GN4014ZB4LD ， GN4014ZB4LS ，
GN4014ZB4LM
硅IGBT点火线圈驱动器
REJ03G1249-0200
Rev.2.00
2005年7月14日
特点
包括齐纳钳位
V
CL
= 400 V （典型值）
低饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 1.4 V（典型值）
SMD封装
LDPAK
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A
（包名称： LDPAK （ L） ）
4
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
4
C
1
1
2
2
G
3
1.门
2.收集
3.辐射源
4.收集
3
E
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极到发射极电压
门到发射极电压
发射极到集电极的电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注：1。价值在Tc = 25C
符号
V
CES
V
GES
V
ECS
I
C
i
C（峰值）
P
CNote1
Tj
TSTG
评级
370
±20
24
14
18
60
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
Rev.2.00
2005年7月14日，
第1页7
GN4014ZB4LD ， GN4014ZB4LS ， GN4014ZB4LM
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极到发射极击穿
电压
门到发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
门切断电流
集电极到发射极饱和
电压
集电极到发射极饱和
电压
门到发射极截止电压
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
尊传输电容
二次击穿能量
符号
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） GES
I
CES
I
GES
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
GE （关闭）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
西塞
科斯
CRES
ES / B
民
370
±20
—
—
—
—
1.3
—
—
—
—
—
—
—
230
典型值
400
—
—
—
1.4
1.6
—
0.2
0.4
1.0
5
1110
75
18
—
最大
430
—
100
±100
1.7
2.2
2.2
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
V
V
s
s
s
s
pF
pF
pF
mJ
测试条件
I
c
= 2毫安， V
GE
= 0 V
I
G
=
±100 A,
V
CE
= 0 V
V
CE
= 300 V, V
GE
= 0 V
V
GE
=
±20
V, V
CE
= 0 V
I
C
= 8 A，V
GE
= 10 V
I
C
= 8 A，V
GE
= 4 V
I
C
= 1毫安， V
CE
= 10 V
V
CE
= 300 V ，R
L
= 50
,
V
GE
= 5 V ，R
G
= 200
V
CE
= 10 V, V
GE
= 0,
F = 1 MHz的
L = 5 mH的
Rev.2.00
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第2 7
GN4014ZB4LD ， GN4014ZB4LS ， GN4014ZB4LM
主要特点
功率与温度降额
80
100
最高安全工作区
件（W）的
IC （ A）
10
s
60
10
DC
PW
10
集电极耗散
Op
e
=
0
集电极电流
ra
TIO
40
1
m
s
s(
1s
n(
ho
Tc
t)
=
25
°
C
)
10
1m
s
20
0.1
TA = 25°C
0
0
0.01
50
100
150
200
1
3
10
30
100
300
1000
外壳温度
TC （ ℃）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极击穿电压
与外壳温度
集电极到发射极击穿电压
V
（ BR ） CES
(V)
500
10
典型的输出特性
10 V
15 V
8
6V
4V
脉冲测试
450
I
C
(A)
集电极电流
6
400
4
350
I
C
= 2毫安
300
-50
0
2
0
V
GE
= 2 V
0
2
4
6
8
10
50
100
150
外壳温度
TC （ ℃）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极饱和电压
主场迎战门到发射极电压
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
5
脉冲测试
4
典型的传输特性
20
V
CE
= 10 V
脉冲测试
16
I
C
12
(A)
集电极电流
3
I
C
= 10 A
8
TC = 125°C
25°C
-40°C
0
0
1
2
3
4
5
2
4
1
0
8A
6A
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压
V
GE
(V)
门到发射极电压
V
GE
(V)
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第3页7
GN4014ZB4LD ， GN4014ZB4LS ， GN4014ZB4LM
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
10
5
10000
3000
典型的电容比。
集电极到发射极电压
电容C （PF ）
资本投资者入境计划
1000
300
100
30
CRES
10
3
1
V
GE
= 0
F = 1 MHz的
0
10
20
30
40
50
卓越中心
2
1
0.5
-40°C
25°C
TC = 125°C
0.2
0.1
0.1
V
GE
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流
I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
动态输入特性
V
CE
(V)
V
GE
(V)
50
I
C
= 10 A
TA = 25°C
V
CE
= 16 V
20
V
GE
10
3
1
0.3
0.1
开关特性
tf
40
16
集电极到发射极电压
开关时间t（
s)
30
12
门到发射极电压
TD （关闭）
tr
20
8
10
V
CE
0
20
40
60
80
TD （上）
0.03
0.01
0.1
V
CC
= 300 V, V
GE
= 10 V
RG = 200
,
TA = 25°C
0.2
0.5
1
2
5
10
4
0
0
100
栅极电荷
QG （ NC ）
集电极电流
I
C
(A)
100
50
20
10
5
2
V
CC
= 16 V
1
0.1
V
GE
= 10 V ， RG = 200
TC = 140℃
25°C
二次击穿能量ES / B（兆焦耳）
二次击穿电流
与电感比
I
SC
(A)
二次击穿能量
与外壳温度
1000
500
200
100
50
20
10
25
V
CC
= 16 V，L = 5 mH的
V
GE
= 10 V ， RG = 200
二次击穿电流
0.2
0.5
1
2
5
10
50
75
100
125
电感比L（ MH）
壳温度（ ° C）
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GN4014ZB4LD ， GN4014ZB4LS ， GN4014ZB4LM
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
归瞬态热阻抗
γs
(t)
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.3
0.03
0.02
0.01
0.05
ho
1s
u
tp
LSE
θ
CH - C （ T） =
θ
秒（ t）的
θ
CH - C
θ
CH - C = 2.08 ° C / W ，TC = 25°C
PDM
PW
T
D=
PW
T
0.03
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
PW （S ）
开关时间测试电路
IC监控
R
输入电压监视器
VIN
10%
波形
90%
90%
Rg
VIN = 10 V
D.U.T.
V
CC
Ic
TD （上）
10%
tr
吨
90%
10%
TD （关闭）
花花公子
tf
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2005年7月14日，
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