飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MD7IC21100N
第2版， 2/2012
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MD7IC21100N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可用2110至2170年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作，并涵盖了所有典型的蜂窝基站
站调制格式，包括TD - SCDMA 。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1A
+
I
DQ1B
= 190 mA时，我
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925毫安，P
OUT
= 32瓦平均，
F = 2167.5兆赫， IQ幅度裁剪，信道带宽= 3.84 MHz时，
输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 28.5分贝
功率附加效率 - 30 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - --38 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫，P
OUT
= 110瓦CW
从额定P （3 dB输入过载
OUT
)
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺下面--60 dBc的@ 1毫瓦到100瓦CW
P
OUT
.
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
110瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的来源S参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，在每面的基础上，直流阻塞）
内部匹配的易用性
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
MD7IC21100NR1
MD7IC21100GNR1
MD7IC21100NBR1
2110-
-2170兆赫， 32瓦平均， 28 V
单W-
-CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 1618-
-02
TO -
WB- -270
-14
塑料
MD7IC21100NR1
CASE 1621-
-02
TO -
WB- -270
-14 GULL
塑料
MD7IC21100GNR1
CASE 1617-
-02
TO -
WB- -272
-14
塑料
MD7IC21100NBR1
V
DS1A
RF
INA
V
GS1A
V
GS2A
V
GS1B
V
GS2B
RF
INB
V
DS1B
RF
out1
/V
DS2A
静态电流
温度补偿
(1)
静态电流
温度补偿
(1)
RF
out2
/V
DS2B
V
DS1A
V
GS2A
V
GS1A
NC
RF
INA
NC
NC
RF
INB
NC
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
out1
/V
DS2A
13
RF
out2
/V
DS2B
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2008年， 2011--2012 。版权所有。
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
--0.5, +65
--0.5, +6.0
32, +0
--65到150
150
225
29
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
（外壳温度76 ° C， 32瓦CW）
（外壳温度76 ° C， 32瓦CW）
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925毫安
符号
R
θJC
2.7
0.7
价值
(2,3)
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
0
A
III
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
(4)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
(4)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 50
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190 MADC ，测量功能测试）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1
—
5.5
2
2.9
6.3
3
—
7
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
4.设备的每一侧分别测得。
（续）
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
第2阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 270
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
第2阶段 - 动态特性
(1,2)
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
OSS
—
380
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1
—
5.3
0.1
2
2.8
5.9
0.3
3
—
6.8
0.8
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔宽带2110--2170 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190 mA时，我
DQ2A
+
I
DQ2B
= 925毫安，P
OUT
= 32瓦的魅力， F = 2167.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
PAE
PAR
ACPR
IRL
27
27
5.6
—
—
28.5
30
6.1
--38
--15
32
—
—
--36
--9
dB
%
dB
dBc的
dB
典型的表演
(3)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190 mA时，我
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925毫安，
2110--2170 MHz带宽
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 112 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的（三角洲IMD三阶互调
上，下边带> 2分贝）之间
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 32瓦的魅力。
在整个温度范围静态电流精度
4.7 kΩ的门馈电电阻（ -30至85°C ）
(4)
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 110瓦特CW
平均群时延@ P
OUT
= 110瓦特CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 110瓦特CW ，
F = 2140兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化（ -30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化（ -30 ° C至+ 85°C ）
1.
2.
3.
4.
P1dB
IMD
符号
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
110
50
50
0.3
±3
0.6
2.6
35
0.042
0.003
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
dB
%
°
ns
°
分贝/°C的
分贝/°C的
W
兆赫
VBW
水库
G
F
I
QT
Φ
延迟
Φ
G
P1dB
设备的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
端配置 - 测量单个制作与设备。
请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
V
DD1
R6
C7
1
2
3
4 NC
5
DUT
静态电流
温度补偿
14
Z3
Z4
Z5
Z6
Z8
V
DD2
V
GG2
V
GG1
RF
输入
R1
R2
C9
C16
C18
C3
C4
Z1
Z2
6 NC
7 NC
8
9 NC
10
11
12
13
静态电流
温度补偿
Z7
C11
RF
产量
V
GG1
V
GG2
V
DD1
R3
R4
C14
Z9
C12
C13
C15
R5
C8
C2
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
0.066 “× 2.193 ”微带
0.141 “× 0.126 ”微带
0.628 “× 0.045 ”微带
0.628 “× 0.340 ”微带
0.066 “× 0.581 ”微带
Z6
Z7
Z8, Z9
PCB
C10
C17
C19
C5
C6
0.066 “× 0.821 ”微带
0.066 “× 0.533 ”微带
0.080 “× 0.902 ”微带
罗杰斯RO4350B ， 0.030 “ ，
ε
r
= 3.5
图3. MD7IC21100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MW7IC2220NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2, C3, C4, C5, C6
C7, C8, C9, C10
C11
C12, C13, C14
C15
C16, C17
C18, C19
R1, R2, R3, R4
R5, R6
描述
10
μF,
50 V贴片电容
5.1 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
1.2 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
0.1
μF,
100 V贴片电容
1
μF,
100 V贴片电容
4.7 kΩ的1/4 W贴片电阻
2
,1/2
W贴片电阻
产品型号
GRM55DR61H106KA88B
ATC100B5R1CT500XT
ATC100B100JT500XT
ATC100B1R2CT500XT
ATC100B0R5CT500XT
GRM32NR72A104KA01B
GRM32EER72A105KA01L
CRCW12064701FKEA
CRCW12102R00FKEA
生产厂家
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
村田
村田
日前，Vishay
日前，Vishay
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R6
C18
V
GG2
R1
R2
C1
V
DD1
C7
C9
C16
C4
C12
C15
切出区
C11
C3
V
GG1
MD7IC21100N
第2版
V
GG1
R3
C8
V
GG2
R4
C2
C13
C14
C5
C17
R5
C10
C19
C6
图4. MD7IC21100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件布局
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S23140H
第2版， 12/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率在2300
2400兆赫。适用于WiMAX和无线宽带和多载波放大器应用。
将在AB类和C类WLL应用中使用。
典型2 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1300毫安，
P
OUT
= 28瓦的魅力。 ， F = 2390 MHz的信道带宽= 3.84 MHz时，
PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 15.2分贝
漏极效率 - 25 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37 dBc的在3.84 MHz信道带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 40 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2390兆赫， 140瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S23140HR3
MRF6S23140HSR3
2300至2400年兆赫， 28瓦AVG ， 28 V 。
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF6S23140HR3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF6S23140HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度82 ° C， 140瓦特CW
外壳温度75 ° C， 28瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.29
0.33
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年， 2008年。保留所有权利。
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1300 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
2
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
0.1
2
2.8
0.21
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
nΑdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1300毫安，P
OUT
。 = 28瓦的魅力， F = 2390兆赫， 2 - 运营商
W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量
3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。 PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
13
23
—
—
—
15.2
25
- 37
- 40
- 15
17
—
- 35
- 38
—
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
Z12
R1
V
BIAS
+
C12
+
C11
C10
C9
Z11
C3
RF
输入
Z7
Z6
Z13
Z8
DUT
Z9
Z10
C6
B1
C5
C17
C18
C19
C20
V
供应
Z15
Z16
Z17
C2
Z18
RF
产量
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
C4
B2
+
C16
+
C15
C14
C13
Z14
C8
+
C7
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z10
Z11, Z13
Z12, Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
PCB
C21
C22
C23
C24
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5, Z6
Z7
Z8
Z9
0.678″
0.420″
0.845″
0.175″
0.025″
0.514″
0.507″
0.097″
x 0.068″
x 0.068″
x 0.200″
x 0.530″
x 0.530″
x 0.050″
x 0.050″
x 1.170″
0.193 “× 1.170 ”微带
0.712 “× 0.095 ”微带
0.098 “× 0.095 ”微带
0.115 “× 0.550 ”微带
0.250 “× 0.110 ”微带
0.539 “× 0.068 ”微带
0.956 “× 0.068 ”微带
Taconic的RF - 35 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 3.5
图1. MRF6S23140HR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S23140HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2, C3, C4, C5, C6, C7, C8
C9, C13
C10, C14, C17, C21
C11, C15
C12, C16
C18, C19, C22, C23
C20, C24
R1
描述
铁氧体磁珠，短
5.6 pF的贴片电容
0.01
μF,
100 V贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
22
μF,
25 V片式钽电容器
47
μF,
16 V片式钽电容器
10
μF,
50 V贴片电容
330
μF,
63 V电解电容器
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
ATC100B5R6CT500XT
C1825C103J1RAC
C1825C225J5RAC
T491D226K025AT
T491D476K016AT
GRM55DR61H106KA88B
EMVY630GTR331MMH0S
CRCW120610R0FKEA
生产厂家
博览会 - 爱色丽
ATC
基美
基美
基美
基美
村田
CHEMI - 精读
日前，Vishay
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C6
R1
B1
C5
C3
C12 C11
C10*
C9*
C17
C19
C20
C18
切出区
C1
C2
MRF6S23140H
REV 3
C21
C22
C4
C16
B2
C15
C14*
*叠放
C13*
C8
C24
C7
C23
图2. MRF6S23140HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
15.6
15.5
G
ps
，功率增益（分贝）
15.4
V
DD
= 28伏直流
15.3 P
OUT
= 28 W（平均）。
I
DQ
= 1300毫安，2-载波W-CDMA中
15.2 10 MHz载波间距， 3.84 MHz信道带宽
PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
15.1
15
14.9
14.8
2270
IM3
IRL
ACPR -40
2290
2310
2330
2350
2370
2390
2410
42
2430
G
ps
28
27
26
η
D
25
34
36
38
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
6
9
12
15
18
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 28瓦的魅力。
15.1
15
G
ps
，功率增益（分贝）
14.9 V
DD
= 28伏直流
P
OUT
= 56 W（平均）。
14.8 I
DQ
= 1300毫安，2-载波W-CDMA中
10 MHz载波间距， 3.84 MHz信道带宽
14.7 PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
14.6
IM3
14.5
14.4
14.3
2270
IRL
ACPR
29
31
G
ps
η
D
38
37
36
35
25
27
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
6
9
12
15
18
2290
2310
2330
2350
2370
2390
2410
33
2430
男，频率（MHz）
图4 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 56瓦的魅力。
18
17
G
ps
，功率增益（分贝）
16
15
975毫安
14
13
12
11
1
650毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2345兆赫， F2 = 2355 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
300
I
DQ
= 1950毫安
1625毫安
1300毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
10
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2345兆赫， F2 = 2355 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
20
30
I
DQ
= 650毫安
40
1625毫安
50
975毫安
60
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
300
1300毫安
1950毫安
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6P27160H
第2版， 12/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2600到
2700兆赫。适用于WiMAX和无线宽带和多载波放大器应用。
使用在AB类和C类的WLL应用。
典型的单载波N - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1800毫安，P
OUT
。 = 35瓦的魅力， F = 2660 MHz的IS - 95 CDMA （先导，同步，
寻呼，交通守则8 13 ） ，信道带宽= 1.2288兆赫，
PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 14.6分贝
漏极效率 - 22.6 ％
ACPR @ 885 kHz偏置 - - 47.8 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2650兆赫， 160瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6P27160HR6
2600- 2700兆赫， 35瓦平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375D - 05 ，风格1
NI - 1230
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度79 ° C，为160W CW
外壳温度71 ° C， 35瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.29
0.31
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2005 - 2006 ， 2008。保留所有权利。
MRF6P27160HR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
III （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 250
μAdc ）
门静态电压
(3)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1800 MADC ，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.2 ADC）
动态特性
(1,2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
2.8
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
—
2
2.8
0.21
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1800毫安， P
OUT
= 35瓦的魅力。 N - CDMA ， F = 2660兆赫，
单载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±885
kHz偏置。
PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
3.测量与制作设备推 - 拉配置。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
13
20
—
—
14.6
22.6
- 47.8
- 13
16
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
MRF6P27160HR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
+
C7
+
C6
C5
C4
R1
C3
Z35
Z37
+
C15
C16
C17
C18
+
C19
Z31
C13
RF
产量
Z32 Z33
DUT
V
供应
Z17 Z19 Z21 Z23 Z25 Z27 Z29
Z3
RF
输入Z1
Z2
C2
C1
Z5
Z7
Z9
Z11
Z13
Z15
Z4
Z6
Z8
Z10
Z12
Z14
Z16 Z18 Z20 Z22 Z24 Z26 Z28
C14
B2
V
BIAS
+
+
C10 C9
C8
C20
C21
C22
R2
C12 C11
Z34
Z36
+
C23
+
C24
Z30
V
供应
Z1
Z2, Z30
Z3, Z31
Z4, Z5
Z6, Z7
Z8, Z9
Z10, Z11
Z12, Z13
Z14, Z15
Z16, Z17
Z18, Z19
1.011 “× 0.139 ”微带
0.150 “× 0.070 ”微带
1.500 “× 0.086 ”微带
0.050 “× 0.230 ”微带
0.170 “× 0.080 ”微带
0.144 “× 0.340 ”微带
0.400 “× 0.210 ”微带
0.280 “× 0.710 ”微带
0.461 “× 0.490 ”微带
0.357 “× 0.766 ”微带
0.284 “× 0.415 ”微带
Z20, Z21
Z22, Z23
Z24, Z25
Z26, Z27
Z28, Z29
Z32
Z33
Z34, Z35
Z36, Z37
PCB
0.160 “× 0.760 ”微带
0.240 “× 0.150 ”微带
0.170 “× 0.420 ”微带
0.260 “× 0.080 ”微带
0.040 “× 0.258 ”微带
0.622 “× 0.139 ”微带
0.346 “× 0.081 ”微带
0.801 “× 0.050 ”微带
0.460 “× 0.095 ”微带
阿尔隆GX - 0300- 5022 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1. MRF6P27160HR6测试电路原理图
表5. MRF6P27160HR6测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2
C3, C8, C15, C20
C4, C9
C5, C10
C6, C11
C7, C12
C13, C14
C16, C17, C21, C22
C18, C23
C19, C24
R1, R2
描述
珠，表面贴装
5.6 pF的贴片电容
3.3 pF的贴片电容
0.01
μF
贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
22
μF,
25 V片式钽电容器
47
μF,
16 V片式钽电容器
4.3 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
47
μF,
50 V电解电容器
330
μF,
63 V电解电容器
3.3
W,
1/3 W贴片电阻
产品型号
2743019447
ATC100B5R6CT500XT
ATC100B3R3CT500XT
C1825C103J1RAC
C1825C225J5RAC
T491D226K025AT
T491D476K016AT
ATC100B4R3CT500XT
GRM55DR61H106KA88B
EMVY500ADA470MF80G
EMVY630GTR331MMH0S
CRCW121003R3FKEA
生产厂家
Fair-仪式
ATC
ATC
基美
基美
基美
基美
ATC
村田
化学精读
化学精读
日前，Vishay
MRF6P27160HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C17
C7 C6
B1
R1
C3
C5* C4*
C15
C16
C18
+
-
C19
C1
C13
切出区
C2
C14
MRF6P27160H
第5版
C20
C21
C24
C10*
C8
B2
C12 C11
R2
C22
C23
*叠放
图2. MRF6P27160HR6测试电路元件布局
MRF6P27160HR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
-
C9*
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
10
11
12
13
14
15
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
10
11
12
13
14
15
16
IRL ，输入回波损耗（分贝）
2700毫安
I
DQ
= 900毫安
40
IRL ，输入回波损耗（分贝）
16
15.8
15.6
G
ps
，功率增益（分贝）
15.4
15.2 V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 35 W（平均） ，
15 I
DQ
= 1800毫安，N -CDMA IS- 95飞行员，
同步，寻呼，交通守则8到13
14.8
14.6
14.4
14.2
G
ps
IRL
η
D
24
23
22
21
20
40
45
ACPR
ALT1
50
55
60
65
14
2600 2610 2620 2630 2640 2650 2660 2670 2680 2690 2700
男，频率（MHz）
图3.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 35瓦的魅力。
15.2
15.1
15
G
ps
，功率增益（分贝）
14.9
14.8
14.7
14.6
14.5
14.4
14.3
14.2
ACPR
ALT1
G
ps
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 70 W（平均） ，
I
DQ
= 1800毫安，N -CDMA IS- 95飞行员，
同步，寻呼，交通守则8到13
35
34
33
32
31
30
30
35
40
45
50
IRL
55
14.1
60
14
2600 2610 2620 2630 2640 2650 2660 2670 2680 2690 2700
男，频率（MHz）
图4.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 70瓦的魅力。
17
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 2700毫安
16
G
ps
，功率增益（分贝）
2250毫安
1800毫安
15
1350毫安
14
20
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2643.75兆赫， F2 = 2646.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
30
50
1800毫安
60
0.1
1
1350毫安
10
2250毫安
13
12
0.1
900毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2643.75兆赫， F2 = 2646.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
1
10
100
400
100
300
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6P27160HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
