GP400DDS12
GP400DDS12
电力线的N沟道双管IGBT模块
2000 DS5341-1.1二月
该GP400DDS12是双开关1200V ，稳健
沟道增强型绝缘栅双极型
晶体管（IGBT）模块。专为低功耗，
模块适用于各种高电压应用
在电机驱动器和功率转换。高
阻抗栅极简化了栅极驱动的考虑
直接从低功耗控制让操作
电路。
快速开关时间允许高频运作
制作适用于最新的驱动设计的装置
采用的PWM高频开关。在IGBT
具有宽的反向偏压安全工作区（ RBSOA ），用于
在要求苛刻的应用最终的可靠性。
这些模块整合电隔离的基础
板和低电感建设使能电路
设计人员优化电路布局，利用接地
散热片的安全性。
高功率模块的电力线范围包括
双和单交换机配置了一系列的
电流和电压的能力，以匹配客户系统
的要求。
典型应用包括直流马达驱动器， PWM交流
驱动器，主牵引传动及辅助设备，大型UPS
系统和谐振逆变器。
7
8
V
CES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C（ PK ）
主要参数
1200V
（典型值）
2.7V
（最大）
400A
（最大）
800A
5
6
3
1
9
12
11
10
4
2
外形类型代码：D
特点
s
s
s
s
s
s
s
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 1电气连接 - （不按比例）
12(C
2
)
2(C
2
)
4(E
2
)
1(E
1
)
7(C
1
)
5(E
1
)
6(G
1
)
11(G
2
)
10(E
2
)
3(C
1
)
N - 通道
增强型
高输入阻抗
优化高功率高频率操作
隔离底座
全1200V能力
400A每臂
图2双开关电路图
应用
s
s
s
s
订购信息
订单号：
GP400DDS12
注：订货时请使用整个零件编号。
高功率开关
电机控制
逆变器
牵引系统
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP400DDS12
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在
极端条件下，与所有的半导体，这可能inlcude封装的潜在危险的破裂。
适当的安全预防措施，应始终遵循。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明。
符号
V
CES
V
GES
I
C
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
DC ，T
例
= 25C
DC ，T
例
= 75C
I
C（ PK ）
P
最大
V
ISOL
最大功率耗散
隔离电压
1毫秒，T
例
= 75C
T
例
= 25 （晶体管）
Commoned端子到基板上。
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
1200
±20
600
400
800
3750
2500
单位
V
V
A
A
A
W
V
热学和力学额定值
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
R
个（ C-H）
T
j
参数
热电阻 - 晶体管（每组）
热电阻 - 二极管（每组）
热电阻 - 案件散热器
（每个模块）
结温
条件
DC结到外壳
DC结到外壳
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
晶体管
二极管
T
英镑
-
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
电气连接 - M4
电气连接 - M8
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
–40
-
-
-
MAX 。单位
35
70
8
150
125
125
5
2
10
o
C /千瓦
C /千瓦
o
o
C /千瓦
o
C
C
o
o
C
Nm
Nm
Nm
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP400DDS12
电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
例
= 125C
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
I
F
I
FM
V
F
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
I
C
= 120毫安，V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ，我
C
= 400A
V
GE
= 15V ，我
C
= 400A ，T
例
= 125C
二极管的正向电流
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压
DC
t
p
为1ms
I
F
= 400A
I
F
= 400A ，T
例
= 125C
C
IES
L
M
输入电容
模电感
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
-
分钟。
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
2.7
3.2
-
-
2.5
2.4
45
20
马克斯。
1
50
±4
7.5
3.5
4.0
400
800
3.0
2.9
-
-
单位
mA
mA
A
V
V
V
A
A
V
V
nF
nH
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP400DDS12
电感式开关特性
对于开关波形的定义，参见图3和4 。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
Q
rr
Q
rr
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向恢复电荷
条件
分钟。
-
典型值。
1100
150
130
800
320
90
30
170
马克斯。
1300
200
170
900
400
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
C
I
C
= 400A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 600V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 3.3
L 100nH的
-
-
-
-
-
130
50
-
I
F
= 400A
V
R
= 50%V
CES
,
dI
F
/ DT = 2000A / μs的
-
-
T
例
= 125℃ ，除非另有说明。
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
Q
rr
Q
rr
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向恢复电荷
-
I
C
= 400A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 600V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 3.3
L 100nH的
-
-
-
-
-
I
F
= 400A
V
R
= 50%V
CES
,
dI
F
/ DT = 2000A / μs的
-
-
1300
200
170
950
350
150
50
225
1500
250
250
1200
450
200
70
-
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
C
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP400DDS12
开关定义
+15V
10%
0V
-15V
t
4
+ 5s
V
ge
E
on
=
∫
V
t
1
CE
。我DT
I
C
90%
t
D（上）
= t
2
- t
1
t
r
= t
3
- t
2
10%
V
ce
t
1
t
2
t
3
t
4
图3定义的导通开关时间
+15V
90%
0V
-15V
t
7
+ 5s
V
ge
E
关闭
=
∫
V
t
5
CE
。我DT
90%
t
D（关闭）
= t
6
- t
5
10%
t
f
= t
7
- t
6
I
C
V
ce
t
5
t
6
t
7
的关断开关时间的定义图4
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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QQ：2881677436 复制
