直流分量CO 。 ， LTD 。
R
GS1A M1
THRU
GS1M M7
整流器SPECIALISTS
表面贴装硅整流技术规格
电压范围50到1000伏特
当前1.0安培
特点
*主义理想的表面安装应用程序
*低漏电流
*玻璃钝化结
SMA （ DO- 214AC ）
机械数据
*案例：模压塑料
*环氧： UL 94V- 0利率FL火焰阻燃
*码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
*极性：标
*安装位置：任意
*重量： 0.064克
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
尺寸以英寸（毫米）
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
A
= 75
o
C
峰值正向浪涌电流I
FM
（浪涌） ： 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在1.0A DC
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
最大反向恢复时间（注3 ）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作和存储温度范围
@T
A
= 25 C
@T
A
= 125
o
C
o
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
I
R
TRR
RJL
C
J
T
J
, T
英镑
GS1A
M1
50
35
50
GS1B
M2
100
70
100
GS1D
M3
200
140
200
GS1G
M4
400
280
400
1.0
30
1.1
5.0
50
2.5
30
15
-65到+ 175
GS1J
M5
600
420
600
GS1K
M6
800
560
800
GS1M
单位
M7
伏
1000
700
1000
伏
伏
安培
安培
伏
uAmps
微秒
0
C / W
pF
0
C
注：1.测得1.0 MHz和应用4.0Vdc反向电压
2.热阻（结到环境） ， .24in
2
(6.0mm
2
）铜垫给每个终端。
3.测试条件： IF = 0.5A ， IR = 1.0A ， IRR = 0.25A 。
340
NEXT
后
NEXT
出口
后
数据表
GS1A~GS1M
表面贴装整流器
电压 - 50到1000伏特电流 - 1.0安培
特点
.114 (2.90)
.098 (2.50)
.062 (1.60)
.055 (1.40)
.181 (4.60)
.157 (4.00)
.012 (.305)
.006 (.152)
SMA / DO- 214AC
单位：英寸（毫米）
对于表面安装应用程序
薄型封装
内置应变救灾
易于取放
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
玻璃钝化结
高温焊接： 260℃ / 10秒码头
机械数据
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，
方法2026
极性：由阴极频带指示
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
重量： 0.002盎司， 0.064克
.096 (2.30)
.078 (2.00)
案例： JEDEC DO- 214AC模压塑料
.060 (1.52)
.030 (0.76)
.008(.203)
.002(.051)
.208 (5.28)
.188 (4.80)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流，
在T
L
=75°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
在1.0A最大正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
T
A
=25°C
T
A
=125°C
GS1A
GS1B
GS1D
GS1G
GS1J
GS1K
GS1M
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
我（AV）
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
100
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
RΘJA
T
J,
T
英镑
30.0
1.10
5.0
50.0
2.5
12
30.0
-55到+150
A
V
A
A
s
pF
° C / W
°C
最大反向恢复时间（注1 ）T
J
=25°C
典型结电容（注2 ）
最大热阻（注3 ） RθJA
工作和存储温度范围
注：1 。反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
=0.25A
2.测得1 MHz和应用V
r
= 4.0伏。
3. 8.0 mm
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
额定值和特性曲线
瞬时正向电流，安培
150
100
40
20
10
4.0
2.0
1.0
3.0
平均正向电流
安培
2.5
2.0
1.5
单相半波60HZ
负载电阻或电感
P.C.B装式
ON 0.315 X 0.315" （ 8.0× 8.0毫米）
铜焊盘区
1.0
0.5
0.4
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
0
50
O
100
温度℃
图。 1降额曲线输出整流电流
100
正向电压，伏
图。 2 - 典型正向
CHARACTERISITCS每个元素
30
10
T
J
=100 C
O
FPRWARD浪涌电流，安培PK
（半正弦波）
25
T
J
=75
O
C
1.0
20
15
0.1
T
J
=25 C
0.01
O
10
5
0
1
2
6
10
20
40
60
100
0.001
NO 。个循环到62Hz的
0
20
40
60
80
100
120
140
百分之峰值反向电压
图。 3-典型REAK反向特性
100
图。 4-最大非REPETITEVE PEAK
正向浪涌电流
100
热阻抗（
O
C / W ）
50
50
20
电容，PF
TJ = 25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
20
O
10
安装于20英寸（ 5.4毫米）单位
+ 0.5密耳英寸（ 0.013毫米）
厚铜土地面积
2
2
10
5
5
2
1
0.01
2
0.1
1.0
10
100
1
0.1
加热时间（秒）
图。 5瞬态热阻抗
1.0
10
100
1000
反向电压，伏
图。 6 TYPICL结电容每个元素
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
GS1A
THRU
GS1M
对于表面贴装应用
极低的热阻
方便取放
高温焊接： 250 ℃，10秒码头
1安培
硅整流
50到1000伏特
DO-214AC
（ SMAJ ） （高模式）
H
阴极带
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 150°C
最大热阻; 15
° C / W
交界处领导
MCC
目录
数
GS1A
GS1B
GS1D
GS1G
GS1J
GS1K
GS1M
设备
记号
GS1A
GS1B
GS1D
GS1G
GS1J
GS1K
GS1M
最大
复发
反向峰值
电压
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
最大
RMS
电压
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
最大
DC
闭塞
电压
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
J
A
C
E
F
G
D
B
尺寸
英寸
民
.078
.067
.002
---
.035
.065
.205
.160
.100
MM
民
1.98
1.70
.05
---
.89
1.65
5.21
4.06
2.57
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
I
F（ AV ）
I
FSM
1.0A
30A
T
J
= 75°C
8.3ms的半正弦波，
I
FM
= 1.0A;
T
J
= 25°C*
最大
.116
.089
.008
.02
.055
.096
.224
.180
.112
最大
2.95
2.25
.20
.51
1.40
2.45
5.69
4.57
2.84
记
V
F
1.1V
建议焊料
焊盘布局
0.090”
I
R
C
J
10A
50A
15pF
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
0.085”
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比2 ％
0.070”
www.mccsemi.com
GS1A THRU GS1M
图1
典型的正向特性
20
10
6
4
2
12
安培
1
.6
.4
.2
25°C
.1
.06
.04
.02
.01
1.0
.4
.6
.8
伏
瞬时正向电流 - 安培
与
正向电压 - 伏特
.6
.4
电阻或
0.2感性负载
0
0
20
40
60
1.0
1.2
1.4
安培
.8
1.4
1.2
图4
远期降额曲线
1
10
周期
6
安培
36
30
24
18
MCC
科幻gure 3
最大过载电流浪涌
-55 ° C至+ 150°C
100
峰值正向电流 - 安培
与
循环次数在60Hz
80 100 120 140 160 180 200
°C
图2
结电容
平均正向整流电流 - 安培
与
环境温度 -
°C
100
60
40
20
pF
10
6
4
2
1
.1
.2
.4
1
伏
2
4
10
20
40
100
200
400
1000
MEDIAN
典型
分配
结电容 - pF的
与
反向接界电势（应用V + 0.7伏） - 伏
www.mccsemi.com
RS
GS1A THRU GS1M
表面安装标准恢复整流器
电压 - 50到1000伏特电流 - 1.0安培
特点
对于表面贴装应用
玻璃钝化结
低廓包
内置应变消除
方便取放
低正向压降
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
高温焊接：
250
o
C / 10秒码头
B
C
A
D
J
H
G
E
SMA / DO- 214AC
DIM MIN MAX
A
2.29 2.92
B
4.00 4.60
1.25 1.65
C
0.152 0.305
D
4.80 5.59
E
0.051 0.203
G
0.76 1.52
H
2.00 2.62
J
尺寸：mm
机械数据
案例： JEDEC DO- 214AC模压塑料
码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 202方法208
极性：颜色频带端为负极
标准包装：12毫米磁带（ EIA STD EIA- 481 ）
重量： 0.002盎司， 0.064克
最大额定值和电气特性
25评分
o
除非另有说明C的环境温度
单相半波60 H
z
，电阻或电感性负载
对于容性负载，减免电流20 ％
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
= 100
o
C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
在1.0A最大正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
T
A
= 25 C
T
A
= 125 C
o
o
SYMBOL GS1A GS1B GS1D GS1G GS1J GS1K GS1M单位
50
100 200 400 600
V
RRM
800 1000
伏
35
70
140 280 420
V
RMS
560 700
伏
50
100 200 400 600
800 1000
伏
V
DC
I
（AV）
1.0
安培
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
R
JA
JL
30
1.1
5
50
12
75
30
-55到+150
安培
伏
A
pF
o
典型结电容
（注1 ）
最大热阻
（注2 ）
工作和存储温度范围
C / W
o
T
J
, T
英镑
C
注意事项：
1.测得1.0 MH
z
和应用4.0伏特的反向电压
2. P.C.B.安装在0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘区
GS1A THRU GS1M
50V-1000V
表面安装通用整流器
1.0A
特点
塑料包装进行保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
对于表面安装应用程序
低反向漏
内置应变救灾，非常适于自动贴片
高正向浪涌电流能力
高温焊接保证：
250℃ / 10秒码头
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214AC模压塑体
终端：
焊接镀，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量： 0.003
盎司， 0.093克
0.004盎司， 0.111克SMA （ G）
绝对最大额定值和特性
25评分
O
C环境温度，除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
参数
符号GS1A GS1B GS1D GS1G GS1J GS1K GS1M单位
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
= 110
O
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC
法）
在1A最大正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容
1)
典型热阻
2)
工作和存储温度范围
1)
2)
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J ,
T
S
30
1.1
5
50
15
75
- 65 + 175
O
A
V
A
pF
C / W
O
在T
A
= 25
O
C
ATT
A
= 100
O
C
C
测得1 MHz和应用VR = 4 V.
P.C.B.安装有0.2× 0.2" （5× 5mm）的铜焊盘的区域。
电子信箱： sales@taychipst.com
1 2
网站： www.taychipst.com
GS1A THRU GS1M
50V-1000V
表面MOUNTGENERAL整流二极管
1.0A
正向平均整流电流，
安培
图。 1正向电流降额曲线
图。 2 ，最大非重复峰值正向
浪涌电流
0.8
英镑峰值正向浪涌电流，
安培
1.0
30
25
0.6
20
0.4
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
15
0.2
10
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
5.0
1
10
100
环境温度，C
循环次数在60赫兹
图。 3 ，典型正向
特征
20
1,000
10
图。 4 ，典型的反向特性
瞬时反向电流，
微安
正向
当前，安培
100
TJ = 150℃
1
10
0.1
T
J
=25 C
脉冲宽度= 300
ms
1 ％占空比
TJ = 100℃
1
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.5
0.1
TJ = 25℃
0.01
0
20
40
60
80
100
正向VOLEAGE ，
伏
百分之峰值反向电压， ％
图。 5 ，典型结电容
200
100
T
J
=25 C
图。 6 ，典型的瞬态热阻抗
瞬态热阻抗，
C / W
100
结电容， pF的
10
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.1
1.0
10
100
反向电压，伏
T，脉冲持续时间，秒。
电子信箱： sales@taychipst.com
2 2
网站： www.taychipst.com
GS1A THRU GS1M
表面安装普通整流
反向电压 -
50到1000伏特
DO-214AC
正向电流 -
1.0安培
特点
0.087 (2.21)
0.070 (1.80)
0.110(2.80)
0.100(2.54)
0.177(4.50)
0.157(3.99)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
塑料包装进行保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
对于表面安装应用程序
低反向漏
内置应变救灾，非常适于自动贴片
高正向浪涌电流能力
高温焊接保证：
250℃ / 10秒码头
A
机械数据
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.008(0.203)MAX.
0.222(5.66)
0.194(4.93)
SMA
SMA （H ）
A:
0.096(2.42)
0.078(1.98)
0.122(3.12)
0.110(2.82)
案例：
JEDEC DO- 214AC模压塑体
终端：
焊接镀，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量： 0.003
盎司， 0.093克
0.004盎司， 0.111克SMA （H ）
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹，电阻或电感性负载，容性负载电流降额20％ 。
符号
GS1A GS1B GS1D GS1G GS1J
GS1K
GS1M
单位
伏
伏
伏
AMP
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
=110 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
在1.0A最大正向电压
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
q
JA
T
J
,
T
英镑
30.0
1.1
5.0
50.0
15.0
75.0
-65到+175
安培
伏
u
A
pF
C / W
C
注： 1.Measured
在1MHz和应用4.0V的直流反向电压
2.P.C.B.安装有0.2x0.2 “ （ 5.0x5.0mm ）铜焊盘区
www.shunyegroup.com
GS1A - GS1M
1.0安培。表面贴装矽整流器
SMAE
Pb
特点
RoHS指令
合规
对于表面安装应用程序
ESAY拾放
低正向压降
高电流能力
高浪涌电流能力
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒码头
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
后缀“G”对包装的代码&绿色复合
关于日期代码前缀的“G” 。
机械数据
案例： SMAE模压塑料
终端：无铅完成
极性：由阴极频带指示。
重量： 0.073克
最大额定值和电气特性
等级25
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
@Ta （参见图1）的
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压（注1 ）
IF = 1.0A @大= 25
o
C
反向电流最大DC
@ TA = 25
o
C
@ TA = 125
o
C
符号
GS1A GS1B GS1D GS1G GS1J GS1K GS1M
单位
V
V
V
A
A
V
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
25
1.1
1.0
50.0
15
80
28
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
R
Cj
Rθ
JA
Rθ
JL
T
J
T
英镑
uA
pF
O
典型结电容（注3 ）
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
注：与PW = 300U秒， 1 ％占空比1.脉冲测试。
2.安装上P.C.B.铜焊盘尺寸5mm x 5mm的
3.测量在f = 1.0MHz的， VR = 4.0V直流
C / W
O
O
-55到+150
-55到+150
C
C
版本： A09
GS1A THRU GS1M
表面安装普通整流
反向电压 - 50至1000 V
正向电流 - 1
特点
对于表面安装应用程序
低反向漏
内置应变救灾，非常适于自动贴片
高正向浪涌电流能力
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
机械数据
案例：
SMA （ DO - 214AC ） ，模压塑料
终端：
焊接镀，每MIL -STD- 750焊接的
方法2026
极性：
色环表示阴极频带
安装位置：
任何
绝对最大额定值和特性
25评分
O
C环境温度，除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
参数
符号GS1A GS1B GS1D GS1G GS1J GS1K GS1M单位
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
= 110
O
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC
法）
在1A最大正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容
1)
典型热阻
2)
工作和存储温度范围
1)
2)
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J ,
T
S
30
1.1
5
50
15
75
- 65 + 175
O
A
V
A
pF
C / W
O
在T
A
= 25
O
C
ATT
A
= 100
O
C
C
测得1 MHz和应用VR = 4 V.
P.C.B.安装有0.2× 0.2" （5× 5mm）的铜焊盘的区域。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 14/04/2008
GS1A THRU GS1M
正向电流降额曲线
1.0
峰值正向浪涌电流，A
正向平均整流电流，A
最大非重复正向
浪涌电流
0.8
0.6
0.4
0.2
单相半波60HZ
rsistive或电感性负载
30
25
20
15
10
5
1
10
循环次数在60赫兹
8.3ms单半
正弦波
（ JEDEC的方法）
0
50
100
150
175
100
环境温度（ C）
典型的反向特性
瞬时反向电流，毫安
典型瞬时
正向特性
正向
目前，A
1000
20
10
100
TJ = 150℃
10
TJ = 100℃
1
1
0.1
0.1
TJ = 25℃
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4 1.5
0.01
0
20
40
60
80
100
百分之峰值反向电压， ％
正向电压，V
典型结电容
200
100
结电容， pF的
瞬态热阻抗， C / W
TJ = 25℃
o
典型的瞬态热阻抗
100
10
10
1
0.1
0.1
1
10
100
反向电压，伏
0.1
0.01
0.1
1
10
100
T，脉冲持续时间，秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 14/04/2008
GS1A通GS1M系列
表面贴装整流器
CHENG-易
电子
电压范围50到1000伏特
目前1.0安培
SMA/DO-214AC
特点
对于表面安装应用程序
低廓包
内置应变消除
方便取放
塑料包装已承保实验室
可燃性分类94V -O
Glasspassivated芯片结
高tempreature焊接： 260
0
C/10seconds
在终端
.055(1.40)
.062(1.60)
.098(2.50)
.114(2.90)
.157(4.00)
.181(4.60)
.006(.152)
.012(.305)
.078(2.00)
.096(2.44)
.030(0.76)
.060(1.52)
.004(.102)
.008(.203) .188(4.80)
.208(5.28)
机械数据
案例： JEDEC的DO - 201AD模压塑料
终端：镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：由阴极频带Indivated
标准包装：12毫米磁带（ EIA STD EIA- 481 ）
重量： 0.002盎司， 0.064克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
25评分
0
C环境温度，除非另有规定。
劲儿地相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流，在
T
L = 100℃
0
符号
GS1A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
JL
T
J
T
英镑
50
35
50
GS1B
100
70
100
GS1D
200
140
200
1.0
GS1G
400
280
400
GS1J
600
420
600
GS1K
800
560
800
GS1M
1000
700
1000
单位
伏
伏
伏
安培
安培
伏
A
S
pF
0
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
在1.0A最大正向电压
最大DC反向电流在额定
阻断电压DC
最大反向恢复时间（注1 ）
典型结电容（注2 ）
最大热阻（注3 ）
工作和存储温度范围
@T
A
=25
0
C
@T
A
=125
0
C
30.0
1.10
5.0
50
2.5
12.0
30.0
-50至+150
C / W
0
C
注：1.反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ， IRR = 0.25A
2.测得1 MHz和应用VR = 4.0伏特
3. 8.0mm
2
（ 0.13毫米厚）土地面积
GS1A通GS1M系列
表面贴装整流器
CHENG-易
电子
额定值和特性曲线
GS1A THRU GS1M
图。 2
-
最大非重复性峰值正向
图。 1 - 正向电流
降额曲线
2.0
峰值正向浪涌电流（ A）
浪涌电流
30
25
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
平均正向
电流（ A）
1.0
单相
半波
60Hz
电阻或
INOUCTIVE LOAD
P.C.B装式
ON 0.315x0.315" （ 8.0x8.0mm ）
铜焊盘区
20
15
10
5
0
25 50
75 100 125 150 175
0
1
2
5
10
20
50
100
焊接温度，C
循环次数在60赫兹
图。 3 - 典型的反向特性
瞬时
反向
目前， （ UA）
100
10
0
TJ=125C
瞬时反向电流
微安
图。 4 - 典型瞬时
正向特性
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.4
1
0.1
0.01
0.001
0
20
40
60
80
100 120 140
0
TJ=75C
0
TJ=25C
0.6
0.8
1
1.2 1.4
1.6 1.8
2
瞬时正向电压（V）的
百分之峰值反向电压， ％
图。 5 - 瞬态热阻抗
热阻抗（
0
C / W ）
1,000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.01
图。 6 - 典型结电容
100
电容pF的
单位安装
2
20in
2
（ 5毫米） 0 .5mil
英寸（ 0.013毫米）
厚铜土地面积
50
20
10
5
2
1
0.01
0
TJ=25C
f=1.0MHz
VSIG = 50米Vp-p的
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
加热时间（秒）
反向电压（ V）
QQ：2881677436 复制
