【无铅电镀产品颁发日期： 2005年3月10日修改日期： 2006/11 / 24CGS1332EN沟】,IC型号GS1332E,GS1332E PDF资料,GS1332E经销商,ic,电子元器件-51电子网

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无铅电镀产品

颁发日期： 2005年3月10日

修改日期： 2006/11 / 24C

GS1332E

N沟道增强型功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

20V

600m

600mA

该GS1332E提供设计师与快速切换的最佳组合，低导通电阻和

成本效益。

*简单的栅极驱动器

*小包装外形

* 2KV ESD额定值（每MIL -STD- 883D ）

描述

特点

包装尺寸

REF 。

A

A1

A2

D

E

HE

毫米

分钟。

马克斯。

0.80

1.10

0

0.10

0.80

1.00

1.80

2.20

1.15

1.35

1.80

2.40

REF 。

L1

L

b

c

e

Q1

毫米

分钟。

马克斯。

0.42参考。

0.15

0.35

0.25

0.40

0.10

0.25

0.65参考。

0.15 BSC 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

1,2

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25 :

I

D

@T

A

=70 :

I

DM

P

D

@T

A

=25 :

TJ ， TSTG

符号

Rthj -A

工作结存储温度范围

评级

20

±5

600

470

2.5

0.35

0.003

-55 ~ +150

价值

360

单位

V

V

mA

mA

A

W

W/ :

:

单位

:

/W

热数据

参数

3

热阻结到环境

马克斯。

GS1332E

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颁发日期： 2005年3月10日

修改日期： 2006/11 / 24C

电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

符号

BV

DSS

BV

DSS

/

Tj

分钟。

20

-

0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.02

-

1

-

-

-

-

-

1.3

0.3

0.5

4

10

15

2

38

17

12

马克斯。

-

-

1.2

-

±10

1

10

600

1200

2

-

-

-

-

-

-

60

-

-

单位

V

V/ :

V

S

uA

uA

uA

m

测试条件

V

GS

=0, I

D

=250uA

参考25 ：我

D

=1mA

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 5V ，我

D

=600mA

V

GS

= ±5V

V

DS

=20V, V

GS

=0

V

DS

=16V, V

GS

=0

V

GS

= 4.5V ，我

D

=600mA

V

GS

= 2.5V ，我

D

=400mA

I

D

=600mA

V

DS

=16V

V

GS

=4.5V

V

DS

=10V

I

D

=600mA

V

GS

=10V

R

G

=3.3

R

D

=16.7

V

GS

=0V

V

DS

=10V

f=1.0MHz

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ：）

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ：）

V

GS （ TH）

g

fs

I

GSS

I

DSS

静态漏源导通电阻

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）变更

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

Q

g

Q

gs

Q

gd

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

nC

ns

pF

源极 - 漏极二极管

参数

正向电压上

2

符号

V

SD

分钟。

-

典型值。

-

马克斯。

1.2

单位

V

测试条件

I

S

= 300毫安，V

GS

=0V

注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。

2.脉宽300US ，占空比2 ％。

3.表面安装在FR4板，T

10sec.

GS1332E

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特性曲线

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

图5.正向特性

反向二极管

GS1332E

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

页次： 3/4

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图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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GTM保留随时修改其产品，恕不另行通知。

GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。

GTM自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。

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台湾：

17-1号大同路。傅口新竹工业园区，新竹，台湾， ROC

电话： 886-3-597-7061传真： 886-3-597-9220 ， 597-0785

中国：

（ 201203 ） 255号，长江财Lueng RD 。，浦勇鑫区尚海城，中国

电话： 86-21-5895-7671 4传真： 86-21-38950165

GS1332E

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33000

SOT-323

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