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无铅电镀产品
颁发日期： 2004年9月15日
修改日期： 2006/ 01 / 17B
GS2N7002
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
60V
4.5
500mA
描述
该GS2N7002普遍适用于所有商业工业表面贴装应用。
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.8
1.10
0
0.10
0.8
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
工作结存储温度范围
漏源电压
栅源电压
-
连续
-
非重复（ TP
漏电流脉冲
功耗
热阻，结到环境
(2)
符号
TJ ， TSTG
评级
-55 ~ +150
60
±20
±40
500
800
225
556
单位
:
V
V
V
mA
mA
mW
: /W
V
DS
V
GS
50us)
(1)
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
连续漏电流
电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（2）脉冲宽度
300US ，占空比
2%.
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
G
FS
西塞
科斯
CRSS
分钟。
60
1
-
-
500
-
-
80
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
2.5
±100
1
-
5
4.5
-
50
25
5
mS
pF
pF
pF
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
单位
V
V
nA
uA
mA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
V
DS
= 2.5V ，我
D
=0.25mA
V
GS
=±20V, V
DS
=0
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
=7.5V, V
GS
=10V
I
D
= 50mA时V
GS
=5V
I
D
= 500毫安，V
GS
=10V
V
DS
→2 V
DS （ ON）
, I
D
=200mA
（1）在封装的功率耗散，可能会导致在连续串的电流。
GS2N7002
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颁发日期： 2004年9月15日
修改日期： 2006/ 01 / 17B
特性曲线
GS2N7002
页次： 2/3
颁发日期： 2004年9月15日
修改日期： 2006/ 01 / 17B
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品，恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
台湾：
17-1号大同路。傅口新竹工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-597-7061传真： 886-3-597-9220 ， 597-0785
中国：
（ 201203 ） 255号，长江财Lueng RD 。 ，浦勇鑫区尚海城，中国
电话： 86-21-5895-7671 4传真： 86-21-38950165
GS2N7002
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操作
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GS2N7002
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