飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MD7IC2251N
第0版， 5/2012
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MD7IC2251N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它从2110可用 - 2170兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为26至32伏的操作，涵盖所有典型的蜂窝
基站调制格式。
典型的Doherty单 - 载波W - CDMA表征性能：
V
DD
= 28伏，我
DQ1(A+B)
= 80 mA时，我
DQ2A
= 260毫安， V
GS2B
= 1.4伏，
P
OUT
= 12瓦平均， IQ幅度裁剪，信道带宽= 3.84 MHz时，
输入信号PAR =上CCDF 9.9分贝@ 0.01 ％的概率。
频率
2110兆赫
2140兆赫
2170兆赫
G
ps
（ dB）的
28.8
29.0
29.2
PAE
(%)
38.2
37.9
37.4
PAR输出
（ dB）的
7.1
7.1
6.9
ACPR
（ DBC）
--34.6
--36.2
--36.1
MD7IC2251NR1
MD7IC2251GNR1
2110-
-2170兆赫， 12 W平均， 28 V
单W-
-CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
TO -
WB- -270
-14
塑料
MD7IC2251NR1
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 63瓦CW
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
)
典型的P
OUT
@ 3分贝压缩点
58瓦
(1)
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
产品测试在对称的Doherty配置
特点大 - 信号负载 - 拉参数和常见的源极S - 参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞）
集成的静态电流温度补偿与启用/禁用功能
(2)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
TO -
WB- -270
-14 GULL
塑料
MD7IC2251GNR1
V
DS1A
RF
INA
支架
(3)
RF
out1
/V
DS2A
V
GS1A
V
GS2A
V
GS1B
V
GS2B
静态电流
温度补偿
(2)
静态电流
温度补偿
(2)
高峰
(3)
V
DS1A
V
GS2A
V
GS1A
RF
INA
NC
NC
NC
NC
RF
INB
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
支架
1
2
14
3
4
5
6
7
8
9
13
10
11
12峰值
（ TOP VIEW ）
RF
out1
/V
DS2A
RF
out2
/V
DS2B
RF
INB
V
DS1B
RF
out2
/V
DS2B
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1. P3dB = P
AVG
+ 7.0分贝其中P
AVG
是平均输出功率使用正常曝光W测量 - CDMA单 - 载波信号的输入输出的地方
PAR被压缩到7.0 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
2.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
3.峰值和载波方向由测试夹具的设计来确定。
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
特征
最终达赫迪应用
热阻，结到外壳
外壳温度78 ° C，P
OUT
= 12 W CW
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1(A+B)
= 80毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2A
= 260毫安， V
GS2B
= 1.4伏
外壳温度89 ° C，P
OUT
= 50瓦CW
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1(A+B)
= 80毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2A
= 260毫安， V
GS2B
= 1.4伏
R
θJC
4.8
1.5
3.7
1.0
° C / W
符号
价值
--0.5, +65
--0.5, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
28
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
价值
(2,3)
单位
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A
A
II
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
(4)
-
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
(4)
-
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 23
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 80 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 80 MADC ，测量功能测试）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1.2
—
6.0
2.0
2.7
7.0
2.7
—
8.0
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
4.设备的每一侧分别测得。
（续）
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
第2阶段 - 断特性
(1)
-
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
(1)
-
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 150
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2A
= 260 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2A
= 260 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
V
GS （ TH）
V
GSA （ Q）
V
GGA （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
5.5
0.1
2.0
2.7
6.3
0.24
2.7
—
7.5
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2,3,4)
（飞思卡尔多尔蒂制作测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 80 mA时，我
DQ2A
= 260毫安，
V
GS2B
= 1.4伏，P
OUT
= 12 W平均， F = 2140 MHz的单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
G
ps
PAE
PAR
ACPR
27.6
33.5
6.2
—
28.2
36.9
6.6
--34.2
32.0
—
—
--31.5
dB
%
dB
dBc的
典型的宽带性能
（在飞思卡尔的Doherty表征测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 80 mA时，
I
DQ2A
= 260毫安， V
GS2B
= 1.4伏，P
OUT
= 12 W平均，单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
2110兆赫
2140兆赫
2170兆赫
1.
2.
3.
4.
G
ps
（ dB）的
28.8
29.0
29.2
PAE
(%)
38.2
37.9
37.4
PAR输出
（ dB）的
7.1
7.1
6.9
ACPR
（ DBC）
--34.6
--36.2
--36.1
设备的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
测量在一个对称的Doherty配置进行与设备。
测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。
（续）
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的表演
(1)
（在飞思卡尔的Doherty测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 80 mA时，我
DQ2A
= 260毫安， V
GS2B
=
1.4伏， 2110--2170 MHz带宽
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
P
OUT
@ 3分贝压缩点
(2)
IMD对称性@ 18瓦PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
在整个温度范围静态电流精度
4.7 kΩ的门馈电电阻（ -30至85°C ）
(3)
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 12 W的魅力。
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
第1阶段
第2阶段
P1dB
P3dB
IMD
符号
—
—
—
40
58
25
—
—
—
W
W
兆赫
VBW
水库
I
QT
—
65
—
兆赫
%
—
—
—
—
—
1.5
5.0
0.2
0.028
0.028
—
—
—
—
—
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
G
F
G
P1dB
1.测量在一个对称的Doherty配置进行与设备。
2. P3dB = P
AVG
+ 7.0分贝其中P
AVG
是平均输出功率使用正常曝光W测量 - CDMA单 - 载波输入信号，其中
输出PAR被压缩到7.0 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
3.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977或
AN1987.
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GS1A
V
GS2A
V
DS1A
C1
V
DS2A
R2
R1
C23
C19
C15
C7
C9
C13
C3
C11
C4
C16
切出区
C17
C20
C18
C
P
Z1
R5
C12
C5
C6
C14
C21
R3
R4
C2
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
C22
MD7IC2251N
第1版
C8
C10
V
DS2B
图3. MD7IC2251NR1 （ GNR1 ）生产测试电路元件布局
表6. MD7IC2251NR1 （ GNR1 ）生产测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2, C3, C4, C5, C6
C7, C8
C9, C10
C11, C12
C13, C14, C15, C16, C17, C18
C19, C20
C21
C22, C23
R1, R2, R3, R4
R5
Z1
PCB
描述
10
μF
贴片电容
4.7 pF的贴片电容
5.6 pF的贴片电容
39 pF的贴片电容
4.7
μF
贴片电容
0.5 pF的贴片电容
0.9 pF的贴片电容
1.0
μF
贴片电容
4.7 kΩ的1/4 W贴片电阻
50
,
10 W，终止
2100--2200兆赫，90°， 3分贝芯片混合耦合器
0.020″,
ε
r
= 3.5
产品型号
GRM55DR61H106KA88L
ATC600F4R7BT250XT
ATC600F5R6BT250XT
ATC600F390JT250XT
GRM31CR71H475KA12L
ATC600F0R5BT250XT
ATC600F0R9BT250XT
GRM31CR71H105KA12L
CRCW12064K70FKEA
RFP-06012A15Z50
GSC355-HYB2150
RF-35A2
生产厂家
村田
ATC
ATC
ATC
村田
ATC
ATC
村田
日前，Vishay
安伦
双信
Taconic的
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF5S4125N
第0版， 1/2007
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率高达500兆赫。高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 465 MHz的： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1100毫安，P
OUT
。 = 25瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ） 。信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 23分贝
漏极效率 - 30.2 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 47.6 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 465兆赫， 125瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
200℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF5S4125NR1
MRF5S4125NBR1
450 - 480兆赫， 25 W的AVG ， 28 V 。
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
MRF5S4125NR1
CASE 1484至1404年，风格1
TO - 272 WB - 4
MRF5S4125NBR1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度90 ° C， 125瓦CW
外壳温度90 ° C， 25瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.33
0.43
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1100 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.5 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
2.41
74.61
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
2
3.5
0.05
3
4.25
0.175
4
5
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
10
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1100毫安，P
OUT
= 25瓦的魅力。 N - CDMA ， F = 465 MHz时，
单 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
kHz偏置。
PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
22
28
—
—
23
30.2
- 47.6
- 15
25
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
C5
R1
B1
V
供应
+
R2
C6
B2
L3
C13
C14
C15
C16
Z19
RF
输入
R3
Z1
C1
C2
Z3
Z4
Z5
C3
C4
Z2
L1
Z6
Z7
L2
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z18
C11
C9
C10
Z16
Z17
Z20
RF
产量
DUT
C7
C8
Z21
C12
Z22
Z15
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
0.186″
0.206″
1.171″
0.275″
0.985″
0.130″
0.131″
0.675″
0.397″
0.071″
0.008″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.504″
x 0.656″
x 0.084″
x 0.084″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
Z19
Z20
Z21
Z22
PCB
0.063 “× 0.084 ”微带
0.315 “× 0.084 ”微带
0.473 “× 0.084 ”微带
0.522 “× 0.084 ”微带
0.448 “× 0.084 ”微带
0.628 “× 0.084 ”微带
0.291 “× 0.084 ”微带
0.318 “× 0.084 ”微带
0.202 “× 0.084 ”微带
0.190 “× 0.084 ”微带
阿尔隆AD250 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1. MRF5S4125NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF5S4125NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C6, C12, C13
C2, C10
C3, C9
C4
C5, C14, C15
C7
C8
C11
C16
L1, L2
L3
R1
R2
R3
描述
铁氧体磁珠，短
120 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的，可变电容器， Gigatrim
20 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
10
μF,
50 V贴片电容
27 pF的贴片电容
47 pF的贴片电容
3.3 pF的贴片电容
22
μF,
35 V钽电容器
1.6 nH的电感器
27 nH的电感器
1000
Ω,
1/4 W贴片电阻
为10kΩ ， 1/4 W码片电阻
100
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
ATC600B121BT250XT
27291SL
ATC600B200BT250XT
ATC600B8R2BT250XT
GRM55DR61H106KA88L
ATC600B270BT250XT
ATC600B470BT250XT
ATC600B3R3BT250XT
T491X226K035A5
0906 - 2
1812SMS - 27N_L
CRCW12061001FKTA
CRCW12061002FKTA
CRCW1206100RFKTA
生产厂家
博览会 - 爱色丽
ATC
约翰森
ATC
ATC
村田
ATC
ATC
ATC
基美
Coilcraft公司
Coilcraft公司
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C6
B1
C14
R1
C15
B2
R2
C13
C16
C5
切出区
L3
R3
C1
C2
L1
L2
C3
C4
C8
C7
C9
C11
C10
C12
MRF5S4125N
第1版
图2. MRF5S4125NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
0
5
10
15
20
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
0
5
10
15
20
I
DQ
= 550毫安
562.5毫安
825毫安
40
1375毫安
1100毫安
50
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
200 300
1
10
100
200 300
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
25
24
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22
21
ACPR
20
19
IRL
18
60
ALT1
430
440
450
460
470
480
490
65
500
17
420
1.2288 MHz的信道带宽
PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％概率（ CCDF ）
η
D
G
ps
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 25瓦（平均）。
I
DQ
= 1100毫安，单载波n -CDMA
36
32
28
24
45
50
55
男，频率（MHz）
图3.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 25瓦的魅力。
25
24
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22
21
20
19
18
ACPR
IRL
G
ps
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 58 W（平均）。
I
DQ
= 1100毫安，单载波n -CDMA
1.2288兆赫，信道带宽
PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％概率（ CCDF ）
η
D
52
48
44
40
20
30
40
50
60
500
ALT1
17
420
430
440
450
460
470
480
490
男，频率（MHz）
图4.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 58瓦的魅力。
25
24
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22
21
20
19
18
V
DD
= 28伏直流
F1 = 465兆赫， F2 = 467.5兆赫
两个-Tone测量， 2.5 MHz的音调间隔
1375毫安
1100毫安
825毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 1650毫安
10
V
DD
= 28伏直流
F1 = 465兆赫， F2 = 467.5兆赫
两个-Tone测量， 2.5 MHz的音调间隔
20
30
550毫安
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V3090N
第1版， 12/2011
RF功率LDMOS晶体管
增强 - 模式横向的MOSFET
专为商业和工业的宽带应用
频率在470到860兆赫。设备适合于广播应用
应用程序。
典型性能（窄带测试电路） ： V
DD
= 50伏，我
DQ
=
350毫安， 64 QAM ，输入信号PAR = 9.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
信号类型
DVB - T（ 8K OFDM ）
P
OUT
(W)
18魅力。
f
（兆赫）
860
G
ps
（ dB）的
22.0
η
D
(%)
28.5
ACPR
（ DBC）
--62.0
MRF6V3090NR1
MRF6V3090NR5
MRF6V3090NBR1
MRF6V3090NBR5
470-
-860兆赫， 90 W， 50 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
典型性能（宽带参考电路） ： V
DD
= 50伏，
I
DQ
= 450毫安， 64 QAM ，输入信号PAR = 9.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
P
OUT
(W)
18魅力。
f
（兆赫）
470
650
860
G
ps
（ dB）的
21.6
22.9
21.9
η
D
(%)
26.8
28.0
28.3
产量
信号PAR
（ dB）的
8.6
8.7
7.9
IMD
肩
（ DBC）
--31.8
--34.4
--29.2
信号类型
DVB - T（ 8K OFDM ）
CASE 1486-
-03 ，风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6V3090NR1(NR5)
特点
能够处理10 ： 1 VSWR ，所有相位角， @ 50伏直流电， 860兆赫，
90瓦的连续输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部输入匹配的易用性
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
优良的热稳定性
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
225℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
符号
R
θJC
CASE 1484-
-04 ，风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6V3090NBR1(NBR5)
部分单
-ENDED
门
漏
门
漏
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度76 ° C， 18瓦CW ， 50伏直流电，我
DQ
= 350毫安， 860兆赫
外壳温度80 ° C， 90瓦CW， 50伏直流电，我
DQ
= 350毫安， 860兆赫
价值
(2,3)
0.79
0.82
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2010--2011 。版权所有。
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 (2001--4000 V)
B（ 201--400 V）
四， （ >1000 V）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 50 mA时， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 350 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 0.5 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(1)
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
41
65.4
591
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
2.0
—
1.6
2.7
0.2
2.4
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
115
—
—
—
—
—
—
0.5
—
10
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（在飞思卡尔的DVB - T的窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350毫安， P
OUT
= 18瓦平均，
F = 860 MHz的DVB - T（ 8K OFDM）单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@
±4
MHz偏移@ 4 kHz的带宽。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
21.0
27.5
—
—
22.0
28.5
--62.0
--14
24.0
—
--60.0
--9
dB
%
dBc的
dB
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
+
C1
R1
C2
C3
Z8
Z10
C8
C9
C10
V
供应
RF
输入
C4 R2
Z1
C5
C6
C7
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z9
Z12
Z13
Z14
Z15 Z16
Z17
C14
Z18
RF
产量
C15
DUT
Z11
C11
C12
C13
+
C16
C17
C18
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.266″
×
0.067 “微带
0.331″
×
0.067 “微带
0.598″
×
0.067 “微带
0.315″
×
0.276 “微带
0.054″
×
0.669 “微带
0.419″
×
0.669 “微带
0.256″
×
0.669 “微带
0.986″
×
0.071 “微带
0.201″
×
0.571 “微带
Z10, Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
1.292″
×
0.079 “微带
0.680″
×
0.571 “微带
0.132″
×
0.117 “微带
0.705″
×
0.117 “微带
0.159″
×
0.117 “微带
0.140″
×
0.067 “微带
0.077″
×
0.067 “微带
0.163″
×
0.067 “微带
图2. MRF6V3090NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的窄带测试电路原理图
表6. MRF6V3090NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的窄带测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C9, C17
C3, C5, C8, C14, C16
C4
C6
C7
C10, C18
C11, C15
C12
C13
R1
R2
PCB
描述
22
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
50 V贴片电容
43 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
2.2 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
220
μF,
100V的电解电容器
7.5 pF的贴片电容
3.0 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容
为10kΩ ， 1/4 W码片电阻
10
,
1/4 W贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 3.5
产品型号
T491X226K035AT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B430JT500XT
ATC100B6R2BT500XT
ATC100B2R2JT500XT
ATC100B9R1CT500XT
EEVFK2A221M
ATC100B7R5CT500XT
ATC100B3R0CT500XT
ATC100B0R7BT500XT
CRCW120610KOJNEA
CRCW120610ROJNEA
RF--35
生产厂家
Kermet
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
松下 - ECG
ATC
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
Taconic的
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C10
C8
R1
C2
C3
C9
C4
R2
切出区
C15
C11
C5
C6
C7
MRF6V3090N
第0版
C12
C16
C17
C18
--
图3. MRF6V3090NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的窄带测试电路元件布局
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
--
C14
C13
典型特征
1000
C
国际空间站
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
C，电容（pF ）
22
21
20
19
18
17
50
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
η
D
G
ps
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
70
60
50
40
30
20
10
0
200
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
100
C
OSS
C
RSS
10
0
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫，V
GS
= 0伏
10
20
30
40
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
图4.电容与漏极 -
- 源电压
图5. CW功率增益和漏极效率
与输出功率（窄带测试电路）
25
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
22
21
20
19
18
17
V
DD
= 40 V
10 20 30 40
50 60
70 80 90 100 110 120 130 140 150
50 V
45 V
56
55
P
OUT
，输出功率（dBm ）
54
53
52
51
50
49
48
47
--6
--5
P3dB = 51.28 dBm的（ 134.3 W）
P2DB = 51.06 dBm的（ 127.6 W）
的P1dB = 50.7 dBm的（ 117.5 W）
理想
I
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
实际
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
--4
--3
--2
--1
0
1
2
3
4
P
in
输入功率（dBm ）
16
P
OUT
，输出功率（瓦）
图6.连续输出功率与输入功率
（窄带测试电路）
25
24
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22
21
20
19
18
85_C
G
ps
T
C
= --30_C
图7. CW功率增益与输出功率
（窄带测试电路）
70
60
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
85_C
50
25_C
40
30
η
D
20
10
0
200
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
T
C
= --30_C
25_C
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
图8. CW功率增益和漏极效率与
输出功率（窄带测试电路）
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP3091N
第1版， 12/2011
RF功率LDMOS晶体管
增强 - 模式横向的MOSFET
专为商业和工业的宽带应用
频率在470到860兆赫。设备适合于广播应用
应用程序。
典型性能（宽带参考电路） ： V
DD
= 50伏，
I
DQ
= 450毫安， 64 QAM ，输入信号PAR = 9.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
P
OUT
(W)
18魅力。
f
（兆赫）
470
650
860
G
ps
（ dB）的
21.8
21.6
21.7
η
D
(%)
31.0
26.4
27.6
产量
信号PAR
（ dB）的
7.9
8.4
7.1
IMD
肩
（ DBC）
--27.8
--37.6
--30.4
MRF6VP3091NR1
MRF6VP3091NR5
MRF6VP3091NBR1
MRF6VP3091NBR5
470-
-860兆赫， 90 W， 50 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
信号类型
DVB - T（ 8K OFDM ）
特点
能够处理10 ： 1 VSWR ，所有相位角， @ 50伏直流电， 860兆赫，
90瓦的连续输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部输入匹配的易用性
合格高达50伏的最大
DD
手术
优良的热稳定性
设备可用于单 - 端或在一个推 - 拉配置
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
225℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
CASE 1486-
-03 ，风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6VP3091NR1(NR5)
CASE 1484-
-04 ，风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6VP3091NBR1(NBR5)
部分推挽
-PULL
门1
排水1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +115
--6.0, +10
--65到150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
门2
排水2
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度76 ° C， 18瓦CW ， 50伏直流电，我
DQ
= 350毫安， 860兆赫
外壳温度80 ° C， 90瓦CW， 50伏直流电，我
DQ
= 350毫安， 860兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.79
0.82
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2011。保留所有权利。
MRF6VP3091NR1
MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 (2001--4000 V)
B（ 201--400 V）
四， （ >1000 V）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 50 mA时， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 350 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 0.25 ADC）
动态特性
反向传输电容
(2)
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(2)
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(2)
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
41
65.4
591
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
2.0
—
1.6
2.7
0.2
2.4
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
115
—
—
—
—
—
—
0.5
—
10
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔单 - 端窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350毫安， P
OUT
= 18瓦平均，
F = 860 MHz的DVB - T（ 8K OFDM）单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@
±4
MHz偏移@ 4 kHz的带宽。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
21.0
27.5
—
—
22.0
28.5
--62.0
--14
24.0
—
--60.0
--9
dB
%
dBc的
dB
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
C1
R1
C2
C3
Z8
Z10
C4 R2
+
C8
C9
C10
V
供应
RF
输入
Z1
C5
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
DUT
Z9
Z12
Z13
Z14
Z15 Z16
Z17
C14
Z18
RF
产量
C6
C7
Z11
C15
C11
C12
C13
+
C16
C17
C18
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.266″
×
0.067 “微带
0.331″
×
0.067 “微带
0.598″
×
0.067 “微带
0.315″
×
0.276 “微带
0.054″
×
0.669 “微带
0.419″
×
0.669 “微带
0.256″
×
0.669 “微带
0.986″
×
0.071 “微带
0.201″
×
0.571 “微带
Z10, Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
1.292″
×
0.079 “微带
0.680″
×
0.571 “微带
0.132″
×
0.117 “微带
0.705″
×
0.117 “微带
0.159″
×
0.117 “微带
0.140″
×
0.067 “微带
0.077″
×
0.067 “微带
0.163″
×
0.067 “微带
图2. MRF6VP3091NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的单
-Ended窄带测试电路原理图
表6. MRF6VP3091NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的单
-Ended窄带测试电路组件标识和
值
部分
C1
C2, C9, C17
C3, C5, C8, C14, C16
C4
C6
C7
C10, C18
C11, C15
C12
C13
R1
R2
PCB
描述
22
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
50 V贴片电容
43 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
2.2 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
220
μF,
100V的电解电容器
7.5 pF的贴片电容
3.0 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容
为10kΩ ， 1/4 W码片电阻
10
,
1/4 W贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 3.5
产品型号
T491X226K035AT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B430JT500XT
ATC100B6R2BT500XT
ATC100B2R2JT500XT
ATC100B9R1CT500XT
EEVFK2A221M
ATC100B7R5CT500XT
ATC100B3R0CT500XT
ATC100B0R7BT500XT
CRCW120610KOJNEA
CRCW120610ROJNEA
RF--35
生产厂家
Kermet
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
松下 - ECG
ATC
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
Taconic的
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C10
C8
R1
C2
C3
C9
C4
R2
切出区
C15
C11
C5
C6
C7
MRF6V3090N
第0版
C12
C16
C17
C18
--
图3. MRF6VP3091NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的单
-Ended窄带测试电路元件布局
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
--
C14
C13
典型特征
1000
C
国际空间站
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
C，电容（pF ）
22
21
20
19
18
17
50
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
η
D
G
ps
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
70
60
50
40
30
20
10
0
200
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
100
C
OSS
C
RSS
10
0
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫，V
GS
= 0伏
10
20
30
40
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
图4.电容与漏极 -
- 源电压
图5. CW功率增益和漏极效率
与输出功率（单
-ENDED
窄带测试电路）
25
I
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
56
55
P
OUT
，输出功率（dBm ）
54
53
52
51
50
49
48
47
--6
--5
P3dB = 51.28 dBm的（ 134.3 W）
P2DB = 51.06 dBm的（ 127.6 W）
理想
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
22
21
20
19
18
17
16
4
的P1dB = 50.7 dBm的（ 117.5 W）
实际
50 V
45 V
V
DD
= 40 V
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
P
OUT
，输出功率（瓦）
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
--4
--3
--2
--1
0
1
2
3
P
in
输入功率（dBm ）
图6.连续输出功率与输入功率
（单
-Ended窄带测试电路）
25
24
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22
21
20
19
18
85_C
G
ps
T
C
= --30_C
图7. CW功率增益与输出功率
（单
-Ended窄带测试电路）
70
60
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
85_C
50
25_C
40
30
η
D
20
10
0
200
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
T
C
= --30_C
25_C
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
图8. CW功率增益和漏极效率
与输出功率与温度
（单
-Ended窄带测试电路）
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
