I
SB1
130毫安
120毫安
110毫安
150毫安
140毫安
130毫安
待机
当前
I
SB2
60毫安
80毫安
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GS78116B
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589
434
注意事项：
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
.
AC特性
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间（ CE ）
输出使能到输出有效（ OE ）
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出（ CE ）
输出使能在低Z输出（ OE ）
芯片禁用高Z输出（ CE ）
输出禁止在高Z输出（ OE ）
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OE
t
OH
t
LZ *
t
OLZ *
t
HZ *
t
OHZ *
-10
民
10
—
—
—
3
3
0
—
—
-12
民
12
—
—
—
3
3
0
—
—
-15
民
15
—
—
—
3
3
0
—
—
最大
—
10
10
4
—
—
—
5
4
最大
—
12
12
5
—
—
—
6
5
最大
—
15
15
6
—
—
—
7
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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