飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V12500H
第3版， 6/2012
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
射频功率晶体管设计的频率运行的应用程序
之间960和1215兆赫。这些设备适合于使用脉冲
应用程序。
典型的脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 200毫安，
脉冲宽度= 128
微秒，
占空比= 10 ％
应用
窄带
宽带
P
OUT
(W)
500峰
500峰
f
（兆赫）
1030
960--1215
G
ps
（ dB）的
19.7
18.5
η
D
(%)
62.0
57.0
MRF6V12500HR3
MRF6V12500HSR3
960-
-1215兆赫， 500 W， 50 V
脉冲
横向N-
声道
RF功率MOSFET
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 1030兆赫， 500瓦峰值
动力
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 14 。
CASE 465-
-06 ，风格1
NI-
-780
MRF6V12500HR3
CASE 465A-
-06 ，风格1
NI-
-780S
MRF6V12500HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 500 W脉冲， 128
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
符号
Z
θJC
价值
(2,3)
0.044
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2009--2010 ， 2012年保留所有权利。
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 ，通过2600 V
B，通过200伏
四，通过2000伏
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 200 mA）的
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 90伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1.32毫安）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 200 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.26 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
0.2
697
1391
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
1.7
—
1.7
2.4
0.25
2.4
3.2
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
20
200
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 200毫安， P
OUT
= 500瓦峰值（ 50瓦的魅力。 ）
F = 1030兆赫， 128
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
18.5
58.0
—
19.7
62.0
--18
22.0
—
--9
dB
%
dB
典型的宽带性能 - 960-
-1215兆赫
（飞思卡尔960--1215兆赫测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流电，
I
DQ
= 200毫安， P
OUT
= 500瓦峰值（ 50瓦平均） ， F = 960--1215兆赫， 128
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
功率增益
漏EF网络效率
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
η
D
—
—
18.5
57.0
—
—
dB
%
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
R3
R1
C5
C9
C8
C7
C3
Z19
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
C12
C13
+
C14
+
C15
V
供应
RF
输入
Z15
Z16
Z17
C2
Z18
RF
产量
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
DUT
Z20
Z21
R4
R2
C6
C4
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
Z19, Z21
PCB
C16
C11
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9, Z20
Z10
C10
0.457 “× 0.080 ”微带
0.250 “× 0.080 ”微带
0.605 “× 0.040 ”微带
0.080 “× 0.449 ”微带
0.374 “× 0.608 ”微带
0.118 “× 1.252 ”微带
0.778 “× 1.710 ”微带
0.095 “× 1.710 ”微带
0.482 “× 0.050 ”微带
0.138 “× 1.500 ”微带
0.161 “× 1.500 ”微带
0.613 “× 1.281 ”微带
0.248 “× 0.865 ”微带
0.087 “× 0.425 ”微带
0.309 “× 0.090 ”微带
0.193 “× 0.516 ”微带
0.279 “× 0.080 ”微带
0.731 “× 0.080 ”微带
0.507 “× 0.040 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300--55--22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6V12500HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6V12500HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2
C3, C4, C5, C6
C7, C10
C8, C11, C13, C16
C9
C12
C14, C15
R1, R2
R3, R4
描述
5.1 pF的贴片电容
33 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
2.2
μF,
100 V贴片电容
22
μF,
25 V贴片电容
1
μF,
100 V贴片电容
470
μF,
63 V电解电容器
56
,
1/4 W贴片电阻
0
,
3芯片电阻器
产品型号
ATC100B5R1CT500XT
ATC100B330JT500XT
GRM55DR61H106KA88L
2225X7R225KT3AB
TPSD226M025R0200
GRM31CR72A105KA01L
MCGPR63V477M13X26--RH
CRCW120656R0FKEA
CRCW12060000Z0EA
生产厂家
ATC
ATC
村田
ATC
AVX
村田
MULTICOMP
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C14
R3
MRF6V12500H
第1版
C9
C12
C8
C7
R1
C3
C5
C13
C15
切出区
C1
C2
R2
C11 C10
R4
C4
C6
C16
图2. MRF6V12500HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
10000
1000
C，电容（pF ）
100
10
1
C
RSS
0.1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
最大操作时间
例
(°C)
C
国际空间站
C
OSS
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
5
10
15
20
25
占空比（ ％ ）
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 200毫安
F = 1030兆赫，脉冲宽度= 128
微秒
P
OUT
= 525 W
P
OUT
= 500 W
P
OUT
= 475 W
图3.电容与漏极 -
- 源电压
22
21
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19
18
17
16
15
14
30
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 200 mA时， F = 1030 MHz的
脉冲宽度= 128
微秒，
占空比= 10 ％
100
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
η
D
G
ps
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1000
P
OUT
，输出功率（瓦）
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
图4.安全工作区
62
P3dB = 57.6 dBm的（ 575 W）
61
理想
60
59的P1dB = 57.1 dBm的（ 511 W）
58
57
实际
56
55
54
53
52
51
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 200 mA时， F = 1030 MHz的
脉冲宽度= 128
微秒，
占空比= 10 ％
50
49
32
34
36
38
40
42
30
P
in
输入功率（dBm ） PEAK
图5.功率增益和漏极效率
与输出功率
22
21
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19
18
17
30
400毫安
200毫安
600毫安
I
DQ
= 800毫安
G
ps
，功率增益（分贝）
22
21
20
19
18
17
16
15
14
V
DD
= 50伏， F = 1030 MHz的
脉冲宽度= 128
微秒，
占空比= 10 ％
100
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
1000
13
12
30
图6.输出功率与输入功率
I
DQ
= 200 mA时， F = 1030 MHz的
脉冲宽度= 128
微秒
占空比= 10 ％
35 V
50 V
45 V
40 V
V
DD
= 30 V
100
1000
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益与输出功率
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
