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GP1S21/GP1S22
GP1S21/GP1S22
s
特点
1.超紧凑型
2.印刷电路板安装型封装
3.高检测精度
狭缝宽度;
GP1S21
: 0.8mm
GP1S22
: 0.3mm
微型光斩波器
s
外形尺寸
(单位:毫米)
内部连接
2
3
(
)
4.2
(光轴) 1.5 1.2
1
1阳极
2阴极
4
3发射器
4珍藏
s
应用
1.相机
2.软盘驱动器
4.2
5
狭缝宽度
(C0.8)
3.9
2.8
(1.0)
(C0.3)
4
-
0.15
g3.1
1
4
4.0
分钟。
门休息
(2)
4
-
0.5
g2.5
5.2
φ
1.5
+
-
0.1
0
5
狭缝宽度
GP1S21
:
0.8mm
GP1S22
:
0.3mm
2
3
*
公差: ±0.2毫米
*
伯尔的尺寸
:
0.15MAX.
*
门休息
:
0.3MAX.
*
( )
:
参考尺寸
*
按指示的尺寸
g
指那些测量
从引线基地。
s
绝对最大额定值
参数
正向电流
反向电压
功耗
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
集电极耗散功率
总功耗
工作温度
储存温度
*1
焊接温度
符号
I
F
V
R
P
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
P
合计
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
50
6
75
35
6
20
75
100
- 25至+ 85
- 40至+ 100
260
(大= 25℃)
单位
mA
V
mW
V
V
mA
mW
mW
C
C
C
输入
产量
焊接区
* 1在5秒
在没有确认元器件规格说明书中,夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备,在目录显示不承担任何责任,
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
1mm以上
GP1S21/GP1S22
s
光电特性
输入
产量
参数
正向电压
反向电流
集电极暗电流
集电极电流
转让
字符
开创性意义
集电极 - 发射极
饱和电压
(大= 25℃)
符号
V
F
I
R
I
首席执行官
条件
I
F
= 20mA下
V
R
= 3V
V
CE
= 20V
V
CE
= 5V ,我
F
= 1.5毫安
V
CE
= 5V ,我
F
= 5毫安
I
F
= 3毫安,我
C
= 27
A
I
F
= 10毫安,我
C
= 50
A
I
C
= 0.1毫安,V
CE
= 5V ,R
L
= 1k
分钟。
-
-
-
27
100
-
-
-
-
典型值。
1.2
-
-
-
-
-
-
50
50
马克斯。
1.4
10
1 x 10
-7
260
1300
0.4
0.4
150
150
单位
V
A
A
A
A
V
V
s
s
响应时间
GP1S21
GP1S22
GP1S21
GP1S22
上升时间
下降时间
Ic
V
CE (SAT)
t
r
t
f
图。 1正向电流与环境
温度
60
图。 2功耗对比
环境温度
120
P
合计
50
功耗为P(mW )
正向电流I
F
(MA )
100
40
80
P, P
c
30
60
20
40
10
0
- 25
20
0
- 25
0
25
50
75 85
100
0
25
50
75 85
100
环境温度T
a
( C )
环境温度T
a
( C )
图。 3正向电流与
正向电压
500
200
100
正向电流I
F
(MA )
50
20
10
5
2
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
正向电压V
F
( V )
T
a
= 75C
50C
25C
0C
- 25C
图。 4集电极电流VS.
正向电流
2.0
1.8
1.6
集电极电流I
C
(MA )
1.4
1.2
GP1S21
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
正向电流I
F
(MA )
GP1S22
V
CE
= 5V
T
a
= 25C
GP1S21/GP1S22
图。 5 -A集电极电流与集电极 - 发射极
( GP1S21 )
电压
11
10
9
(MA )
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
10mA
1.5mA
7
8
9
10
20mA
I
F
= 50毫安
40mA
30mA
(MA )
P
C
( MAX 。 )
图。 5 -B集电极电流与集电极 - 发射极
( GP1S22 )
电压
11
10
9
8
7
6
5
4
20mA
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
10mA
5mA
7
8
9
10
30mA
I
F
= 50毫安
40mA
P
C
( MAX 。 )
C
集电极电流I
集电极 - 发射极电压V
CE
( V )
集电极电流I
C
集电极 - 发射极电压V
CE
( V )
图。 6集电极电流 -
环境温度
0.6
GP1S22
V
CE
= 5V
I
F
= 1.5毫安(
GP1S21
)
I
F
= 5毫安(
GP1S22
)
图。 7集电极 - 发射极饱和
电压与环境温度
0.16
0.14
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
0.12
0.10
GP1S22
0.08
0.06
0.04
0.02
I
F
=
I
F
=
I
C
=
I
C
=
3毫安(
GP1S21
)
10毫安(
GP1S22
)
27
A (
GP1S21
)
50
A (
GP1S22
)
GP1S21
0.5
(MA )
集电极电流I
C
0.4
0.3
GP1S21
0.2
0.1
0
-25
0
25
50
75
100
0
-25
0
25
50
75
100
环境温度T
a
(C)
环境温度T
a
(C)
图。 8响应时间与负载电阻
500
200
100
响应时间(
s )
50
20
10
5
2
1
t
s
V
CE
= 5V
I
C
= 100 A
T
a
= 25C
V
CC
t
f
t
r
t
d
输入
R
D
R
L
产量
输入
产量
测试电路的响应时间
10%
90%
t
d
t
s
t
r
t
f
0.5
0.3
0.01 0.1 0.2
10 20
负载阻抗R
L
( k )
0.5
1
2
5
50 100
GP1S21/GP1S22
图。 9集电极暗电流与
环境温度
10
- 6
5
图。 10相对集电极电流与
盾的距离( 1 ) ( GP1S21 )
I
F
= 1.5毫安
V
CE
= 5V
T
a
= 25C
L
探测器
V
CE
= 20V
100
集电极暗电流I
首席执行官
( A )
10
- 7
5
2
10
- 8
5
2
相对于集电极电流(%)
2
50
+
0
(检测中心)
-
10
- 9
5
2
10
- 10
0
25
50
75
环境温度T
a
( C )
100
0
- 2
- 1
0
1
屏蔽距离为L(毫米)
2
3
图10 - b。相对集电极电流与
盾的距离( 1 ) ( GP1S22 )
I
F
= 5毫安
V
CE
= 5V
T
a
= 25C
L
探测器
图11相对集电极电流与
盾构距离( 2 )
I
F
= 1.5毫安(
GP1S21
)
I
F
= 5毫安(
GP1S22
)
V
CE
= 5V
T
a
= 25C
(检测中心)
3
-
0
50
探测器
+
L
0
-2
-1
0
1
2
屏蔽距离为L(毫米)
相对于集电极电流(%)
50
-
+
0
(检测中心)
0
-2
-1
0
1
2
3
屏蔽距离为L(毫米)
q
请参阅章节“使用注意事项” 。
相对于集电极电流(%)
100
100
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