【GP1S29GP1S29s特点1.超紧凑型2.薄检测部分（检测部分的厚度： 3.2毫米）微型光斩波器】,IC型号GP1S29,GP1S29 PDF资料,GP1S29经销商,ic,电子元器件-51电子网

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GP1S29

GP1S29

s

特点

1.超紧凑型

2.薄检测部分

（检测部分的厚度： 3.2毫米）

微型光斩波器

s

外形尺寸

3

4

（单位：毫米）

2

1

3发射器

4珍藏

内部连接图

s

应用

1.相机

2.软盘驱动器

注）请小心使用不

接收外部干扰

光，因为背面

检测元件不是盖的

以案例。

(1.15)

中心

光路

2.5

(1.0)

3.6

3.2

0.9

1阳极

2阴极

4.0

(C0.8)

(0.8)

狭缝宽度

3.0

4.0

(C0.3 )

4

-

0.15

g

2.54

4

1

g

2.54

*

公差

:±

0.2mm

*

伯尔的尺寸： 0.15MAX 。

*

门休息

:

0.3MAX.

*

( )

:

参考尺寸

*

按指示的尺寸

g

参考

那些从引线底座测定。

3

2

s

绝对最大额定值

参数

正向电流

反向电压

功耗

集电极 - 发射极电压

发射极 - 集电极电压

集电极电流

集电极耗散功率

总功耗

工作温度

储存温度

*1

焊接温度

符号

I

F

V

R

P

V

首席执行官

V

ECO

I

C

P

C

P

合计

T

OPR

T

英镑

T

SOL

（大= 25℃）

等级

50

6

75

35

6

20

75

100

- 25至+ 85

- 40至+ 100

260

单位

mA

V

mW

V

V

mA

mW

mW

C

C

C

输入

4.0

分钟。

门休息

(2)

4

-

0.4

5.1

产量

焊接区

* 1在5秒

“

在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，

数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。

1mm以上

GP1S29

s

光电特性

输入

产量

Transfer-

字符

开创性意义

参数

正向电压

反向电流

集电极暗电流

集电极电流

集电极 - 发射极饱和电压

上升时间

响应时间

下降时间

符号

V

F

I

R

I

首席执行官

Ic

V

CE

（SAT）

t

r

t

f

条件

I

F

= 20mA下

V

R

= 3V

V

CE

= 20V

I

F

= 1.5毫安，V

CE

= 5V

I

F

= 3毫安，我

C

= 30

A

V

CE

= 5V ，R

L

= 1k

I

C

= 100 A

分钟。

-

-

-

40

-

-

-

典型值。

1.2

-

-

-

-

50

50

（大= 25℃）

马克斯。

1.4

10

1 x 10

- 7

240

0.4

150

150

单位

V

A

A

A

V

s

s

图。 1正向电流与环境

温度

60

图。 2功耗对比

环境温度

120

P

合计

50

功耗为P（mW ）

正向电流I

F

（MA ）

100

40

80

P, P

c

30

60

20

40

10

0

- 25

20

0

- 25

0

25

50

75 85

100

0

25

50

75 85

100

环境温度T

a

( C )

环境温度T

a

( C )

图。 3正向电流与正向电压

500

200

正向电流I

F

（MA ）

100

50

20

10

5

2

1

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

正向电压V

F

( V )

T

a

= 75C

50C

25C

0C

- 25C

图。 4集电极电流与正向电流

1.8

1.6

1.4

集电极电流I

C

（MA ）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0

2

4

6

（MA ）

8

10

正向电流I

F

V

CE

= 5V

T

a

= 25C

GP1S29

图。 5集电极电流与集电极

发射极电压

10

9

8

（MA ）

7

6

5

4

3

2

1

0

0

1

2

3

4

5

6

10mA

1.5mA

7

8

( V)

9

10

0

- 25

0

25

50

75

100

30mA

20mA

T

a

= 75C

P

C（最大值）。

图。 6集电极电流 -

环境温度

0.30

I

F

= 1.5毫安

V

CE

= 5V

0.25

I

F

= 50毫安

集电极电流I

C

（MA ）

40mA

0.20

集电极电流I

C

0.15

0.10

0.05

集电极 - 发射极电压V

CE

环境温度T

a

( C )

图。 7集电极 - 发射极饱和电压

- 环境温度

0.12

I

F

= 10毫安

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （SAT）

(V)

I

C

= 50

A

图。 8集电极暗电流与环境

温度

10

-6

5

V

CE

= 20V

集电极暗电流I

首席执行官

( A )

0

25

50

75

100

0.10

2

10

-7

0.08

5

2

0.06

10

-8

5

2

0.04

10

-9

0.02

5

2

0

- 25

10

- 10

0

25

50

75

100

环境温度T

a

( C )

环境温度T

a

( C )

图。 9响应时间与负载电阻

500

200

100

响应时间（

s )

50

20

10

5

2

1

5

0.3

0.05 0.1 0.2

t

f

t

r

t

d

输入

R

D

I

C

= 100

A

V

CE

= 5V

T

a

= 25C

测试电路的响应时间

V

CC

R

L

产量

输入

产量

10%

90%

t

d

t

s

t

r

t

f

t

s

0.5

1

2

5

10 20

50 100

负载阻抗R

L

( k

)

GPIS29

图10相对集电极电流与

盾的距离（ 1 ）

I

F

= 1.5毫安

V

CE

= 5V

T

a

= 25C

L

探测器

盾

相对于集电极电流（％）

图11相对集电极电流与

盾构距离（ 2 ）

V

CE

= 5V

I

F

= 1.5毫安

T

a

= 25C

-

0

+

50

探测器

（检测中心）

3

盾

L

100

相对于集电极电流（％）

100

50

+

0

（检测中心）

-

0

- 2

- 1

0

1

2

3

0

- 2

- 1

0

1

2

屏蔽距离为L（毫米）

屏蔽距离为L（毫米）

q

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