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GP1S094HCZ0F
GP1S094HCZ0F
差距：3毫米，缝： 0.3毫米
光电晶体管输出，
紧凑型透射
光电断路器
■
描述
GP1S094HCZ0F
是一款紧凑型封装，光电
晶体管输出，透射光电断路器，带
置发射器和检测器在一个模制，可提供
非接触感测。紧凑型封装系列
独特的技术结合转移的结果，
注塑成型。
该器件具有一个很大的差距和定位销。
■
机构认证/合规
1.符合RoHS指令
■
应用
1.检测物体存在或运动。
2.例如：打印机，镜头控制相机
■
特点
1.透射与光电晶体管输出
2.亮点：
紧凑的尺寸
定位销，以防止错位
3.主要参数：
间隙宽度：3毫米
狭缝宽度（检测端） ： 0.3毫米
封装： 5.5 × 2.6 × 4.8毫米
4.无铅和RoHS指令标准
注意数据表的内容如有更改，恕不另行通知。
在没有CON连接细则第十五通过特定的设备连接阳离子表，夏普需要使用任何夏普设备可能出现的任何缺陷承担责任
在使用任何夏普元器件之前获取最新的设备特定网络阳离子表中产品目录，数据手册等所刊载的设备。
1
表号： D3- A00601EN
日期： 10月3日2005年
夏普公司
GP1S094HCZ0F
■
内部连接图
顶视图
2
1
1
2
3
4
3
4
阳极
集热器
辐射源
阴极
■
外形尺寸
顶视图
a'
（单位：毫米）
a
(C0.3)
5.5
3
(0.75)
A-A '部分
(C0.4)
中心
光轴
2.6
（ 0.3 ）狭缝宽度
3
0.8
(C0.3)
C0.2
0.15
+0.2
0.1
+0
φ
1
0.1
3.1
+0.3
0.2
4.8
±0.2
0.4
0.5
(0.05)
4.55
2
0.75
±0.05
3
4
2
1
Unspeci网络版公差： ±0.2毫米
尺寸在括号中显示的
参考。
尺寸被显示
是指那些
从铅基测定。
显示不包括毛刺的尺寸。
伯尔的尺寸应为： 0.15毫米MAX 。
铅可以在阴影曝光
部分。
这部分没有锡铜电镀。
产品质量：约。 0.085克
电镀材料：锡铜（CU ：典型值2 ％ ）
原产地
日本
3
表号： D3- A00601EN
2
GP1S094HCZ0F
■
绝对最大额定值
参数
正向电流
输入
反向电压
功耗
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
产量
集电极电流
集电极耗散功率
总功耗
工作温度
储存温度
1
焊接温度
(T
a
=
25C )
符号
等级
单位
I
F
50
mA
V
R
6
V
P
75
mW
V
首席执行官
35
V
V
ECO
6
V
20
mA
I
C
75
mW
P
C
100
mW
P
合计
C
T
OPR
25
+
85
C
T
英镑
40
+
100
T
SOL
260
C
1mm以上
焊接区
1 5秒或更少
■
光电特性
参数
正向电压
输入
反向电流
输出集电极暗电流
集电极电流
转让
集电极 - 发射极饱和电压
字符
上升时间
开创性意义响应时间
下降时间
符号
V
F
I
R
I
首席执行官
I
C
V
CE （ SAT ）
t
r
t
f
条件
I
F
=
20mA
V
R
=
3V
V
CE
=
20V
V
CE
=
5V ，我
F
=
5mA
I
F
=
10毫安，我
C
=
40
μ
A
V
CE
=
5V ，我
C
=
100
μ
A，R
L
=
1k
Ω
分钟。
40
典型值。
1.2
50
50
(T
a
=
25C )
马克斯。
单位
1.4
V
10
μ
A
100
nA
400
μ
A
0.4
V
150
μ
s
150
μ
s
表号： D3- A00601EN
3
GP1S094HCZ0F
图1正向电流比。
环境温度
60
50
正向电流I
F
（MA ）
40
30
20
10
0
25
0
25
50
75 85
100
环境温度T
a
(C)
图2功耗对比
环境温度
120
100
80
75
60
40
20
15
0
25
0
25
50
75 85
100
P
合计
耗散功率P，P
c
, P
合计
（ mW）的
P, P
c
环境温度T
a
(C)
图3正向电流比。正向电压
图4集电极电流 -
正向电流
1
VCE=5V
T
a
=25C
T
a
75C
50C
正向电流I
F
（MA ）
100
25C
0C
25C
集电极电流I
c
（MA ）
0.8
0.6
10
0.4
0.2
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
正向电压V
F
(V)
0
0
10
正向电流I
F
（MA ）
20
图5集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
1
I
F
=50mA
图6相对集电极电流与
环境温度
120
110
100
相对集电极电流（ ％ ）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
0
25
50
75
85
环境温度T
a
(C)
表号： D3- A00601EN
I
F
5mA
V
CE
5V
集电极电流I
C
（MA ）
0.8
40mA
30mA
20mA
0.6
0.4
0.2
10mA
5mA
0
0
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
4
GP1S094HCZ0F
图7集电极 - 发射极饱和电压与
环境温度
0.2
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
I
F
=10mA
I
C
=40μA
图8集电极暗电流与
环境温度
10
6
V
CE
20V
集电极暗电流I
首席执行官
(A)
10
7
10
8
10
9
10
25
0
25
50
75 85
环境温度T
a
(C)
10
0
25
50
75
100
环境温度T
a
(C)
图9响应时间与负载电阻
1 000
V
CE
5V
I
C
100 A
图10测试电路的响应时间
V
CC
R
D
响应时间（s）
100
t
f
t
r
t
d
10
t
s
输入
R
L
产量
输入
10%
90%
t
d
t
r
t
s
t
f
产量
1
0.1
1
10
100
负载阻抗R
L
(k )
图11检测的位置特性（1）
100
90
80
相对集电极电流（ ％ ）
I
F
=5mA
V
CE
=5V
L=0 L
图12检测的位置特性（ 2）
100
90
80
相对集电极电流（ ％ ）
70
60
50
40
30
20
10
I
F
=5mA
V
CE
=5V
L
L=0
0
0.5
1
1.5
2
屏蔽移动距离为L（毫米）
表号： D3- A00601EN
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
屏蔽移动距离为L（毫米）
0
备注：请注意，图中的所有数据都只是参考，不是保证。
5
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