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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： AFT05MS031N
第0版， 6/2012
RF功率LDMOS晶体管
高耐用性N - 通道
增强 - 模式横向的MOSFET
专为移动2 - 双向无线电应用与频率
136至520兆赫。高增益，耐用性和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，共源放大器
应用在移动无线电设备。
典型特性：
（ 13.6伏，T
A
= 25 ° C， CW）
频率
（兆赫）
380--450
(1,3)
450--520
(2,3)
520
(4)
G
ps
（ dB）的
18.3
17.7
17.7
η
D
(%)
64.1
62.0
71.4
P1dB
(W)
31
31
33
TO -
-270-
-2
塑料
AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1
AFT05MS031GNR1
136-
-520兆赫， 31 W， 13.6 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
负载失配/耐用性
频率
（兆赫）
520
(4)
信号
TYPE
CW
VSWR
>65 ： 1 ，在所有
相位角
P
OUT
(W)
47
（ 3分贝高速）
TEST
电压
17
结果
没有设备
降解
1.测量380--450 MHz的超高频宽带的参考电路。
2.测量450--520 MHz的超高频宽带的参考电路。
3.显示的值是在整个的最低测得的性能数据
指定的频率范围。
4.测量520 MHz的窄带测试电路。
TO -
-270- GULL
-2
塑料
AFT05MS031GNR1
特点
特点是操作从136到520兆赫
无与伦比的输入和输出允许频率范围宽利用率
集成ESD保护
综合稳定性增强
宽带 - 整个波段全功率：
136--174兆赫
380--450兆赫
450--520兆赫
225℃有能力塑料包装
卓越的热性能
高线性度为： TETRA ， SSB ， LTE
成本 - 效益超过 - 模压塑料封装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，有24毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
典型应用
输出级VHF频段移动通信
输出级的UHF频段移动通信
门
漏
（ TOP VIEW ）
注意：该包的背面是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
P
D
T
J
价值
--0.5, +40
--6.0, +12
17, +0
--65到150
294
1.47
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
W
W / ℃，
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度79 ° C， 31 W CW ， 13.6伏，我
DQ
= 10毫安， 520兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.67
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 ，通过2500 V
A，通过100伏
四，通过2000伏
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 40 VDC ，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 13.6伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 115
μAdc ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.2 ADC）
正向跨导
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 7.5 ADC）
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
g
fs
1.6
—
—
2.1
0.13
5.8
2.6
—
—
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
2
1
600
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 13.6伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 13.6伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 13.6伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
漏EF网络效率
频率
（兆赫）
520
信号
TYPE
CW
P
OUT
(W)
47
（ 3分贝高速）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.6
49.5
109
—
—
—
pF
pF
pF
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 13.6伏，我
DQ
= 10毫安， P
OUT
= 31 W， F = 520兆赫
G
ps
η
D
16.5
70.0
17.7
71.4
19.0
—
dB
%
负载失配/耐用性
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆的系统，我
DQ
= 10 mA）的
VSWR
>65 ： 1 ，在所有相位角
测试电压V
DD
17
结果
没有设备退化
1.测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。导致形成用于鸥
翼（GN）的部件。
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
典型特征
1000
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫，V
GS
= 0伏
C，电容（pF ）
C
国际空间站
C
OSS
I
DS
，漏极电流（ AMPS ）
7
6
5
4
3
2
1
2.75伏
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
注意：
测定用绑在一起的晶体管的两侧。
3.25伏
3 VDC
T
A
= 25°C
V
GS
= 4.25伏
4 VDC
3.75伏
3.5 VDC
100
10
C
RSS
1
图2.电容与漏极 -
- 源电压
图3.漏电流与漏极 -
- 源电压
10
9
10
8
I
D
- 2.5安培
平均无故障时间（小时）
10
7
10
6
3.9 AMPS
10
5
10
4
90
110
130
150
170
190
210
230
250
T
J
，结温（ ° C）
注意：
平均无故障时间的值表示总累计时间
下所示的试验条件。
3.2安培
V
DD
= 13.6伏
图4. MTTF与结温 - CW
-
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
520 MHz的窄带生产测试夹具
C1
C7
B1
C4
L1
C16
C13 C14
B3
C3
C2
C5
B2
C8
C9
切出区
C18
L2
C15
C11
C6
C10
C12
AFT05MS031N
第1版
C17
图5. AFT05MS031NR1窄带测试电路元件布局 - 520兆赫
表6. AFT05MS031NR1窄带测试电路组件标识和价值观 - 520兆赫
部分
B1, B2, B3
C1
C2, C14
C3, C13
C4
C5
C6
C7, C16
C8
C9, C10, C11, C12
C15
C17
C18
L1
L2
PCB
描述
RF珠，龙
22
μF,
35 V钽电容器
0.01
μF
贴片电容
0.1
μF
贴片电容
200 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
3.9 pF的贴片电容
180 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
36 pF的贴片电容
27 pF的贴片电容
7.5 pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
43 nH的，10转电感
56 nH的电感器
0.030″,
ε
r
= 2.55
产品型号
2743021447
T491X226K035AT
C0805C103K5RAC
CDR33BX104AKWS
ATC100B201JT300XT
ATC100B6R2JT500XT
ATC100B3R9JT500XT
ATC100B181JT200XT
ATC100B100JT500XT
ATC100B360JT500XT
ATC100B270JT500XT
ATC100B7R5JT500XT
SME63V471M12X25LL
B10TJLC
1812SMS--56NJLC
AD255A
生产厂家
博览会 - 爱色丽
基美
基美
基美
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
美贵弥功 - 精读
Coilcraft公司
Coilcraft公司
阿尔隆
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： AFT05MS031N
第0版， 6/2012
RF功率LDMOS晶体管
高耐用性N - 通道
增强 - 模式横向的MOSFET
专为移动2 - 双向无线电应用与频率
136至520兆赫。高增益，耐用性和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，共源放大器
应用在移动无线电设备。
典型特性：
（ 13.6伏，T
A
= 25 ° C， CW）
频率
（兆赫）
380--450
(1,3)
450--520
(2,3)
520
(4)
G
ps
（ dB）的
18.3
17.7
17.7
η
D
(%)
64.1
62.0
71.4
P1dB
(W)
31
31
33
TO -
-270-
-2
塑料
AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1
AFT05MS031GNR1
136-
-520兆赫， 31 W， 13.6 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
负载失配/耐用性
频率
（兆赫）
520
(4)
信号
TYPE
CW
VSWR
>65 ： 1 ，在所有
相位角
P
OUT
(W)
47
（ 3分贝高速）
TEST
电压
17
结果
没有设备
降解
1.测量380--450 MHz的超高频宽带的参考电路。
2.测量450--520 MHz的超高频宽带的参考电路。
3.显示的值是在整个的最低测得的性能数据
指定的频率范围。
4.测量520 MHz的窄带测试电路。
TO -
-270- GULL
-2
塑料
AFT05MS031GNR1
特点
特点是操作从136到520兆赫
无与伦比的输入和输出允许频率范围宽利用率
集成ESD保护
综合稳定性增强
宽带 - 整个波段全功率：
136--174兆赫
380--450兆赫
450--520兆赫
225℃有能力塑料包装
卓越的热性能
高线性度为： TETRA ， SSB ， LTE
成本 - 效益超过 - 模压塑料封装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，有24毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
典型应用
输出级VHF频段移动通信
输出级的UHF频段移动通信
门
漏
（ TOP VIEW ）
注意：该包的背面是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
P
D
T
J
价值
--0.5, +40
--6.0, +12
17, +0
--65到150
294
1.47
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
W
W / ℃，
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度79 ° C， 31 W CW ， 13.6伏，我
DQ
= 10毫安， 520兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.67
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 ，通过2500 V
A，通过100伏
四，通过2000伏
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 40 VDC ，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 13.6伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 115
μAdc ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.2 ADC）
正向跨导
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 7.5 ADC）
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
g
fs
1.6
—
—
2.1
0.13
5.8
2.6
—
—
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
2
1
600
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 13.6伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 13.6伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 13.6伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
漏EF网络效率
频率
（兆赫）
520
信号
TYPE
CW
P
OUT
(W)
47
（ 3分贝高速）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.6
49.5
109
—
—
—
pF
pF
pF
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 13.6伏，我
DQ
= 10毫安， P
OUT
= 31 W， F = 520兆赫
G
ps
η
D
16.5
70.0
17.7
71.4
19.0
—
dB
%
负载失配/耐用性
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆的系统，我
DQ
= 10 mA）的
VSWR
>65 ： 1 ，在所有相位角
测试电压V
DD
17
结果
没有设备退化
1.测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。导致形成用于鸥
翼（GN）的部件。
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
典型特征
1000
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫，V
GS
= 0伏
C，电容（pF ）
C
国际空间站
C
OSS
I
DS
，漏极电流（ AMPS ）
7
6
5
4
3
2
1
2.75伏
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
注意：
测定用绑在一起的晶体管的两侧。
3.25伏
3 VDC
T
A
= 25°C
V
GS
= 4.25伏
4 VDC
3.75伏
3.5 VDC
100
10
C
RSS
1
图2.电容与漏极 -
- 源电压
图3.漏电流与漏极 -
- 源电压
10
9
10
8
I
D
- 2.5安培
平均无故障时间（小时）
10
7
10
6
3.9 AMPS
10
5
10
4
90
110
130
150
170
190
210
230
250
T
J
，结温（ ° C）
注意：
平均无故障时间的值表示总累计时间
下所示的试验条件。
3.2安培
V
DD
= 13.6伏
图4. MTTF与结温 - CW
-
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
520 MHz的窄带生产测试夹具
C1
C7
B1
C4
L1
C16
C13 C14
B3
C3
C2
C5
B2
C8
C9
切出区
C18
L2
C15
C11
C6
C10
C12
AFT05MS031N
第1版
C17
图5. AFT05MS031NR1窄带测试电路元件布局 - 520兆赫
表6. AFT05MS031NR1窄带测试电路组件标识和价值观 - 520兆赫
部分
B1, B2, B3
C1
C2, C14
C3, C13
C4
C5
C6
C7, C16
C8
C9, C10, C11, C12
C15
C17
C18
L1
L2
PCB
描述
RF珠，龙
22
μF,
35 V钽电容器
0.01
μF
贴片电容
0.1
μF
贴片电容
200 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
3.9 pF的贴片电容
180 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
36 pF的贴片电容
27 pF的贴片电容
7.5 pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
43 nH的，10转电感
56 nH的电感器
0.030″,
ε
r
= 2.55
产品型号
2743021447
T491X226K035AT
C0805C103K5RAC
CDR33BX104AKWS
ATC100B201JT300XT
ATC100B6R2JT500XT
ATC100B3R9JT500XT
ATC100B181JT200XT
ATC100B100JT500XT
ATC100B360JT500XT
ATC100B270JT500XT
ATC100B7R5JT500XT
SME63V471M12X25LL
B10TJLC
1812SMS--56NJLC
AD255A
生产厂家
博览会 - 爱色丽
基美
基美
基美
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
美贵弥功 - 精读
Coilcraft公司
Coilcraft公司
阿尔隆
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
用户指南
SLAU375 - 2012年5月
TAS5612L-TAS5614LDDVEVM
本用户指南提供了规范的评估模块（ EVM）为TAS5612L和TAS5614L
数字输入的D类功率级与TAS5538数字音频处理器，带有PWM输出的
德州仪器。该用户指南还介绍了EVM的操作，并提供设计信息
包括原理图，材料清单和PCB布局。
目录
介绍
..................................................................................................................
2
1.1
TAS5612L - TAS5614LDDVEVM特点
......................................................................
5
1.2
EVM物理结构
...........................................................................................
5
2
快速安装指南
..........................................................................................................
6
2.1
静电放电警告
.................................................................................
6
2.2
拆开EVM
................................................................................................
7
2.3
电源设置
...............................................................................................
7
2.4
扬声器连接
...............................................................................................
7
2.5
输出配置BTL和PBTL
............................................................................
8
2.6
GUI软件安装和EVM启动
....................................................................
9
2.7
自我保护和故障报告
............................................................................
11
3
相关文档从德州仪器
.....................................................................
11
3.1
补充证明文件
.......................................................................................
11
附录A
设计信息
...............................................................................................
12
1
图列表
1
2
3
4
5
6
7
8
9
..........................................................................................
3
输入USB Board3
...........................................................................................................
4
集成的PurePath 数字功放系统
........................................................................
5
在TAS5612L - TAS5614LDDVEVM （近似布局）的物理结构
..................................
6
PBTL模式配置
.................................................................................................
8
TAS5538 GUI窗口
.....................................................................................................
9
通道和主音量GUI
.......................................................................................
10
面板复合板层
...............................................................................................
15
底复合层PCB
...........................................................................................
16
TAS5612L-TAS5614LDDVEVM
表格清单
1
2
3
4
..........................................................................
推荐PVDD电源电压
........................................................................
相关文档从德州仪器
.....................................................................
材料TAS5614LDDVEVM清单
...............................................................................
TAS5612L - TAS5614LDDVEVM规格
2
7
11
12
的PurePath是德州仪器的商标。
I
2
C是恩智浦B.V.荷兰公司的注册商标。
SLAU375 - 2012年5月
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版权所有2012，德州仪器
TAS5612L-TAS5614LDDVEVM
1
介绍
www.ti.com
1
介绍
该TAS5612L - TAS5614LDDVEVM的PurePath EVM演示TAS5612LDDV当前版本
或TAS5614LDDV集成电路功率级与TAS5538DGG德州仪器（ TI ） 。
该TAS5612L和TAS5614L是高性能，集成立体声反馈数字放大器功率
阶段设计用于驱动4Ω的扬声器以高达每通道150W的TAS5614LDDV每125W
渠道TAS5612LDDV 。他们只需要被动调制滤波器以提供高效优质的
音频放大。
TAS5538DGG是一款高性能的32位（ 24位输入）多渠道的PurePath 数字脉宽
调制器（ PWM ），具有完全对称的AD调制方案。该设备还具有数字音频
处理（DAP ），提供48比特的信号处理，高级的性能和高水平的
系统集成。
该EVM可配置为2的BTL通道立体声评价或1 PBTL （并行BTL）信道为
低音炮的评价。连同一个TI输入-USB板3 ，它提供了一个完整的立体声数字音频
功放系统，包括数字输入（S / PDIF ） ，模拟输入，接口， PC和DAP的功能
像数字音量控制，输入和输出混频，下automute ，音调控制，音量， EQ滤波器和
动态范围压缩（ DRC ） 。还有的功率级故障保护的配置选项。
注： TAS5612L - TAS5614LDDVEVM出厂时的当前版本
TAS5614L安装。 TO EVALUATE TAS5612L当前版本
请访问产品文件夹中
www.ti.com
并要求免费
样本;和，更换TAS5614L与TAS5612L 。
表1. TAS5612L ， TAS5614LDDVEVM规格
主要参数
TAS5614L电源电压
TAS5612L电源电压
信道数
负载阻抗BTL
负载阻抗PBTL
TAS5614L输出功率BTL
TAS5614L输出功率PBTL
TAS5612L输出功率BTL
TAS5612L输出功率PBTL
动态范围（ DNR ）
PWM处理器
输出级
值
12 - 38伏直流
12 - 34伏直流
2× BTL或1× PBTL
4-8欧姆
2-4欧姆
150W / 4欧姆/ 10 ％ THD + N
300W / 2Ohm / 10 ％ THD + N
125W / 4欧姆/ 10 ％ THD + N
250W / 2Ohm / 10 ％ THD + N
>105分贝
TAS5538DGG
TAS5614LDDV或TAS5612LDDV
注意：
在TAS5612L - TAS5614LDDVEVM的散热片设计符合时间
在“功放规则” ，美国联邦贸易委员会16 CFR 432 ，当要求
EVM是在上述规定的功率电平操作。如果在指定的输出连续运行
电源是必需的，必须提供通过散热器的强制空气流。
（联邦贸易委员会法规规定操作， 25 ° C的环境温度下1/8 1小时
每声道额定输出功率（每通道18.75W的TAS5614LDDVEVM ， 15.63W
对于TAS5612LDDVEVM ） ，然后在指定的输出功率5分钟（每通道150W
对于TAS5614LDDVEVM ，每通道125W的TAS5612LDDVEVM ） 。那么失真主场迎战
输出功率可以测量。 TAS5612L - TAS5614LDDVEVM提供指定的输出
电源几分钟或更长时间不热关断。 THD不是这个指定
测试，但通常是接近10 ％ 。 ）
2
TAS5612L-TAS5614LDDVEVM
版权所有2012，德州仪器
SLAU375 - 2012年5月
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介绍
√
图1. TAS5612L ， TAS5614LDDVEVM
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TAS5612L-TAS5614LDDVEVM
3
介绍
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图2.输入， USB Board3
格柏（布局）文件，请访问：
http://www.ti.com 。
该EVM附带电缆和TI的输入-USB板3连接到输入源和到PC
控制。请参见"Unpacking以下EVM" 。
4
TAS5612L-TAS5614LDDVEVM
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介绍
1.1
TAS5612L - TAS5614LDDVEVM特点
立体声的PurePath 数字评估模块。
自包含保护系统（过流，过热，欠压和PWM失踪
输入）。
标准I
2
S和I
2
C /德州仪器输入板控制连接器
双面镀通孔PCB布局。
8
通道
类似物
输入
控制界面
TAS5612L-TAS5614LDDVEVM
USB
接口
I2C总线
立体声/单声道
通道
扬声器输出
光纤
和
同轴
S / PDIF
输入
I2S总线
例如：
TI输入 - USB板3
电源
图3.集成的PurePath 数字功放系统
1.2
EVM物理结构
该TAS5612L - TAS5614LDDVEVM的物理结构示于
图4中。
SLAU375 - 2012年5月
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TAS5612L-TAS5614LDDVEVM
5
用户指南
SLAU376 - 2012年5月
TAS5622-TAS5624DDVEVM
本用户指南提供了规范的评估模块（ EVM）的TAS5622和TAS5624
数字输入的D类功率级与TAS5538数字音频处理器，带有PWM输出的
德州仪器。该用户指南还介绍了EVM的操作，并提供设计信息
包括原理图，材料清单和PCB布局。
目录
介绍
..................................................................................................................
2
1.1
TAS5622 - TAS5624DDVEVM特点
.........................................................................
5
1.2
EVM物理结构
...........................................................................................
5
2
快速安装指南
..........................................................................................................
6
2.1
静电放电警告
.................................................................................
6
2.2
拆开EVM
................................................................................................
7
2.3
电源设置
...............................................................................................
7
2.4
扬声器连接
...............................................................................................
7
2.5
输出配置BTL和PBTL
............................................................................
8
2.6
GUI软件安装和EVM启动
....................................................................
9
2.7
自我保护和故障报告
............................................................................
11
3
相关文档从德州仪器
.....................................................................
11
3.1
补充证明文件
.......................................................................................
11
附录A
设计信息
...............................................................................................
12
1
图列表
1
2
3
4
5
6
7
8
9
.............................................................................................
3
输入USB Board3
...........................................................................................................
4
集成的PurePath 数字功放系统
........................................................................
5
该TAS5622 - TAS5624DDVEVM （近似布局）的物理结构
.....................................
6
PBTL模式配置
.................................................................................................
8
TAS5538 GUI窗口
.....................................................................................................
9
通道和主音量GUI
.......................................................................................
10
面板复合板层
...............................................................................................
15
底复合层PCB
...........................................................................................
16
TAS5622-TAS5624DDVEVM
表格清单
1
2
3
4
.............................................................................
推荐PVDD电源电压
........................................................................
相关文档从德州仪器
.....................................................................
材料TAS5624DDVEVM清单
.................................................................................
TAS5622 - TAS5624DDVEVM规格
2
7
11
12
的PurePath是德州仪器的商标。
I
2
C是恩智浦B.V.荷兰公司的注册商标。
SLAU376 - 2012年5月
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TAS5622-TAS5624DDVEVM
1
介绍
www.ti.com
1
介绍
该TAS5622 - TAS5624DDVEVM的PurePath EVM演示TAS5622DDV的当前版本或
TAS5624DDV集成电路功率级与TAS5538DGG德州仪器（ TI ） 。
该TAS5622与TAS5624是高性能，集成立体声反馈数字放大器功率
阶段设计用于驱动3Ω扬声器以高达每通道200W的TAS5624DDV每165W
渠道TAS5622DDV 。他们只需要被动调制滤波器以提供高效优质的
音频放大。
TAS5538DGG是一款高性能的32位（ 24位输入）多渠道的PurePath 数字脉宽
调制器（ PWM ），具有完全对称的AD调制方案。该设备还具有数字音频
处理（DAP ），提供48比特的信号处理，高级的性能和高水平的
系统集成。
该EVM可配置为2的BTL通道立体声评价或1 PBTL （并行BTL）信道为
低音炮的评价。连同一个TI输入-USB板3 ，它提供了一个完整的立体声数字音频
功放系统，包括数字输入（S / PDIF ） ，模拟输入，接口， PC和DAP的功能
像数字音量控制，输入和输出混频，下automute ，音调控制，音量， EQ滤波器和
动态范围压缩（ DRC ） 。还有的功率级故障保护的配置选项。
注： TAS5622 - TAS5624DDVEVM随TAS5624的当前版本
安装。 TO EVALUATE TAS5622的最新版本，请访问
AT产品文件夹
www.ti.com
并要求免费样品，并取代
TAS5624与TAS5622 。
表1. TAS5622 ， TAS5624DDVEVM规格
主要参数
TAS5624电源电压
TAS5622电源电压
信道数
负载阻抗BTL
负载阻抗PBTL
TAS5624输出功率BTL
TAS5624输出功率PBTL
TAS5622输出功率BTL
TAS5622输出功率PBTL
动态范围（ DNR ）
PWM处理器
输出级
值
12 - 38伏直流
12 - 34伏直流
2× BTL或1× PBTL
3-8欧姆
1.5-4欧姆
200W / 3Ohm / 10 ％ THD + N
400W / 1.5Ohm / 10 ％ THD + N
165W / 3Ohm / 10 ％ THD + N
325W / 1.5Ohm / 10 ％ THD + N
>105分贝
TAS5538DGG
TAS5624DDV或TAS5622DDV
注意：
在TAS5622 - TAS5624DDVEVM的散热片设计符合时间要求
在“功放规则” ，美国联邦贸易委员会16 CFR 432 ，当EVM是
在上述规定的功率电平操作。如果在指定的输出功率连续运转
是必需的，必须提供通过散热器的强制空气流。
（联邦贸易委员会法规规定操作， 25 ° C的环境温度下1/8 1小时
额定输出功率（每通道25.0W的TAS5624DDVEVM ， 20.63W每通道
TAS5622DDVEVM ） ，然后在指定的输出功率（每通道200W 5分钟
TAS5624DDVEVM ，每通道165W的TAS5622DDVEVM ） 。然后，失真与输出
功率可以测量。 TAS5622 - TAS5624DDVEVM提供额定输出功率为
几分钟或更长时间不热关断。 THD没有为这个测试指定，但
通常接近10 ％ 。 ）
2
TAS5622-TAS5624DDVEVM
版权所有2012，德州仪器
SLAU376 - 2012年5月
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介绍
√
图1. TAS5622 ， TAS5624DDVEVM
SLAU376 - 2012年5月
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TAS5622-TAS5624DDVEVM
3
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图2.输入， USB Board3
格柏（布局）文件，请访问：
http://www.ti.com 。
该EVM附带电缆和TI的输入-USB板3连接到输入源和到PC
控制。请参见"Unpacking以下EVM" 。
4
TAS5622-TAS5624DDVEVM
版权所有2012，德州仪器
SLAU376 - 2012年5月
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介绍
1.1
TAS5622 - TAS5624DDVEVM特点
立体声的PurePath 数字评估模块。
自包含保护系统（过流，过热，欠压和PWM失踪
输入）。
标准I
2
S和I
2
C /德州仪器输入板控制连接器
双面镀通孔PCB布局。
8
通道
类似物
输入
控制界面
TAS5622-TAS5624DDVEVM
USB
接口
I2C总线
立体声/单声道
通道
扬声器输出
光纤
和
同轴
S / PDIF
输入
I2S总线
例如：
TI输入 - USB板3
电源
图3.集成的PurePath 数字功放系统
1.2
EVM物理结构
该TAS5622 - TAS5624DDVEVM的物理结构示于
图4中。
SLAU376 - 2012年5月
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GD15
GP2S24ABJ00F
GP1U780Q
GRM188R61A335KE15J
GS881Z18BD-333T
GHTC3V360PHERGT003
G30040
GLN-8
GDZ27B-V-G
供货商
型号
厂家
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数量
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单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GRM21BR71H105KA12L
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    终端采购配单精选

    柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
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    电话：18922805453
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    地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    GRM21BR71H105KA12L
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    -
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更多配单专家
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MURATA
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MUATAT原装正品 可以提供出厂证明
深圳市芯福林电子科技有限公司
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地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
GRM21BR71H105KA12L
MURATA
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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GRM21BR71H105KA12L
MURATA
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原装正品，支持实单
深圳市金芯阳科技有限公司
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电话：075584505750
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GRM21BR71H105KA12L
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地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
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电话：0755-23140719/23915992
联系人：李先生 李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
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联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
GRM21BR71H105KA12L
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39947
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电话：0755-83220081
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区深南中路南侧南光捷佳大厦1727
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