GP350MHB06S
GP350MHB06S
半桥IGBT模块
取代2000年1月版， DS4923-4.0
2001年DS4923-5.0十月
特点
s
s
s
s
主要参数
V
CES
V
CE （ SAT ）
I
C25
I
C75
I
C（ PK ）
（典型值）
（最大）
（最大）
（最大）
600V
2.0V
500A
350A
1000A
N - 通道
高开关速度
低正向压降
隔离底座
应用
s
s
PWM电机CONTRO
l
UPS
11(C
2
)
1(E
1
C
2
)
2(E
2
)
6(G
2
)
7(E
2
)
3(C
1
)
5(E
1
)
4(G
1
)
模块的电力线的范围，包括半桥
斩波器，双核和单开关配置包括电压
从600V到3300V及电流高达2400A 。
该GP350MHB06S是半桥600V N沟道
增强型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
模块。该模块适用于各种介质的电压
应用在电机驱动器和功率转换。
在IGBT具有广泛的反向偏压安全工作区
（ RBSOA ），用于要求苛刻的应用最终的可靠性。
这些模块整合电绝缘底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局，利用接地散热片的安全性。
典型应用包括直流马达驱动器， PWM交流
drivesand UPS系统。
9(C
1
)
图。 1半桥电路图
订购信息
订单号：
GP350MHB06S
注意;订货时，使用完整的零件号。
11
10
8
9
1
2
3
6
7
5
4
大纲类型代码：
M
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 2电气连接 - （不按比例）
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP350MHB06S
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全预防措施
应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
DC ，T
例
= 25C
DC ，T
例
= 75C
I
C（ PK ）
1毫秒，T
例
= 25C
1毫秒，T
例
= 75C
P
最大
V
ISOL
最大功率耗散
隔离电压
（晶体管）
Commoned端子到基板上。
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
600
±20
500
350
1000
700
1750
2500
单位
V
V
A
A
A
A
W
V
热学和力学额定值
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
R
个（ C-H）
T
j
参数
热电阻 - 晶体管
热电阻 - 二极管
条件
DC连接每个臂区分
DC结到外壳
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
安装 - M6
电气连接 - M6
- 40
-
-
马克斯。
70
160
15
150
125
125
5
5
单位
o
C /千瓦
C /千瓦
o
热电阻 - 案件（每个模块）安装扭矩5Nm的散热片（带安装脂）
结温
晶体管
二极管
o
C /千瓦
o
C
C
o
T
英镑
-
存储温度范围
螺杆转矩
o
C
Nm
Nm
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注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP350MHB06S
电气特性
T
j
= 25℃ ，除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
j
= 125C
I
GES
V
GE （日）
栅极漏电流
栅极阈值电压
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ，我
C
= 350A
V
GE
= 15V ，我
C
= 350A ，T
j
= 125C
I
F
I
FM
V
F
二极管的正向电流
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压
DC
t
p
为1ms
I
F
= 350A,
I
F
= 350A ，T
j
= 125C
C
IES
输入电容
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
分钟。
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
2.0
2.2
-
-
1.51
1.5
22500
马克斯。
2
-
±1
7.5
2.6
2.8
215
700
2.31
2.3
-
单位
mA
mA
A
V
V
V
A
A
V
V
pF
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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电感式开关特性
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
t
rr
Q
rr
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
I
F
= 350A
V
R
= 50%V
CES
，二
F
/ DT = 1000A / μs的
I
C
= 350A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 50% V
CES
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 5
L 100nH的
-
-
-
-
-
320
150
10
190
12
-
-
-
-
-
ns
ns
mJ
ns
C
条件
分钟。
-
-
-
典型值。
730
250
26
马克斯。
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
T
j
= 125℃ ，除非另有说明。
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
t
rr
Q
rr
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
I
F
= 350A
V
R
= 50%V
CES
，二
F
/ DT = 1000A / μs的
I
C
= 350A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 50% V
CES
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 5
L 100nH的
-
-
-
-
-
380
250
35
280
18
-
-
-
-
-
ns
ns
mJ
ns
C
-
-
-
910
490
40
-
-
-
ns
ns
mJ
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注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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典型特征
V
ge
= 20/15/12/10V
450
共发射极
400 T
例
= 125C
350
集电极电流，I
c
- (A)
450
共发射极
400 T
例
= 25C
350
V
ge
= 20/15/12/10V
集电极电流，I
c
- (A)
300
250
200
150
100
50
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
集电极 - 发射极电压，V
ce
- (V)
图3典型的输出特性
300
250
200
150
100
50
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
集电极 - 发射极电压，V
ce
- (V)
图4典型的输出特性
3.5
20
18
16
T
j
= 25C
V
GE
=
±15V
V
CE
= 300V
A
45
T
j
= 125C
V
GE
=
±15V
40
V
CE
= 300V
35
开启能量，E
ON
- （兆焦耳）
B
A
B
开启能量，E
ON
- （兆焦耳）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
200
250
100
150
集电极电流，I
C
- (A)
30
25
20
15
10
C
C
：v
g
= 15
B ，R
g
= 10
，R
g
= 5
300
350
5
0
0
：v
g
= 15
B ，R
g
= 10
，R
g
= 5
50
100
150
200
250
集电极电流，I
C
- (A)
300
350
图5的典型导通能源VS集电极电流
图6典型导通能源VS集电极电流
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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