GS73024AB
ns
3.3 V V
DD
V
DD
和V
SS
商用温度
工业级温度
特点
异步SRAM
119焊球球栅阵列封装
快速存取时间： 8 ， 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行： 250/200/170毫安最低
周期
单3.3 V± 0.3V电源
所有输入和输出为TTL兼容
全静态工作
工业温度选项： -40 85°C
包
B： 14毫米×22毫米， 119焊球， 1.27mm间距的BGA
描述
该GS73024A是有组织的高速CMOS静态RAM
如131,072字由24位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。运行于单
3.3 V电源供电，所有输入和输出
TTL兼容。该GS73024A可在119凸点
BGA封装。
框图
A
0
地址
输入
A
16
CE
ROW
解码器
存储阵列
COLUMN
解码器
控制
WE
OE
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
24
引脚说明
符号
A
0
到A
16
WE
CE
V
DD
描述
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
+3.3 V电源
符号
DQ
1
到DQ
24
OE
V
SS
描述
数据输入/输出
输出使能输入
地
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GS73024AB
119焊球，1.27 mm间距BGA焊盘出俯视图（ B包）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
NC
NC
DQ
13
DQ
14
DQ
15
DQ
16
DQ
17
DQ
18
V
DD
DQ
19
DQ
20
DQ
21
DQ
22
DQ
23
DQ
24
NC
NC
2
A
3
A
7
NC
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
SS
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
NC
A
11
A
15
3
A
2
A
6
NC
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
NC
A
10
A
14
4
A
16
CE
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
WE
OE
5
A
1
A
5
NC
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
NC
A
9
A
13
6
A
0
A
4
NC
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
SS
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
NC
A
8
A
12
7
NC
NC
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
DQ
7
V
DD
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
DQ
2
DQ
1
NC
NC
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GS73024AB
真值表
CE
H
L
L
L
×： “H”或“L”的
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
模式
未选择
读
写
输出禁用
DQ0到DQ23
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
I
DD
V
DD
当前
ISB1 ， ISB2
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许BGA的功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
-0.5到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
1.5
-55到150
单位
V
V
V
W
o
C
注意：
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于推荐
工作条件。暴露于高比长时间推荐的电压可能会影响器件的可靠性。
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推荐工作条件
参数
电源电压为-10/12
电源电压为-8
输入高电压
输入低电压
环境温度下，
商用系列
环境温度下，
工业温度范围
符号
V
DD
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
Ai
民
3.0
3.135
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
3.3
—
—
—
—
最大
3.6
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
o
C
C
o
注意事项：
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
电容
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试在T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 ％测试。
DC I / O引脚特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
OL
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z，
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
= -4毫安
I
OL
= 4毫安
民
-1微安
-1微安
2.4
—
最大
1微安
1微安
—
0.4 V
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AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
T = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589
434
注意事项：
1.包括范围和夹具电容
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
电源电流
参数
符号
测试条件
CE
≤
V
IL
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
CE
≥
V
IH
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤V
IL
分钟。周期
CE
≥
V
DD
- 0.2V
所有其它输入
≥
V
DD
- 0.2V或
≤
0.2V
0至70℃
8纳秒
10纳秒
12纳秒
8纳秒
-40到85°C
10纳秒
12纳秒
操作
供应
当前
I
DD
250毫安
200毫安
170毫安
260毫安
210毫安
180毫安
待机
当前
I
SB1
40毫安
40毫安
30毫安
50毫安
50毫安
40毫安
待机
当前
I
SB2
10毫安
20毫安
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