STGP10NC60H
N沟道10A - 600V - TO-220
非常快的PowerMESH IGBT
特点
TYPE
STGP10NC60H
■
■
V
CES
600V
I
C
V
CE （ SAT ）
（最大值） @ 25℃ @ 100℃
＆ LT ; 2.5V
10A
低导通压降（ V
CESAT
)
低C
水库
/ C
IES
比（无交叉传导
易感性）
TO-220
3
1
2
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH
IGBT的，以优异的
表演。后缀"H"确定一个家庭
对于以高频应用进行了优化
要达到非常高的开关性能
（减少TFALL ）曼塔在荷兰国际集团的低电压降。
内部原理图
应用
■
■
■
高频电机控制
SMPS和PFC以硬开关和
谐振拓扑结构
电机驱动器
订货编号
产品型号
STGP10NC60H
记号
GP10NC60H
包
TO-220
包装
管
2007年4月2日
REV 3
1/13
www.st.com
13
目录
STGP10NC60H
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
............................................... 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STGP10NC60H
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
CES
I
C(1)
I
C(1)
I
CL(2)
V
GE
P
合计
T
j
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
栅极 - 发射极电压
总功耗在T
C
= 25°C
工作结温
价值
600
20
10
40
±20
60
- 55 150
单位
V
A
A
A
V
W
°C
11.根据迭代式计算：
T
–
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
–
C
CESAT
(
最大
)
C C
2. V
钳
= 480V ，环境温度为150° C，R
G
=10, V
GE
=15V
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
价值
2.08
62.5
单位
° C / W
° C / W
3/13
STGP10NC60H
N沟道10A - 600V - TO-220
非常快的PowerMESH IGBT
一般特点
TYPE
STGP10NC60H
■
■
■
V
CES
600V
I
C
V
CE （ SAT ）
（最大值） @ 25℃ @ 100℃
＆ LT ; 2.5V
10A
低导通压降（ V
CESAT
)
低C
水库
/ C
IES
比（无交叉传导
susceptbility ）
非常柔软的超快速恢复反并联二极管
TO-220
3
1
2
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH
IGBT的，以优异的
表演。后缀"H"确定一个家庭
对于以高频应用进行了优化
要达到非常高的开关性能
（还原TFALL ） mantaining低的电压降。
内部原理图
应用
■
■
■
高频电机控制
SMPS和PFC以硬开关和
谐振拓扑结构
电机驱动器
订购代码
产品型号
STGP10NC60H
记号
GP10NC60H
包
TO-220
包装
管
2006年10月
REV 2
1/13
www.st.com
13
目录
STGP10NC60H
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
............................................... 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STGP10NC60H
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
CES
I
C(1)
I
C(1)
I
CL(2)
V
GE
P
合计
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
栅极 - 发射极电压
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
- 55 150
工作结温
°C
价值
600
20
10
40
±20
60
单位
V
A
A
A
V
W
11.根据迭代式计算：
T
–
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
–
C
CESAT
(
最大
)
C C
2. V
钳
= 480V ，环境温度为150° C，R
G
=10, V
GE
=15V
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
价值
2.08
62.5
单位
° C / W
° C / W
3/13
STGP10NC60H
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
（参见图17）
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
Tj=125°C
（参见图17）
V
cc
= 390V ，我
C
= 5A,
R
GE
= 10 , V
GE
= 15V,
（参见图17）
V
cc
= 390V ，我
C
= 5A,
R
GE
=10 , V
GE
=15V,
Tj=125°C
（参见图17）
分钟。
典型值。
14.2
5
1000
14
5
920
27
72
85
50
108
139
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 75A
,
R
G
= 10 V
GE
=15V,
Tj=25°C
（参见图17）
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
（参见图17）
分钟。
典型值。
31.8
95
126.8
马克斯。
单位
J
J
J
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
61.8
173
234.8
J
J
J
1. E
on
是屯通损失时一个典型的二极管被用在测试电路中
（参见图16） 。
如果IGBT是
在一个包与助柏二极管提供，助包二极管被用作外部二极管。 IGBT的&二极管
在相同温度下（ 25℃和125 ℃）下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
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