GNOA - GNOM
PRV ： 50 - 1000伏
IO： 1.5安培
产品特点：
*
*
*
*
*
玻璃钝化芯片
高电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
玻璃钝化结
硅表面贴装
SMA （ DO- 214AC ）
1.1
±
0.3
5.0
±
0.15
4.5
±
0.15
1.2
±
0.2
2.6
±
0.15
2.1
±
0.2
0.2
±
0.07
2.0
±
0.2
机械数据：
*
*
*
*
*
*
案例： SMA模压塑料
环氧树脂： UL94V -O率阻燃
铅：铅形成了表面贴装
极性：颜色频带端为负极
安装位置：任意
重量： 0.067克
尺寸以毫米
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流TA = 75℃
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 1.5安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
结温范围
存储温度范围
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
GNOA GNOB GNOD GNOE GNOG GNOH GNOJ GNOK GNOM单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
C
J
T
J
T
英镑
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
1.5
50
1.1
5.0
50
30
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
A
A
pF
°C
°C
典型结电容（注1）
- 65至+ 150
- 65至+ 150
注意事项：
（ 1 ）测得1.0 MHz和应用4.0V的反向电压
DC
第1页2
启示录01 ： 2002年3月23日
GNOA THRU GNOM
表面安装玻璃钝化整流结
反向电压 -
50到1000伏特
正向电流 -
1.5安培
特点
对于表面安装应用程序
高温冶金结合，不
压缩的接触中发现其他
二极管整流器构成
玻璃钝化结
内置应变消除
方便取放
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
完整的设备的潜水termperature
260 10秒在焊料浴
IM ê北南IO北南
机械数据
案例：
SMA模压塑料
终端：
钎焊镀每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
由阴极频带指示
重量：
0.004盎司， 0.118克
IM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
在建华（E S）
M IN 。
0 .2 1 6
0 .1 7 6
0 .0 9 4
0 .1 7 0
0 .0 3 9
0 .0 8 0
0 .0 6 8
0 .1 1 2
0 .0 5 7
-
0 .0 1 6
0 .1 0 9
0 .1 0 5
0 .0 7 8
M A X 。
0 .2 2 6
0 .1 8 2
0 .1 0 0
0 .1 7 6
0 .0 5 5
0 .0 8 1
0 .0 8 3
0 .1 1 8
-
0 .0 1 8
-
0 .1 1 5
0 .1 0 7
0 .0 8 1
M IN 。
5 .4 8
4 .4 8
2 .4 0
4 .3 3
1 .0 0
2 .0 3
1 .7 2
2 .8 5
1 .4 4
-
0 .4 0
2 .7 7
2 .6 7
2 .0 0
m m
M A X 。
5 .7 4
4 .6 3
2 .5 5
4 .4 8
1 .4 0
2 .0 7
2 .1 0
3 .0 0
-
0 .4 5
-
2 .9 3
2 .7 3
2 .0 5
N}÷ TE
最大额定值和电气特性
在25环境温度额定值，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
符号
GNOA GNOB GNOD
GNOE GNOG GNOH
GNOJ
GNOK GNOM
单位
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
=110
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ MIL - STD- 750D 4066法）
在1.5A最大正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
T
A
=25
T
A
=125
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
C
J
R
JL
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
1.5
60.0
1.1
5.0
200.0
2.0
15.0
16.0
-55到+150
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
伏
伏
伏
安培
安培
伏
A
S
F
/W
最大反向恢复时间（注1 ）
典型结电容（注2 ）
最大热阻（注3 ）
工作和存储温度范围
T
J
, T
英镑
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
=0.25A
（ 2 ）测得1.0MHz和应用4.0伏的反向电压
(3) 8.0mm
2
（ 0.013毫米厚）土地面积
1
GNOA - GNOM
PRV ： 50 - 1000伏
IO： 1.5安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
玻璃钝化芯片
高电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
玻璃钝化结
硅表面贴装
SMA （ DO- 214AC ）
1.1
±
0.3
5.0
±
0.15
4.5
±
0.15
1.2
±
0.2
2.6
±
0.15
2.1
±
0.2
0.2
±
0.07
2.0
±
0.2
机械数据：
*
*
*
*
*
*
案例： SMA模压塑料
环氧树脂： UL94V -O率阻燃
铅：铅形成了表面贴装
极性：颜色频带端为负极
安装位置：任意
重量： 0.067克
尺寸以毫米
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流TA = 75℃
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 1.5安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
结温范围
存储温度范围
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
GNOA GNOB GNOD GNOE GNOG GNOH GNOJ GNOK GNOM单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
C
J
T
J
T
英镑
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
1.5
50
1.1
5.0
50
30
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
A
A
pF
°C
°C
典型结电容（注1）
- 65至+ 150
- 65至+ 150
注意：
（ 1 ）测得1.0 MHz和应用4.0V的反向电压
DC
第1页2
启示录02 ： 2005年3月25日
GNOA - GNOM
PRV ： 50 - 1000伏
IO： 1.5安培
产品特点：
*
*
*
*
*
玻璃钝化芯片
高电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
玻璃钝化结
硅表面贴装
SMA （ DO- 214AC ）
1.1
±
0.3
5.0
±
0.15
4.5
±
0.15
1.2
±
0.2
2.6
±
0.15
2.1
±
0.2
0.2
±
0.07
2.0
±
0.2
机械数据：
*
*
*
*
*
*
案例： SMA模压塑料
环氧树脂： UL94V -O率阻燃
铅：铅形成了表面贴装
极性：颜色频带端为负极
安装位置：任意
重量： 0.067克
尺寸以毫米
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流TA = 75℃
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 1.5安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
结温范围
存储温度范围
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
GNOA GNOB GNOD GNOE GNOG GNOH GNOJ GNOK GNOM单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
C
J
T
J
T
英镑
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
1.5
50
1.1
5.0
50
30
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
A
A
pF
°C
°C
典型结电容（注1）
- 65至+ 150
- 65至+ 150
注意：
（ 1 ）测得1.0 MHz和应用4.0V的反向电压
DC
第1页2
启示录01 ： 2004年1月10日
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