STGB10NC60K - STGD10NC60K
STGP10NC60K
N沟道600V - 10A - D
2
PAK / TO- 220 / DPAK
额定短路的PowerMESH IGBT
一般特点
TYPE
STGB10NC60K
STGP10NC60K
STGD10NC60K
■
■
■
■
V
CES
600V
600V
600v
V
CE （ SAT ）
最大
@25°C
<2.5V
<2.5V
<2.5V
I
C
@100°C
10A
10A
10A
3
3
1
2
1
D
PAK
更低的电压降（V
CESAT
)
LOWER
水库
/ C
IES
比（无交叉传导
易感性）
非常柔软的超快速恢复反并联二极管
短路承受时间为10μs
TO-220
3
1
DPAK
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH IGBT的，以优异的
表演。后缀“K”标识系列
高频电机控制而优化
有短路的应用耐受能力。
内部原理图
应用
■
■
■
高频电机控制
SMPS和PFC以硬开关和
谐振拓扑结构
电机驱动器
订购代码
产品型号
STGB10NC60KT4
STGP10NC60K
STGD10NC60KT4
记号
GB10NC60K
GP10NC60K
GD10NC60K
包
DPAK
TO-220
DPAK
包装
磁带&卷轴
管
磁带&卷轴
2007年2月
第5版
1/17
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17
目录
STGB10NC60K - STGP10NC60K - STGD10NC60K
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
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STGB10NC60K - STGP10NC60K - STGD10NC60K
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
CES
I
C(1)
I
C(1)
I
CM(2)
V
GE
P
合计
T
英镑
T
j
T
SCW
T
l
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
栅极 - 发射极电压
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
- 55 150
工作结温
短路承受时间
最大无铅焊接温度的目的
（为10秒1.6毫米的情况下）
T
–
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
–
C
CESAT
(
最大
)
C C
价值
600
20
10
30
±20
60
单位
V
A
A
A
V
W
°C
s
°C
10
300
11.根据迭代式计算：
2.
脉冲宽度有限的最高结温
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
价值
2.08
62.5
单位
° C / W
° C / W
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电气特性
STGB10NC60K - STGP10NC60K - STGD10NC60K
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
BR （CES）上
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
g
fs
STATIC
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
I
C
= 1mA时， V
GE
= 0
分钟。
600
2.2
1.8
4.5
2.5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
mA
nA
S
集电极 - 发射极饱和V
GE
= 15V ，我
C
= 5A
电压
V
GE
= 15V ，我
C
= 5A ， TC = 125°C
栅极阈值电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
正向跨导
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
CE
=最大额定值，T
C
= 25°C
V
CE
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0
V
CE
= 15V
,
I
C
= 5A
6.5
150
1
±100
15
表4 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
测试条件
V
CE
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GE
= 0
V
CE
= 390V ，我
C
= 5A,
V
GE
= 15V,
（参见图16）
分钟。
典型值。
380
46
8.5
19
5
9
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
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STGB10NC60K - STGP10NC60K - STGD10NC60K
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图17）
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图17）
V
cc
= 390V ，我
C
= 5A,
,
R
GE
= 10 V
GE
= 15V ，T
J
=25°C
（参见图17）
V
cc
= 390V ，我
C
= 5A,
R
GE
=10 V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
,
（参见图17）
分钟。
典型值。
17
6
655
16.5
6.5
575
33
72
82
60
106
136
MAX 。 UNIT
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图17）
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
（参见图17）
民
典型值
55
85
140
87
162
249
最大
单位
J
J
J
J
J
J
1.宙是屯通损失时一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT是提供在一个
打包与助巴二极管，共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在同一
温度（ 25℃和125 ℃）下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
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QQ：2880707522 复制
