GP200MHS18
GP200MHS18
半桥IGBT模块
2001年DS5304-3.1一月
特点
s
s
s
s
非穿通硅
孤立的铜基板
低电感内部结构
200A每臂
主要参数
V
CES
（典型值）
V
CE （ SAT ）
（最大）
I
C
（最大）
I
C（ PK ）
1800V
3.5V
200A
400A
应用
s
s
s
s
大功率逆变器
电机控制器
感应加热
谐振转换器
11(C
2
)
1(E
1
C
2
)
2(E
2
)
6(G
2
)
7(E
2
)
3(C
1
)
5(E
1
)
4(G
1
)
9(C
1
)
高功率模块的电力线产品包括半
桥，双核和单开关配置包括电压
从600V到3300V及电流高达4800A 。
该GP200MHS18是一个半桥1800V ， N沟道
增强模式中，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
模块。在IGBT具有广泛的反向偏压安全工作区
（ RBSOA ） ，确保在苛刻的应用程序的可靠性。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局，利用接地散热片的安全性。
图。 1半桥电路图
订购信息
订单号：
GP200MHS18
注：订货时请使用整个零件编号。
11
10
8
9
1
2
3
6
7
5
4
大纲类型代码：
M
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 2电气连接 - （不按比例）
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP200MHS18
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全
预防措施应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C（ PK ）
P
最大
V
ISOL
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
隔离电压
DC ，T
例
= 55°C，对于T
j
= 125C
1毫秒，T
例
= 110C
T
例
= 25 ° C，T
j
= 150C
Commoned端子到基板上。 AC RMS ， 1分钟，50赫兹
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
1800
±20
200
400
1500
4000
单位
V
V
A
A
W
V
热学和力学额定值
符号
R
日（J -C ）
参数
热电阻 - 晶体管（每组）
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
R
日（J -C ）
热电阻 - 二极管（每组）
连续耗散 -
结到外壳
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器（每个模块）
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
T
j
结温
晶体管
二极管
T
英镑
-
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
-
-
-
–40
-
150
125
125
5
C
C
C
Nm
-
7
C /千瓦
-
160
C /千瓦
分钟。
-
马克斯。
84
单位
C /千瓦
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注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP200MHS18
电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
例
= 125C
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ，我
C
= 200A
V
GE
= 15V ，我
C
= 200A ， ，T
例
= 125C
I
F
I
FM
V
F
二极管的正向电流
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压
DC
t
p
为1ms
I
F
= 200A
I
F
= 200A ，T
例
= 125C
C
IES
L
M
输入电容
模电感
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
-
分钟。
-
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
5.5
3.5
4.3
-
-
2.2
2.3
25
30
马克斯。
1
7
1
6.5
4
5
200
400
2.5
2.6
-
-
单位
mA
mA
A
V
V
V
A
A
V
V
nF
nH
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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GP200MHS18
电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
Q
rr
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
I
F
= 200A ，V
R
= 50% V
CES
,
dI
F
/ DT = 2400A / μs的
测试条件
I
C
= 200A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 900V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 4.7
L 100nH的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
500
200
50
450
90
60
50
马克斯。
650
300
120
600
120
80
80
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
T
例
= 125℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
Q
rr
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
I
F
= 200A ，V
R
= 50% V
CES
,
dI
F
/ DT = 2000A / μs的
测试条件
I
C
= 200A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 900V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 4.7
L 100nH的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
600
300
100
540
100
100
80
马克斯。
800
400
150
700
130
120
110
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
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典型特征
V
ge
= 20/15/12V
400
共发射极
T
例
= 25C
350
300
集电极电流，I
C
- (A)
V
ge
= 20/15/12V
400
350
300
集电极电流，I
c
- (A)
共发射极
T
例
= 125C
V
ge
= 10V
V
ge
= 10V
250
200
150
100
50
0
0
250
200
150
100
50
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
集电极 - 发射极电压，V
ce
- (V)
6.0
7.0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
集电极 - 发射极电压，V
ce
- (V)
9.0 10.0
图。 3典型的输出特性
图。 4典型的输出特性
250
T
例
= 25C
V
GE
= ±15V
V
CE
= 900V
200
开启能量，E
ON
- （兆焦耳）
：v
g
= 15
B ，R
g
= 10
，R
g
= 4.7
300
250
开启能量，E
ON
- （兆焦耳）
T
例
= 125C
V
GE
= ±15V
V
CE
= 900V
A
200
150
A
100
B
150
B
100
C
C
50
50
：v
g
= 15
B ，R
g
= 10
，R
g
= 4.7
50
100
150
集电极电流，I
C
- (A)
200
0
0
50
100
150
集电极电流，I
C
- (A)
200
0
0
图。 5典型导通能源VS集电极电流
图。 6典型导通能源VS集电极电流
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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