GP801DCM18
GP801DCM18
嗨，可靠性斩波开关低V
CE （ SAT ）
IGBT模块
2001年DS5365-3.0一月
特点
s
s
s
s
s
低V
CE （ SAT ）
800A每模块
高的热循环能力
非穿通硅
与氮化铝衬底隔离MMC基地
主要参数
V
CES
（典型值）
V
CE （ SAT ）
（最大）
I
C
（最大）
I
C（ PK ）
1800V
2.6V
800A
1600A
应用
s
s
s
s
高可靠性
电机控制器
牵引驱动
低损耗系统改造
2(C
2
)
4(E
2
)
1(E
1
)
3(C
1
)
5(E
1
)
6(G
1
)
7(C
1
)
高功率模块的电力线系列包括双
单交换机配置涵盖电压为1200V至
3300V及电流高达4800A 。
该GP801DCM18是1800V ，N沟道增强
模式中，绝缘栅双极型晶体管（IGBT ），斩波器模块。
低V设计
CE （ SAT ）
最大限度地减少传导损耗，
模块是特别相关的中低频率
应用程序。在IGBT具有宽的反向偏压安全工作
区（ RBSOA ） ，确保在苛刻的应用程序的可靠性。
此装置被用于牵引传动装置和其它应用进行了优化
要求高的热循环能力。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局，利用接地散热片的安全性。
图。 1双开关电路图
订购信息
订单号：
GP801DCM18
注：订货时，请使用完整的零件编号。
GPxxxDCxxx -XXX
大纲类型代码：
D
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 2电气连接 - （不按比例）
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP801DCM18
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全
预防措施应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C（ PK ）
P
最大
V
ISOL
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
隔离电压
T
例
= 80C
1毫秒，T
例
= 110C
T
例
= 25 ° C，T
j
= 150C
Commoned端子到基板上。 AC RMS ， 1分钟，50赫兹
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
1800
±20
800
1600
6940
4000
单位
V
V
A
A
W
V
热学和力学额定值
符号
R
日（J -C ）
参数
热电阻 - 晶体管（每组）
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
R
日（J -C ）
热电阻 - 二极管（每组）
连续耗散 -
结到外壳
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器（每个模块）
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
T
j
结温
晶体管
二极管
T
英镑
-
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
电气连接 - M4
电气连接 - M8
-
-
-
–40
-
-
-
150
125
125
5
2
10
C
C
C
Nm
Nm
Nm
-
8
C /千瓦
-
40
C /千瓦
分钟。
-
马克斯。
18
单位
C /千瓦
2/10
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
例
= 125C
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
I
C
= 40毫安，V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ，我
C
= 800A
V
GE
= 15V ，我
C
= 800A ， ，T
例
= 125C
I
F
I
FM
V
F
二极管的正向电流
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压
DC
t
p
为1ms
I
F
= 800A
I
F
= 800A ，T
例
= 125C
C
IES
L
M
输入电容
模电感
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
-
分钟。
-
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
5.5
2.6
3.3
-
-
2.2
2.3
90
20
马克斯。
1
25
4
6.5
3.2
4
800
1600
2.5
2.6
-
-
单位
mA
mA
A
V
V
V
A
A
V
V
nF
nH
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 800A ，V
R
= 50% V
CES
,
dI
F
/ DT = 3500A / μs的
测试条件
I
C
= 800A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 900V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 2.2
L 100nH的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1000
250
500
300
200
300
180
450
120
马克斯。
1200
350
600
400
300
400
240
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
A
mJ
T
例
= 125℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 800A ，V
R
= 50% V
CES
,
dI
F
/ DT = 3000A / μs的
测试条件
I
C
= 800A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 900V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 2.2
L 100nH的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1200
300
600
400
250
450
300
525
190
马克斯。
1400
400
700
550
350
550
400
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
A
mJ
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注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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典型特征
V
ge
= 20/15/12/10V
1600
1400
1200
共发射极
T
例
= 25C
V
ge
= 20/15/12/10V
1600
1400
1200
共发射极
T
例
= 125C
集电极电流，I
c
- (A)
集电极电流，I
c
- (A)
1000
800
600
400
200
0
0
1000
800
600
400
200
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
集电极 - 发射极电压，V
ce
- (V)
5.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
集电极 - 发射极电压，V
ce
- (V)
6.0
图3典型的输出特性
图4典型的输出特性
1000
900
800
T
例
= 125C
V
GE
= ±15V
V
CE
= 800V
R
g
= 2.2
1400
T
例
= 125C
V
GE
= ±15V
V
CE
= 900V
I
C
= 800A
1200
E
关闭
开启能量，E
ON
- （兆焦耳）
700
600
500
E
ON
400
300
200
100
0
0
E
REC
E
关闭
1000
E
ON
能源 - （兆焦耳）
800
600
400
200
E
REC
0
100
200
300
400
500
600
集电极电流，I
C
- (A)
700
800
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
栅极电阻，R
G
- （欧姆）
图5典型的开关能量VS集电极电流
图6典型的开关能量VS栅极电阻
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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