GS72108TP/J
SOJ ， TSOP
商用温度
工业级温度
特点
快速存取时间： 8 ， 10 ， 12 ， 15纳秒
CMOS低功耗运行： 150/125/110/90毫安
最小循环时间。
单3.3 V± 0.3 V电源供电
所有输入和输出为TTL兼容
全静态工作
工业温度选项： -40°至85°C
封装阵容
记者： 400万， 36引脚封装SOJ
目标价： 400万， 44引脚TSOP II型封装
256K ×8
2MB异步SRAM
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
V
DD
V
SS
DQ
3
DQ
4
WE
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
8，10， 12，15纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A
5
A
6
A
7
A
8
OE
DQ
8
DQ
7
V
SS
V
DD
DQ
6
DQ
5
A
9
A
10
A
11
A
12
NC
NC
SOJ 256K ×8引脚配置
36-pin
400万SOJ
描述
该GS72108是一个高速CMOS静态RAM组织为
262,144字由8位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS运行在一个单
3.3 V电源和所有输入和输出为TTL -的COM
兼容。该GS72108是400万SOJ和400万可用
TSOP II型封装。
引脚说明
符号
A
0
–A
17
DQ
1
-DQ
8
CE
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
地
无连接
冯： 1.08 7/2002
1/12
1999 ，千兆半导体公司
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GS72108TP/J
TSOP -II 256K ×8引脚配置
NC
NC
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
V
DD
V
SS
DQ
3
DQ
4
WE
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A
5
A
6
A
7
A
8
OE
DQ
8
DQ
7
V
SS
V
DD
DQ
6
DQ
5
A
9
A
10
A
11
A
12
NC
NC
NC
NC
44-pin
400万TSOP II
框图
A
0
地址
输入
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
A
17
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
控制
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
8
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规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS72108TP/J
真值表
CE
H
L
L
L
注：X：为“H”或“L”的
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
DQ
1
到DQ
8
未选择
读
写
高Z
V
DD
当前
ISB
1
， ISB
2
I
DD
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
–0.5
到4.6
–0.5
到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
–0.5
到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
0.7
–55
150
单位
V
V
V
W
o
C
注意：
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于市盈率
ommended工作条件。暴露于高于推荐电压的时间会影响器件长时间
可靠性。
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推荐工作条件
参数
电源电压为-10/12/15
电源电压为-8
输入高电压
输入低电压
环境温度下，
商用系列
环境温度下，
工业温度范围
符号
V
DD
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
A
I
民
3.0
3.135
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
3.3
—
—
—
—
最大
3.6
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
o
C
o
C
注意：
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试在T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 ％测试。
DC I / O引脚特性
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
LO
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
= -4mA
I
LO
= + 4毫安
民
–
1微安
–1
uA
2.4
—
最大
1微安
1微安
—
0.4 V
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GS72108TP/J
电源电流
参数
符号
测试条件
CE
≤
V
IL
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
CE
≥
V
IH
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤V
IL
分钟。周期
CE
≥
V
DD
- 0.2 V
所有其它输入
≥
V
DD
–
0.2 V或
≤
0.2 V
0至70℃
8纳秒
10纳秒
12纳秒
15纳秒
10纳秒
–40
至85℃
12纳秒
15纳秒
操作
供应
当前
I
DD
（最大）
150毫安
125毫安
110毫安
90毫安
135毫安
120毫安
百毫安
待机
当前
I
SB1
（最大）
55毫安
50毫安
45毫安
40毫安
60毫安
55毫安
50毫安
待机
当前
I
SB2
（最大）
15毫安
25毫安
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589
434
注意：
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明。
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
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GS72108TP/J
SOJ ， TSOP
商用温度
工业级温度
特点
快速存取时间： 8 ， 10 ， 12 ， 15纳秒
CMOS低功耗运行： 150/125/110/90毫安
最小循环时间。
单3.3 V± 0.3 V电源供电
所有输入和输出为TTL兼容
全静态工作
工业温度选项： -40°至85°C
封装阵容
记者： 400万， 36引脚封装SOJ
目标价： 400万， 44引脚TSOP II型封装
256K ×8
2MB异步SRAM
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
V
DD
V
SS
DQ
3
DQ
4
WE
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
8，10， 12，15纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A
5
A
6
A
7
A
8
OE
DQ
8
DQ
7
V
SS
V
DD
DQ
6
DQ
5
A
9
A
10
A
11
A
12
NC
NC
SOJ 256K ×8引脚配置
36-pin
400万SOJ
描述
该GS72108是一个高速CMOS静态RAM组织为
262,144字由8位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS运行在一个单
3.3 V电源和所有输入和输出为TTL -的COM
兼容。该GS72108是400万SOJ和400万可用
TSOP II型封装。
引脚说明
符号
A
0
–A
17
DQ
1
-DQ
8
CE
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
地
无连接
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TSOP -II 256K ×8引脚配置
NC
NC
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
V
DD
V
SS
DQ
3
DQ
4
WE
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A
5
A
6
A
7
A
8
OE
DQ
8
DQ
7
V
SS
V
DD
DQ
6
DQ
5
A
9
A
10
A
11
A
12
NC
NC
NC
NC
44-pin
400万TSOP II
框图
A
0
地址
输入
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
A
17
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
控制
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
8
冯： 1.08 7/2002
2/12
1999 ，千兆半导体公司
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GS72108TP/J
真值表
CE
H
L
L
L
注：X：为“H”或“L”的
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
DQ
1
到DQ
8
未选择
读
写
高Z
V
DD
当前
ISB
1
， ISB
2
I
DD
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
–0.5
到4.6
–0.5
到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
–0.5
到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
0.7
–55
150
单位
V
V
V
W
o
C
注意：
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于市盈率
ommended工作条件。暴露于高于推荐电压的时间会影响器件长时间
可靠性。
冯： 1.08 7/2002
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GS72108TP/J
推荐工作条件
参数
电源电压为-10/12/15
电源电压为-8
输入高电压
输入低电压
环境温度下，
商用系列
环境温度下，
工业温度范围
符号
V
DD
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
A
I
民
3.0
3.135
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
3.3
—
—
—
—
最大
3.6
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
o
C
o
C
注意：
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试在T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 ％测试。
DC I / O引脚特性
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
LO
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
= -4mA
I
LO
= + 4毫安
民
–
1微安
–1
uA
2.4
—
最大
1微安
1微安
—
0.4 V
冯： 1.08 7/2002
4/12
1999 ，千兆半导体公司
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GS72108TP/J
电源电流
参数
符号
测试条件
CE
≤
V
IL
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
CE
≥
V
IH
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤V
IL
分钟。周期
CE
≥
V
DD
- 0.2 V
所有其它输入
≥
V
DD
–
0.2 V或
≤
0.2 V
0至70℃
8纳秒
10纳秒
12纳秒
15纳秒
10纳秒
–40
至85℃
12纳秒
15纳秒
操作
供应
当前
I
DD
（最大）
150毫安
125毫安
110毫安
90毫安
135毫安
120毫安
百毫安
待机
当前
I
SB1
（最大）
55毫安
50毫安
45毫安
40毫安
60毫安
55毫安
50毫安
待机
当前
I
SB2
（最大）
15毫安
25毫安
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589
434
注意：
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明。
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
冯： 1.08 7/2002
5/12
1999 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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