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GP800FSS18
GP800FSS18
单打开关IGBT模块
取代2000年1月版, DS5261-2.0
2001年DS5261-3.1一月
特点
s
s
s
s
s
非穿通硅
孤立的铜基板与Al
2
O
3
基板
低电感内部结构
全1800V评级
800A每模块
主要参数
V
CES
(典型值)
V
CE ( SAT )
(最大)
I
C
(最大)
I
C( PK )
1800V
3.5V
800A
1600A
外部连接
应用
s
s
s
s
C1
奥克斯
C2
大功率逆变器
电机控制器
感应加热
谐振转换器
G
奥克斯ê
E1
E2
高功率模块的电力线系列包括双
单交换机配置涵盖电压从600V到
3300V及电流高达4800A 。
该GP800FSS18是一台交换机1800V , N沟道
增强模式中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
模块。在IGBT具有广泛的反向偏压安全工作区
( RBSOA ) ,确保在苛刻的应用程序的可靠性。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局,利用接地散热片的安全性。
外部连接
图。 1单开关电路图
奥克斯
奥克斯ê
E1
C1
订购信息
订单号:
GP800FSS18
注:订货时,请使用完整的零件编号。
G
E2
C2
大纲类型代码:
F
(见包的详细信息以获取更多信息)
图。 2电气连接 - (不按比例)
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP800FSS18
绝对最大额定值
条件超过上述“绝对最大额定值” ,即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下,与所有的半导体,这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全
预防措施应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
= 25℃ ,除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C( PK )
P
最大
V
ISOL
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
隔离电压
T
= 55C
1毫秒,T
= 100C
T
= 25 ° C,T
j
= 150C
Commoned端子到基板上。 AC RMS , 1分钟,50赫兹
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
1800
±20
800
1600
6000
4000
单位
V
V
A
A
W
V
热学和力学额定值
符号
R
日(J -C )
参数
热电阻 - 晶体管
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
R
日(J -C )
热电阻 - 二极管
连续耗散 -
结到外壳
R
个( C-H)
热电阻 - 案件散热器(每个模块)
安装扭矩5Nm的
(带安装脂)
T
j
结温
晶体管
二极管
T
英镑
-
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
电气连接 - M4
电气连接 - M8
-
-
-
–40
-
-
-
150
125
125
5
2
10
C
C
C
Nm
Nm
Nm
-
8
C /千瓦
-
40
C /千瓦
分钟。
-
马克斯。
21
单位
C /千瓦
2/10
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP800FSS18
电气特性
T
= 25℃ ,除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
= 125C
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
I
C
= 40毫安,V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ,我
C
= 800A
V
GE
= 15V ,我
C
= 800A , ,T
= 125C
I
F
I
FM
V
F
二极管的正向电流
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压
DC
t
p
为1ms
I
F
= 800A
I
F
= 800A ,T
= 125C
C
IES
L
M
输入电容
模电感
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
-
分钟。
-
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
5.5
3.5
4.3
-
-
2.2
2.3
90
20
马克斯。
1
25
4
6.5
4
5
800
1600
2.5
2.6
-
-
单位
mA
mA
A
V
V
V
A
A
V
V
nF
nH
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP800FSS18
电气特性
T
= 25℃ ,除非另有说明
符号
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
t
D(上)
t
r
E
ON
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 800A ,V
R
= 50% V
CES
,
dI
F
/ DT = 3500A / μs的
测试条件
I
C
= 800A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 900V
R
G( ON)的
= R
G( OFF)
= 2.2
L 100nH的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1000
200
200
300
200
200
180
450
120
马克斯。
1200
300
300
400
300
300
240
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
A
mJ
T
= 125℃ ,除非另有说明
符号
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
t
D(上)
t
r
E
ON
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 800A ,V
R
= 50% V
CES
,
dI
F
/ DT = 3000A / μs的
测试条件
I
C
= 800A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 900V
R
G( ON)的
= R
G( OFF)
= 2.2
L 100nH的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1200
250
300
400
250
350
300
525
190
马克斯。
1400
350
400
550
350
450
400
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
A
mJ
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注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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典型特征
V
ge
= 20/15/12V
1600
1400
1200
集电极电流,I
c
- (A)
1600
V
ge
= 20/15/12V
共发射极
T
= 125C
共发射极
T
= 25C
1400
1200
V
ge
= 10V
V
ge
= 10V
集电极电流,I
C
- (A)
1000
800
600
400
200
0
0
1000
800
600
400
200
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
集电极 - 发射极电压,V
ce
- (V)
6.0
7.0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
集电极 - 发射极电压,V
ce
- (V)
9.0 10.0
图3典型的输出特性
图4典型的输出特性
350
T
= 125C
V
GE
= ±15V
V
CE
= 900V
R
g
= 2.2
E
ON
700
T
= 125C
V
GE
= ±15V
V
CE
= 900V
I
C
= 800A
E
ON
300
600
250
能源 - (兆焦耳)
E
关闭
200
E
REC
150
二极管关断能量,E
关(二极管)
- (兆焦耳)
500
400
E
关闭
300
100
200
E
REC
50
100
0
0
0
100
200
300
400
500
600
集电极电流,I
C
- (A)
700
800
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
栅极电阻,R
G
- (欧姆)
图5典型的开关能量VS集电极电流
图6典型的开关能量VS栅极电阻
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