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STGB8NC60KD - STGD8NC60KD
STGF8NC60KD - STGP8NC60KD
600 V - 8 A - 短路崎岖IGBT
特点
更低的电压降(V
CE ( SAT )
)
LOWER
水库
/ C
IES
比(无交叉传导
易感性)
非常柔软的超快速恢复反并联二极管
短路承受时间为10μs
1
2
3
2
3
1
DPAK
TO-220
2
应用
高频电机控制
SMPS和PFC以硬开关和
谐振拓扑结构
电机驱动器
图1 。
1
3
2
3
1
TO-220FP
D
PAK
描述
这IGBT运用先进的PowerMESH
结果形成优良的权衡过程
在接通状态下的性能和低之间
行为。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
GB8NC60KD
GD8NC60KD
GF8NC60KD
GP8NC60KD
DPAK
DPAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购代码
STGB8NC60KDT4
STGD8NC60KDT4
STGF8NC60KD
STGP8NC60KD
2008年4月
REV 2
1/18
www.st.com
18
目录
STGB8NC60KD - STGD8NC60KD - STGF8NC60KD - STGP8NC60KD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 7
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STGB8NC60KD - STGD8NC60KD - STGF8NC60KD - STGP8NC60KD
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
DPAK
TO-220
V
CES
I
C(1)
I
C(1)
I
CL(2)
I
CP(3)
V
GE
I
F
I
FSM
集电极 - 发射极电压(V
GE
= 0)
集电极电流(连续)在T
C
= 25 °C
集电极电流(连续)在T
C
= 100 °C
关断电流闭锁
集电极电流脉冲
栅极 - 发射极电压
RMS二极管正向电流在T
C
= 25 °C
浪涌不重复正向电流
t
p
= 10 ms的正弦
绝缘从所有的耐压( RMS)
三根引线外部HEA片
(T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
总功耗在T
C
= 25 °C
工作结温
短路承受时间
,
(V
CE
= 0.5 V
BR (CES)上
, T
C
= 125 ° C,R
G
= 10
V
GE
= 12 V)
T
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
C
CESAT
(
最大
)
C C
单位
DPAK TO- 220FP
600
V
7
4
30
30
±20
7
20
A
A
A
A
V
A
A
15
8
V
ISO
P
合计
T
j
T
SCW
--
65
--
62
- 55 150
2500
24
V
W
°C
10
s
11.根据迭代式计算:
2. V
= 80% (V
CES
), V
GE
± 15 V ,R
G
=10
,
T
J
=150 °C
3.脉冲宽度有限的最高结温允许
表3中。
热阻
价值
符号
参数
DPAK
TO-220
单位
DPAK TO- 220FP
R
THJ情况
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件最大
IGBT
热阻结案件最大
二极管
热阻结到环境最大
1.9
4
2.0
4.5
62.5
5.1
7
° C / W
° C / W
° C / W
3/18
电气特性
STGB8NC60KD - STGD8NC60KD - STGF8NC60KD - STGP8NC60KD
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表4 。
符号
STATIC
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
(V
GE
= 0)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) CES
I
C
= 1毫安
600
V
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
g
飞秒(1)
集电极 - 发射极饱和V
GE
= 15 V,I
C
= 3 A
电压
V
GE
= 15 V,I
C
= 3 A,T
C
= 125°C
栅极阈值电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
正向跨导
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
CE
= 600 V
V
CE
= 600 V ,T
C
= 125 °C
V
GE
= ±20 V
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 3 A
4.5
2.2
1.8
2.75
V
V
V
A
mA
nA
S
6.5
150
1
±100
1.9
1.脉冲持续时间= 300我们,占空比1.5 %
表5 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
测试条件
V
CE
= 25 V , F = 1MHz时,
V
GE
= 0
V
CE
= 390 V,I
C
= 3 A,
V
GE
= 15 V,
(参见图20)
分钟。
典型值。马克斯。
380
46
8.5
19
5
9
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
开启/关闭(感性负载)
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
CC
= 390 V,I
C
= 3 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V
(参见图21)
V
CC
= 390 V,I
C
=3 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
T
C
= 125 °C
(参见图21)
分钟。
典型值。
17
6
655
16.5
6.5
575
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
4/18
STGB8NC60KD - STGD8NC60KD - STGF8NC60KD - STGP8NC60KD
表6 。
符号
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
电气特性
接通/关断(感性负载) (续)
参数
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
cc
= 390 V,I
C
= 3 A,
,
R
GE
= 10
V
GE
=15 V
(参见图21)
V
cc
= 390 V,I
C
= 3 A,
,
R
GE
=10
V
GE
=15 V,
T
C
= 125 °C
(参见图21)
分钟。
典型值。
33
72
82
60
106
136
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
开关能量(电感性负载)
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390 V,I
C
= 3 A
,
R
G
= 10
V
GE
=15 V
(参见图21)
V
CC
= 390 V,I
C
= 3 A
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
,
T
C
= 125 °C
(参见图21)
分钟。
典型值。
55
85
140
马克斯。
单位
J
J
J
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
87
162
249
J
J
J
1.宙是接通损耗时,一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT是提供在
一包与助巴二极管,共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度( 25℃和125 ℃)下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
表8 。
符号
V
F
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
集电极 - 发射极二极管
参数
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
I
F
= 3 A
I
F
= 3 A,T
C
= 125 °C
I
F
= 3 A,V
R
= 30 V,
的di / dt = 100 A / μs的
(参见图22)
I
F
= 3 A,V
R
= 30 V,
T
C
= 125°C ,的di / dt = 100 A / μs的
(参见图22)
分钟。
典型值。
1.6
1.3
23.5
16.5
1.4
39
39
2
马克斯。
2.1
单位
V
V
ns
nC
A
ns
nC
A
5/18
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