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GS6332 GS6333和
日前，Vishay
原通用半导体
3引脚，低功耗，
P
复位电路
引脚配置
SOT- 23 （顶视图）
描述
该GS6333和GS6332是系统监控电路
旨在监视V
CC
在数字系统中，并提供
一个复位信号给主处理器，如果必要。没有
外部元件。
GND
1
3
V
cc
复位/
RESET
2
当处理器供电电压低于
复位阈值时，复位输出有效，在
比少为40μs （T
D1
） 。复位保持活跃的
时间周期（T
D2
） ，在V后
cc
上升到高于该阈值
电压。
为防止抖动，复位阈值电压的内置
第V的0.4 ％迟滞
TH
.
图。 1 - 典型应用图
该GS6333具有低电平有效复位输出，而
GS6332具有高电平有效复位输出。这两款器件
有推/拉输出驱动器。
复位信号有效保证，下到V
cc
= 1.0V.
V
CC
V
CC
V
CC
GS6332
GS6333
RESET
（ RESET ）
GND
RESET
输入
P
3μA的低电源电流使这些器件非常suit-
编为电池供电的应用。它们被设计
从导致错误复位拒绝快速瞬变。
两款器件均采用节省空间的SOT- 23可
封装。
GND
特点
严格的复位电压容差± 1.8 ％
低电源电流： < 3μA
精确的1.8V和2.5V的监控
POWERSUPPLY电压
可从1.5V到其他的阈值电压选项
2.5V大约100mV的增量
三个复位当前的超时期限选择：
典型的1.5毫秒， 30毫秒， 150毫秒
复位输出保证降至1.0V
V
cc
瞬态抗扰度
无需外部元件
应用
电脑
危急
μP / μC
电源监控
电池供电设备
汽车电子
文档编号74810
22-May-02
www.vishay.com
1
GS6332 GS6333和
日前，Vishay
原通用半导体
订购信息
复位超时
周期（典型值）
1 ： 1.5毫秒
2 ： 30毫秒
3 ： 150毫秒
（标准）
复位电压
选项（典型值）
15:
16:
18:
19:
20:
21:
22:
23:
24:
25:
1.5V
1.6V （标准）
1.8V （标准）
1.9V
2.0V （标准）
2.1V
2.2V （标准）
2.3V （标准）
2.4V
2.5V
标记代码
GS6333
产品编号
GS6333UR15D1
GS6333UR15D2
GS6333UR15D3
GS6333UR16D1
记号
ADxxx
AExxx
AGxxx
AHxxx
AIxxx
AKxxx
ALxxx
AMxxx
ANxxx
AOxxx
APxxx
ARxxx
ASXXX
ATxxx
AVXXX
AWxxx
AXXXX
AYxxx
AZxxx
BAxxx
BBxxx
BCxxx
BDxxx
BExxx
BGxxx
BHxxx
BIxxx
BKxxx
BLxxx
BMxxx
GS6332
产品编号
GS6332UR15D1
GS6332UR15D2
GS6332UR15D3
GS6332UR16D1
GS6332UR16D2
GS6332UR16D3
GS6332UR18D1
GS6332UR18D2
GS6332UR18D3
GS6332UR19D1
GS6332UR19D2
GS6332UR19D3
GS6332UR20D1
GS6332UR20D2
GS6332UR20D3
GS6332UR21D1
GS6332UR21D2
GS6332UR21D3
GS6332UR22D1
GS6332UR22D2
GS6332UR22D3
GS6332UR23D1
GS6332UR23D2
GS6332UR23D3
GS6332UR24D1
GS6332UR24D2
GS6332UR24D3
GS6332UR25D1
GS6332UR25D2
GS6332UR25D3
记号
BNxxx
BOxxx
BPxxx
BRXXX
BSxxx
BTxxx
BVxxx
BWxxx
BXxxx
BYxxx
BZxxx
CAxxx
Cbxxx
CCxxx
CDXXX
CExxx
CGxxx
CHxxx
CIxxx
CKxxx
CLxxx
CMxxx
CNxxx
CoXXX
cpxxx
Crxxx
CSxxx
CTxxx
CVxxx
CWxxx
复位高有效
GS6332URxxDx
GS6333URxxDx
复位低有效
GS6333UR16D2
GS6333UR16D3
GS6333UR18D1
GS6333UR18D2
GS6333UR18D3
GS6333UR19D1
GS6333UR19D2
GS6333UR19D3
GS6333UR20D1
样本股，一般可在标准件。
请联系我们当地的销售办事处，非标可用性
准版本（最低订货量为10,000件） 。
GS6333UR20D2
GS6333UR20D3
GS6333UR21D1
GS6333UR21D2
GS6333UR21D3
GS6333UR22D1
GS6333UR22D2
GS6333UR22D3
GS6333UR23D1
GS6333UR23D2
GS6333UR23D3
GS6333UR24D1
GS6333UR24D2
GS6333UR24D3
GS6333UR25D1
GS6333UR25D2
GS6333UR25D3
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2
文档编号74810
22-May-02
GS6332 GS6333和
日前，Vishay
原通用半导体
绝对最大额定值
(1)
参数
电源电压
RESET / RESET
输入电流，V
cc
输出电流，重置/重设
的dV / dt （V
cc
)
工作温度范围
存储温度范围
功率耗散（T
A
≤
70°C)
SOT- 23 （除鼠4mW的/°C， 70°C以上）
T
A
T
英镑
P
D
符号
V
cc
价值
6.0
-0.3 （V
cc
+ 0.3)
20
20
100
-40到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mA
V / μs的
°C
°C
mW
注意：
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
电气特性
参数
T
A
= -40 ° C至125°C ，除非另有说明。典型值是在T
A
= 25°C
符号
测试条件
T
A
= 25°C
民
1
1
1.2
–
–
V
TH
–1.8%
V
TH
–3%
典型值
–
–
–
–
–
V
TH
V
TH
0.4
最大
5.5
5.5
5.5
7.0
3.0
V
TH
+1.8%
V
TH
+3%
单位
V
cc
范围
V
范围
T
A
= -40+ 85°C
T
A
= -40至+ 125°C
V
电源电流
（无负载）
复位门限
阈值迟滞
I
CC
VCC = 3.0V
T
A
= 25°C
A
V
TH
V
TH HIST
T
A
= 25°C
T
A
= -40至+ 125°C
V
%V
TH
RESET输出电压低
V
OL
GS6332 V
CC
＆ GT ; V
TH
GS6333 V
CC
＆ LT ; V
TH
I
SINK
= 50μA ，V
CC
≥1.0V
I
SINK
= 500μA ，V
CC
≥1.8V
GS6332 V
CC
＆ LT ; V
TH
GS6333 V
CC
＆ GT ; V
TH
I
来源
= 200μA ，V
CC
≥1.8V
I
来源
= 500μA ，V
CC
≥2.7V
V
CC
到V
TH
= 100mV的
GS633xURD1
GS633xURD2
GS633xURD3
–
–
0.4
0.3
V
RESET输出电压高
V
OH
0.8V
CC
0.8V
CC
–
0.5
15
80
–
–
V
S
mS
V
CC
下降复位延时
复位超时周期
T
D1
T
D2
–
1.5
30
150
40
5
50
230
文档编号74810
22-May-02
www.vishay.com
3
GS6332 GS6333和
日前，Vishay
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 2 - 时序图
V
TH
V
TH
V
CC
T
D2
RESET
50%
T
D1
50%
T
D2
RESET
50%
T
D1
50%
图。 3 - 瞬变抑制
电源（V
CC
）瞬态
瞬态持续时间（微秒）
140
120
100
80
60
40
20
0
0.01
这些设备有一定的免疫力来快速负
向瞬态。图表标题为“瞬变抑制”
示出了所允许的最大瞬时振幅和
持续时间，以避免触发意外复位。如
图中较短的瞬态可以有更大的显示
振幅不触发复位。
0.1
1
瞬时振幅（ V）
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4
文档编号74810
22-May-02
GS6332 GS6333和
日前，Vishay
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 4 - 复位时间与温度的关系
170
2.35
图。 5 - 我
CC
与温度的关系
165
160
155
GS6333UR25D3
电源电流@ 5V （ μA ）
2.30
复位时间（ms ）
2.25
GS6333UR25D3
2.20
150
145
2.15
140
--50
--20
10
40
70
100
130
2.10
--50
--20
10
40
70
100
130
温度（℃）
温度（℃）
图。 6 - 复位V
th
与温度的关系
2.506
2.504
2.502
2.500
1.6
85°C
2
图。 7 - 我
CC
与V
CC
复位V
th
(V)
40°C
2.496
2.494
2.492
2.490
2.488
2.486
--50
--20
GS6333UR25D3
I
CC
(A)
2.498
1.2
0°C
0.8
0.4
0
10
40
70
100
130
0
1
2
3
4
5
温度（℃）
V
CC
(V)
图。 8 - TD1延迟与温度的关系
43
42
TD1延时（ μS ）
41
40
39
38
37
--40
--20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
文档编号74810
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GS6332 GS6333和
日前，Vishay
原通用半导体
3引脚，低功耗，
P
复位电路
引脚配置
SOT- 23 （顶视图）
描述
该GS6333和GS6332是系统监控电路
旨在监视V
CC
在数字系统中，并提供
一个复位信号给主处理器，如果必要。没有
外部元件。
GND
1
3
V
cc
复位/
RESET
2
当处理器供电电压低于
复位阈值时，复位输出有效，在
比少为40μs （T
D1
） 。复位保持活跃的
时间周期（T
D2
） ，在V后
cc
上升到高于该阈值
电压。
为防止抖动，复位阈值电压的内置
第V的0.4 ％迟滞
TH
.
图。 1 - 典型应用图
该GS6333具有低电平有效复位输出，而
GS6332具有高电平有效复位输出。这两款器件
有推/拉输出驱动器。
复位信号有效保证，下到V
cc
= 1.0V.
V
CC
V
CC
V
CC
GS6332
GS6333
RESET
（ RESET ）
GND
RESET
输入
P
3μA的低电源电流使这些器件非常suit-
编为电池供电的应用。它们被设计
从导致错误复位拒绝快速瞬变。
两款器件均采用节省空间的SOT- 23可
封装。
GND
特点
严格的复位电压容差± 1.8 ％
低电源电流： < 3μA
精确的1.8V和2.5V的监控
POWERSUPPLY电压
可从1.5V到其他的阈值电压选项
2.5V大约100mV的增量
三个复位当前的超时期限选择：
典型的1.5毫秒， 30毫秒， 150毫秒
复位输出保证降至1.0V
V
cc
瞬态抗扰度
无需外部元件
应用
电脑
危急
μP / μC
电源监控
电池供电设备
汽车电子
文档编号74810
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1
GS6332 GS6333和
日前，Vishay
原通用半导体
订购信息
复位超时
周期（典型值）
1 ： 1.5毫秒
2 ： 30毫秒
3 ： 150毫秒
（标准）
复位电压
选项（典型值）
15:
16:
18:
19:
20:
21:
22:
23:
24:
25:
1.5V
1.6V （标准）
1.8V （标准）
1.9V
2.0V （标准）
2.1V
2.2V （标准）
2.3V （标准）
2.4V
2.5V
标记代码
GS6333
产品编号
GS6333UR15D1
GS6333UR15D2
GS6333UR15D3
GS6333UR16D1
记号
ADxxx
AExxx
AGxxx
AHxxx
AIxxx
AKxxx
ALxxx
AMxxx
ANxxx
AOxxx
APxxx
ARxxx
ASXXX
ATxxx
AVXXX
AWxxx
AXXXX
AYxxx
AZxxx
BAxxx
BBxxx
BCxxx
BDxxx
BExxx
BGxxx
BHxxx
BIxxx
BKxxx
BLxxx
BMxxx
GS6332
产品编号
GS6332UR15D1
GS6332UR15D2
GS6332UR15D3
GS6332UR16D1
GS6332UR16D2
GS6332UR16D3
GS6332UR18D1
GS6332UR18D2
GS6332UR18D3
GS6332UR19D1
GS6332UR19D2
GS6332UR19D3
GS6332UR20D1
GS6332UR20D2
GS6332UR20D3
GS6332UR21D1
GS6332UR21D2
GS6332UR21D3
GS6332UR22D1
GS6332UR22D2
GS6332UR22D3
GS6332UR23D1
GS6332UR23D2
GS6332UR23D3
GS6332UR24D1
GS6332UR24D2
GS6332UR24D3
GS6332UR25D1
GS6332UR25D2
GS6332UR25D3
记号
BNxxx
BOxxx
BPxxx
BRXXX
BSxxx
BTxxx
BVxxx
BWxxx
BXxxx
BYxxx
BZxxx
CAxxx
Cbxxx
CCxxx
CDXXX
CExxx
CGxxx
CHxxx
CIxxx
CKxxx
CLxxx
CMxxx
CNxxx
CoXXX
cpxxx
Crxxx
CSxxx
CTxxx
CVxxx
CWxxx
复位高有效
GS6332URxxDx
GS6333URxxDx
复位低有效
GS6333UR16D2
GS6333UR16D3
GS6333UR18D1
GS6333UR18D2
GS6333UR18D3
GS6333UR19D1
GS6333UR19D2
GS6333UR19D3
GS6333UR20D1
样本股，一般可在标准件。
请联系我们当地的销售办事处，非标可用性
准版本（最低订货量为10,000件） 。
GS6333UR20D2
GS6333UR20D3
GS6333UR21D1
GS6333UR21D2
GS6333UR21D3
GS6333UR22D1
GS6333UR22D2
GS6333UR22D3
GS6333UR23D1
GS6333UR23D2
GS6333UR23D3
GS6333UR24D1
GS6333UR24D2
GS6333UR24D3
GS6333UR25D1
GS6333UR25D2
GS6333UR25D3
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2
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GS6332 GS6333和
日前，Vishay
原通用半导体
绝对最大额定值
(1)
参数
电源电压
RESET / RESET
输入电流，V
cc
输出电流，重置/重设
的dV / dt （V
cc
)
工作温度范围
存储温度范围
功率耗散（T
A
≤
70°C)
SOT- 23 （除鼠4mW的/°C， 70°C以上）
T
A
T
英镑
P
D
符号
V
cc
价值
6.0
-0.3 （V
cc
+ 0.3)
20
20
100
-40到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mA
V / μs的
°C
°C
mW
注意：
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
电气特性
参数
T
A
= -40 ° C至125°C ，除非另有说明。典型值是在T
A
= 25°C
符号
测试条件
T
A
= 25°C
民
1
1
1.2
–
–
V
TH
–1.8%
V
TH
–3%
典型值
–
–
–
–
–
V
TH
V
TH
0.4
最大
5.5
5.5
5.5
7.0
3.0
V
TH
+1.8%
V
TH
+3%
单位
V
cc
范围
V
范围
T
A
= -40+ 85°C
T
A
= -40至+ 125°C
V
电源电流
（无负载）
复位门限
阈值迟滞
I
CC
VCC = 3.0V
T
A
= 25°C
A
V
TH
V
TH HIST
T
A
= 25°C
T
A
= -40至+ 125°C
V
%V
TH
RESET输出电压低
V
OL
GS6332 V
CC
＆ GT ; V
TH
GS6333 V
CC
＆ LT ; V
TH
I
SINK
= 50μA ，V
CC
≥1.0V
I
SINK
= 500μA ，V
CC
≥1.8V
GS6332 V
CC
＆ LT ; V
TH
GS6333 V
CC
＆ GT ; V
TH
I
来源
= 200μA ，V
CC
≥1.8V
I
来源
= 500μA ，V
CC
≥2.7V
V
CC
到V
TH
= 100mV的
GS633xURD1
GS633xURD2
GS633xURD3
–
–
0.4
0.3
V
RESET输出电压高
V
OH
0.8V
CC
0.8V
CC
–
0.5
15
80
–
–
V
S
mS
V
CC
下降复位延时
复位超时周期
T
D1
T
D2
–
1.5
30
150
40
5
50
230
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GS6332 GS6333和
日前，Vishay
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 2 - 时序图
V
TH
V
TH
V
CC
T
D2
RESET
50%
T
D1
50%
T
D2
RESET
50%
T
D1
50%
图。 3 - 瞬变抑制
电源（V
CC
）瞬态
瞬态持续时间（微秒）
140
120
100
80
60
40
20
0
0.01
这些设备有一定的免疫力来快速负
向瞬态。图表标题为“瞬变抑制”
示出了所允许的最大瞬时振幅和
持续时间，以避免触发意外复位。如
图中较短的瞬态可以有更大的显示
振幅不触发复位。
0.1
1
瞬时振幅（ V）
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GS6332 GS6333和
日前，Vishay
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 4 - 复位时间与温度的关系
170
2.35
图。 5 - 我
CC
与温度的关系
165
160
155
GS6333UR25D3
电源电流@ 5V （ μA ）
2.30
复位时间（ms ）
2.25
GS6333UR25D3
2.20
150
145
2.15
140
--50
--20
10
40
70
100
130
2.10
--50
--20
10
40
70
100
130
温度（℃）
温度（℃）
图。 6 - 复位V
th
与温度的关系
2.506
2.504
2.502
2.500
1.6
85°C
2
图。 7 - 我
CC
与V
CC
复位V
th
(V)
40°C
2.496
2.494
2.492
2.490
2.488
2.486
--50
--20
GS6333UR25D3
I
CC
(A)
2.498
1.2
0°C
0.8
0.4
0
10
40
70
100
130
0
1
2
3
4
5
温度（℃）
V
CC
(V)
图。 8 - TD1延迟与温度的关系
43
42
TD1延时（ μS ）
41
40
39
38
37
--40
--20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
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GS6332 GS6333和
日前，Vishay
原通用半导体
3引脚，低功耗，
P
复位电路
引脚配置
SOT- 23 （顶视图）
描述
该GS6333和GS6332是系统监控电路
旨在监视V
CC
在数字系统中，并提供
一个复位信号给主处理器，如果必要。没有
外部元件。
GND
1
3
V
cc
复位/
RESET
2
当处理器供电电压低于
复位阈值时，复位输出有效，在
比少为40μs （T
D1
） 。复位保持活跃的
时间周期（T
D2
） ，在V后
cc
上升到高于该阈值
电压。
为防止抖动，复位阈值电压的内置
第V的0.4 ％迟滞
TH
.
图。 1 - 典型应用图
该GS6333具有低电平有效复位输出，而
GS6332具有高电平有效复位输出。这两款器件
有推/拉输出驱动器。
复位信号有效保证，下到V
cc
= 1.0V.
V
CC
V
CC
V
CC
GS6332
GS6333
RESET
（ RESET ）
GND
RESET
输入
P
3μA的低电源电流使这些器件非常suit-
编为电池供电的应用。它们被设计
从导致错误复位拒绝快速瞬变。
两款器件均采用节省空间的SOT- 23可
封装。
GND
特点
严格的复位电压容差± 1.8 ％
低电源电流： < 3μA
精确的1.8V和2.5V的监控
POWERSUPPLY电压
可从1.5V到其他的阈值电压选项
2.5V大约100mV的增量
三个复位当前的超时期限选择：
典型的1.5毫秒， 30毫秒， 150毫秒
复位输出保证降至1.0V
V
cc
瞬态抗扰度
无需外部元件
应用
电脑
危急
μP / μC
电源监控
电池供电设备
汽车电子
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原通用半导体
订购信息
复位超时
周期（典型值）
1 ： 1.5毫秒
2 ： 30毫秒
3 ： 150毫秒
（标准）
复位电压
选项（典型值）
15:
16:
18:
19:
20:
21:
22:
23:
24:
25:
1.5V
1.6V （标准）
1.8V （标准）
1.9V
2.0V （标准）
2.1V
2.2V （标准）
2.3V （标准）
2.4V
2.5V
标记代码
GS6333
产品编号
GS6333UR15D1
GS6333UR15D2
GS6333UR15D3
GS6333UR16D1
记号
ADxxx
AExxx
AGxxx
AHxxx
AIxxx
AKxxx
ALxxx
AMxxx
ANxxx
AOxxx
APxxx
ARxxx
ASXXX
ATxxx
AVXXX
AWxxx
AXXXX
AYxxx
AZxxx
BAxxx
BBxxx
BCxxx
BDxxx
BExxx
BGxxx
BHxxx
BIxxx
BKxxx
BLxxx
BMxxx
GS6332
产品编号
GS6332UR15D1
GS6332UR15D2
GS6332UR15D3
GS6332UR16D1
GS6332UR16D2
GS6332UR16D3
GS6332UR18D1
GS6332UR18D2
GS6332UR18D3
GS6332UR19D1
GS6332UR19D2
GS6332UR19D3
GS6332UR20D1
GS6332UR20D2
GS6332UR20D3
GS6332UR21D1
GS6332UR21D2
GS6332UR21D3
GS6332UR22D1
GS6332UR22D2
GS6332UR22D3
GS6332UR23D1
GS6332UR23D2
GS6332UR23D3
GS6332UR24D1
GS6332UR24D2
GS6332UR24D3
GS6332UR25D1
GS6332UR25D2
GS6332UR25D3
记号
BNxxx
BOxxx
BPxxx
BRXXX
BSxxx
BTxxx
BVxxx
BWxxx
BXxxx
BYxxx
BZxxx
CAxxx
Cbxxx
CCxxx
CDXXX
CExxx
CGxxx
CHxxx
CIxxx
CKxxx
CLxxx
CMxxx
CNxxx
CoXXX
cpxxx
Crxxx
CSxxx
CTxxx
CVxxx
CWxxx
复位高有效
GS6332URxxDx
GS6333URxxDx
复位低有效
GS6333UR16D2
GS6333UR16D3
GS6333UR18D1
GS6333UR18D2
GS6333UR18D3
GS6333UR19D1
GS6333UR19D2
GS6333UR19D3
GS6333UR20D1
样本股，一般可在标准件。
请联系我们当地的销售办事处，非标可用性
准版本（最低订货量为10,000件） 。
GS6333UR20D2
GS6333UR20D3
GS6333UR21D1
GS6333UR21D2
GS6333UR21D3
GS6333UR22D1
GS6333UR22D2
GS6333UR22D3
GS6333UR23D1
GS6333UR23D2
GS6333UR23D3
GS6333UR24D1
GS6333UR24D2
GS6333UR24D3
GS6333UR25D1
GS6333UR25D2
GS6333UR25D3
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GS6332 GS6333和
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原通用半导体
绝对最大额定值
(1)
参数
电源电压
RESET / RESET
输入电流，V
cc
输出电流，重置/重设
的dV / dt （V
cc
)
工作温度范围
存储温度范围
功率耗散（T
A
≤
70°C)
SOT- 23 （除鼠4mW的/°C， 70°C以上）
T
A
T
英镑
P
D
符号
V
cc
价值
6.0
-0.3 （V
cc
+ 0.3)
20
20
100
-40到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mA
V / μs的
°C
°C
mW
注意：
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
电气特性
参数
T
A
= -40 ° C至125°C ，除非另有说明。典型值是在T
A
= 25°C
符号
测试条件
T
A
= 25°C
民
1
1
1.2
–
–
V
TH
–1.8%
V
TH
–3%
典型值
–
–
–
–
–
V
TH
V
TH
0.4
最大
5.5
5.5
5.5
7.0
3.0
V
TH
+1.8%
V
TH
+3%
单位
V
cc
范围
V
范围
T
A
= -40+ 85°C
T
A
= -40至+ 125°C
V
电源电流
（无负载）
复位门限
阈值迟滞
I
CC
VCC = 3.0V
T
A
= 25°C
A
V
TH
V
TH HIST
T
A
= 25°C
T
A
= -40至+ 125°C
V
%V
TH
RESET输出电压低
V
OL
GS6332 V
CC
＆ GT ; V
TH
GS6333 V
CC
＆ LT ; V
TH
I
SINK
= 50μA ，V
CC
≥1.0V
I
SINK
= 500μA ，V
CC
≥1.8V
GS6332 V
CC
＆ LT ; V
TH
GS6333 V
CC
＆ GT ; V
TH
I
来源
= 200μA ，V
CC
≥1.8V
I
来源
= 500μA ，V
CC
≥2.7V
V
CC
到V
TH
= 100mV的
GS633xURD1
GS633xURD2
GS633xURD3
–
–
0.4
0.3
V
RESET输出电压高
V
OH
0.8V
CC
0.8V
CC
–
0.5
15
80
–
–
V
S
mS
V
CC
下降复位延时
复位超时周期
T
D1
T
D2
–
1.5
30
150
40
5
50
230
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原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 2 - 时序图
V
TH
V
TH
V
CC
T
D2
RESET
50%
T
D1
50%
T
D2
RESET
50%
T
D1
50%
图。 3 - 瞬变抑制
电源（V
CC
）瞬态
瞬态持续时间（微秒）
140
120
100
80
60
40
20
0
0.01
这些设备有一定的免疫力来快速负
向瞬态。图表标题为“瞬变抑制”
示出了所允许的最大瞬时振幅和
持续时间，以避免触发意外复位。如
图中较短的瞬态可以有更大的显示
振幅不触发复位。
0.1
1
瞬时振幅（ V）
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原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 4 - 复位时间与温度的关系
170
2.35
图。 5 - 我
CC
与温度的关系
165
160
155
GS6333UR25D3
电源电流@ 5V （ μA ）
2.30
复位时间（ms ）
2.25
GS6333UR25D3
2.20
150
145
2.15
140
--50
--20
10
40
70
100
130
2.10
--50
--20
10
40
70
100
130
温度（℃）
温度（℃）
图。 6 - 复位V
th
与温度的关系
2.506
2.504
2.502
2.500
1.6
85°C
2
图。 7 - 我
CC
与V
CC
复位V
th
(V)
40°C
2.496
2.494
2.492
2.490
2.488
2.486
--50
--20
GS6333UR25D3
I
CC
(A)
2.498
1.2
0°C
0.8
0.4
0
10
40
70
100
130
0
1
2
3
4
5
温度（℃）
V
CC
(V)
图。 8 - TD1延迟与温度的关系
43
42
TD1延时（ μS ）
41
40
39
38
37
--40
--20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
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GRM0225C1C4R1CD05L
GJ1117A-2.5
GD20K-DIE
GRM1555C1H470JA01D
GS8161Z32D-166T
GN4L3N
G02CC
GRM216R71H472KA01D
GHT2V060MHMRGT002
GD31-1133
GM71V18163BJ-7
GDZ7V5B-V-G
GDZ4V7B-V-G
GC120A24-R7B
G5131-42T14UF
G5131-42-T14UF
GM71C17800BJ-6
GS8322ZV36E-225I
GS832032T-225
GP1U282Y
供货商
型号
厂家
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数量
封装
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操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GS6333UR22D2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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