GS71024T/U
TQFP ， FP -BGA
商用温度
工业级温度
特点
快速存取时间： 8 ， 9 ， 10 ， 12 ， 15纳秒
CMOS低功耗运行： 190/170/160/130/110毫安
最小循环时间。
单3.3 V± 0.3 V电源供电
所有输入和输出为TTL兼容
全静态工作
工业温度选项： -40 85°C
包
T： 100引脚TQFP封装
U： 6毫米毫米x 8毫米细间距球栅阵列
GT ：无铅100引脚TQFP封装
64K ×24
1.5MB异步SRAM
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
8 ，9，10 ，12，15纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
细间距BGA焊球配置
5
6
DQ
DQ
DQ
V
SS
V
DD
DQ
DQ
DQ
A
3
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
A
15
A
2
CE2
CE1
A
5
A
7
A
9
A
11
A
14
A
1
WE
OE
A
4
A
6
A
8
A
10
A
13
A
0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
A
12
DQ
DQ
DQ
V
DD
V
SS
DQ
DQ
DQ
描述
该GS71024是一个高速CMOS静态RAM组织为
65,536字由24位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS71024运行在一个
采用3.3 V单电源供电，并且所有的输入和输出与TTL
兼容。该GS71024可在6毫米×8毫米微调
间距BGA封装，并采用100引脚TQFP封装。
6毫米×8毫米， 0.75毫米凸点节距
顶视图
引脚说明
符号
A
0
到A
15
X / Y
WE
CE1 ， CE2
V
DD
描述
地址输入
向量输入
写使能输入
芯片使能输入
+3.3 V电源
符号
DQ
1
到DQ
24
V / S
OE
—
V
SS
描述
数据输入/输出
地址多路控制
输出使能输入
—
地
框图
A0
ROW
解码器
地址
输入
A14
A15
X / Y
V / S
CE1
CE2
WE
OE
存储阵列
1024 x 1536
0
1
Q
COLUMN
解码器
控制
I / O缓冲器
DQ1
DQ24
冯： 1.05 11/2004
1/13
1999 ， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS71024T/U
100引脚TQFP引脚
A
A
CE1
CE2
NC
NC
NC
X / Y
V / S
NC
NC
NC
NC
NC
DQ
DQ
DQ
DQ
V
SS
V
DD
DQ
DQ
NC
V
DD
NC
V
SS
DQ
DQ
V
DD
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
V
SS
NC
WE
NC
OE
NC
NC
NC
A
0
A
1
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
80
1
79
2
78
3
77
4
76
5
75
6
74
7
73
8
72
9
71
10
70
11
顶视图
69
12
68
13
67
14
66
15
65
16
64
17
63
18
62
19
61
20
60
21
59
22
58
23
57
24
56
25
55
26
54
27
53
28
52
29
51
30
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
NC
NC
NC
NC
DQ
DQ
DQ
DQ
V
SS
V
DD
DQ
DQ
V
SS
NC
V
DD
NC
DQ
DQ
V
DD
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
A
A
A
A
NC
NC
V
SS
V
DD
冯： 1.05 11/2004
2/13
NC
NC
A
A
A
A
A
A
NC
1999 ， GSI技术
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GS71024T/U
真值表
CE1
H
X
L
L
L
L
L
×： “H”或“L”的
CE2
X
L
H
H
H
H
H
OE
X
X
L
L
X
X
H
WE
X
X
H
H
L
L
H
V / S
X
X
H
L
H
L
X
模式
未选择
未选择
阅读使用X / Y
阅读使用A15
编写使用X / Y
编写使用A15
输出禁用
DQ0到DQ23
高Z
高Z
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
高Z
I
DD
V
DD
当前
ISB1 ， ISB2
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许TQFP功耗
允许FPBGA功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
PD
T
英镑
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+ 0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
-0.5到V
DD
+ 0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
1
1
-55到150
单位
V
V
V
W
W
o
C
注意：
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于推荐
工作条件。暴露于高比长时间推荐的电压可能会影响器件的可靠性。
冯： 1.05 11/2004
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1999 ， GSI技术
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GS71024T/U
推荐工作条件
参数
电源电压为-10/12/15
电源电压为-8
输入高电压
输入低电压
环境温度下，
商用系列
环境温度下，
工业温度范围
符号
V
DD
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
Ai
最低
3.0
3.135
2.0
–0.3
0
–40
典型
3.3
3.3
—
—
—
—
最大
3.6
3.6
V
DD
+ 0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
o
C
o
C
注意事项：
1.输入过冲电压应小于V
DD
+ 2 V ，不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
电容
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试在T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 ％测试
DC I / O引脚特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
OL
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z，V
OUT
= 0
到V
DD
I
OH
= -4mA
I
OL
= + 4毫安
最低
–1uA
–1uA
2.4
—
最大
1uA
1uA
—
0.4 V
冯： 1.05 11/2004
4/13
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GS71024T/U
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589
434
注意事项：
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
.
电源电流
参数
符号
测试条件
CE
≤
V
IL
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
CE
≥
V
IH
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤V
IL
分钟。周期
CE
≥
V
DD
– 0.2 V
所有其它输入
≥
V
DD
- 0.2 V或
≤
0.2 V
0至70℃
8纳秒
9 NS
10纳秒
12纳秒
15纳秒
10纳秒
-40到85°C
12纳秒
15纳秒
操作
供应
当前
I
DD
190毫安
170毫安
160毫安
130毫安
110毫安
165毫安
135毫安
115毫安
待机
当前
I
SB1
45毫安
45毫安
40毫安
35毫安
30毫安
45毫安
40毫安
35毫安
待机
当前
I
SB2
10毫安
15毫安
冯： 1.05 11/2004
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1999 ， GSI技术
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GS71024T/U
TQFP ， FP -BGA
商用温度
工业级温度
特点
快速存取时间： 8 ， 9 ， 10 ， 12 ， 15纳秒
CMOS低功耗运行： 190/170/160/130/110毫安
最小循环时间。
单3.3 V± 0.3 V电源供电
所有输入和输出为TTL兼容
全静态工作
工业温度选项： -40 85°C
包
T： 100引脚TQFP封装
U： 6毫米毫米x 8毫米细间距球栅阵列
GT ：无铅100引脚TQFP封装
64K ×24
1.5MB异步SRAM
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
8 ，9，10 ，12，15纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
细间距BGA焊球配置
5
6
DQ
DQ
DQ
V
SS
V
DD
DQ
DQ
DQ
A
3
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
A
15
A
2
CE2
CE1
A
5
A
7
A
9
A
11
A
14
A
1
WE
OE
A
4
A
6
A
8
A
10
A
13
A
0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
A
12
DQ
DQ
DQ
V
DD
V
SS
DQ
DQ
DQ
描述
该GS71024是一个高速CMOS静态RAM组织为
65,536字由24位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS71024运行在一个
采用3.3 V单电源供电，并且所有的输入和输出与TTL
兼容。该GS71024可在6毫米×8毫米微调
间距BGA封装，并采用100引脚TQFP封装。
6毫米×8毫米， 0.75毫米凸点节距
顶视图
引脚说明
符号
A
0
到A
15
X / Y
WE
CE1 ， CE2
V
DD
描述
地址输入
向量输入
写使能输入
芯片使能输入
+3.3 V电源
符号
DQ
1
到DQ
24
V / S
OE
—
V
SS
描述
数据输入/输出
地址多路控制
输出使能输入
—
地
框图
A0
ROW
解码器
地址
输入
A14
A15
X / Y
V / S
CE1
CE2
WE
OE
存储阵列
1024 x 1536
0
1
Q
COLUMN
解码器
控制
I / O缓冲器
DQ1
DQ24
冯： 1.05 11/2004
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GS71024T/U
100引脚TQFP引脚
A
A
CE1
CE2
NC
NC
NC
X / Y
V / S
NC
NC
NC
NC
NC
DQ
DQ
DQ
DQ
V
SS
V
DD
DQ
DQ
NC
V
DD
NC
V
SS
DQ
DQ
V
DD
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
V
SS
NC
WE
NC
OE
NC
NC
NC
A
0
A
1
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
80
1
79
2
78
3
77
4
76
5
75
6
74
7
73
8
72
9
71
10
70
11
顶视图
69
12
68
13
67
14
66
15
65
16
64
17
63
18
62
19
61
20
60
21
59
22
58
23
57
24
56
25
55
26
54
27
53
28
52
29
51
30
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
NC
NC
NC
NC
DQ
DQ
DQ
DQ
V
SS
V
DD
DQ
DQ
V
SS
NC
V
DD
NC
DQ
DQ
V
DD
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
A
A
A
A
NC
NC
V
SS
V
DD
冯： 1.05 11/2004
2/13
NC
NC
A
A
A
A
A
A
NC
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GS71024T/U
真值表
CE1
H
X
L
L
L
L
L
×： “H”或“L”的
CE2
X
L
H
H
H
H
H
OE
X
X
L
L
X
X
H
WE
X
X
H
H
L
L
H
V / S
X
X
H
L
H
L
X
模式
未选择
未选择
阅读使用X / Y
阅读使用A15
编写使用X / Y
编写使用A15
输出禁用
DQ0到DQ23
高Z
高Z
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
高Z
I
DD
V
DD
当前
ISB1 ， ISB2
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许TQFP功耗
允许FPBGA功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
PD
T
英镑
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+ 0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
-0.5到V
DD
+ 0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
1
1
-55到150
单位
V
V
V
W
W
o
C
注意：
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于推荐
工作条件。暴露于高比长时间推荐的电压可能会影响器件的可靠性。
冯： 1.05 11/2004
3/13
1999 ， GSI技术
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GS71024T/U
推荐工作条件
参数
电源电压为-10/12/15
电源电压为-8
输入高电压
输入低电压
环境温度下，
商用系列
环境温度下，
工业温度范围
符号
V
DD
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
Ai
最低
3.0
3.135
2.0
–0.3
0
–40
典型
3.3
3.3
—
—
—
—
最大
3.6
3.6
V
DD
+ 0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
o
C
o
C
注意事项：
1.输入过冲电压应小于V
DD
+ 2 V ，不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
电容
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试在T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 ％测试
DC I / O引脚特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
OL
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z，V
OUT
= 0
到V
DD
I
OH
= -4mA
I
OL
= + 4毫安
最低
–1uA
–1uA
2.4
—
最大
1uA
1uA
—
0.4 V
冯： 1.05 11/2004
4/13
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GS71024T/U
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589
434
注意事项：
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
.
电源电流
参数
符号
测试条件
CE
≤
V
IL
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
CE
≥
V
IH
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤V
IL
分钟。周期
CE
≥
V
DD
– 0.2 V
所有其它输入
≥
V
DD
- 0.2 V或
≤
0.2 V
0至70℃
8纳秒
9 NS
10纳秒
12纳秒
15纳秒
10纳秒
-40到85°C
12纳秒
15纳秒
操作
供应
当前
I
DD
190毫安
170毫安
160毫安
130毫安
110毫安
165毫安
135毫安
115毫安
待机
当前
I
SB1
45毫安
45毫安
40毫安
35毫安
30毫安
45毫安
40毫安
35毫安
待机
当前
I
SB2
10毫安
15毫安
冯： 1.05 11/2004
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