GN2A - GN2M
PRV ： 50 - 1000伏
IO： 2.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
玻璃钝化芯片
高电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
玻璃钝化结
硅表面贴装
SMB （ DO- 214AA ）
1.1
±
0.3
±
±
2.0
±
0.1
±
0.15
2.3
0.22
±
0.07
3.6
±
0.2
机械数据：
*案例： SMB模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：铅形成了表面贴装
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.093克
尺寸以毫米
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
最大额定值和电气特性
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流TA = 50
°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 2.0安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
TA = 25
°C
TA = 100
°C
SYMBOL GN2A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
50
35
50
GN2B
100
70
100
GN2D
200
140
200
GN2G
400
280
400
2.0
GN2J
600
420
600
GN2K
800
560
800
GN2M
1000
700
1000
单位
伏
伏
伏
安培。
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
C
J
T
J
T
英镑
50
1.0
5.0
50
75
- 65至+ 150
- 65至+ 150
安培。
伏
A
A
pF
°C
°C
典型结电容（注1）
结温范围
存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）测得1.0 MHz和应用4.0V的反向电压
DC
更新： 1998年5月27日
GN2A - GN2M
PRV ： 50 - 1000伏
IO： 2.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
玻璃钝化芯片
高电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
玻璃钝化结
硅表面贴装
SMB （ DO- 214AA ）
1.1
±
0.3
5.4
±
0.15
4.8
±
0.15
2.0
±
0.1
3.6
±
0.15
2.3
±
0.2
0.22
±
0.07
机械数据：
*案例： SMB模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：铅形成了表面贴装
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.1079克
尺寸以毫米
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
最大额定值和电气特性
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流TA = 50
°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 2.0安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
TA = 25
°C
TA = 100
°C
SYMBOL GN2A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
50
35
50
GN2B
100
70
100
GN2D
200
140
200
GN2G
400
280
400
2.0
50
GN2J
600
420
600
GN2K
800
560
800
GN2M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
V
F
I
R
I
R（高）
C
J
T
J
T
英镑
1.0
5.0
50
75
- 65至+ 150
- 65至+ 150
V
A
A
pF
°C
°C
典型结电容（注1）
结温范围
存储温度范围
注意：
（ 1 ）测得1.0 MHz和应用4.0V的反向电压
DC
第1页2
启示录02 ： 2005年3月25日
GN2A - GN2M
PRV ： 50 - 1000伏
IO： 2.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
玻璃钝化芯片
高电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
玻璃钝化结
硅表面贴装
SMB （ DO- 214AA ）
1.1
±
0.3
5.4
±
0.15
4.8
±
0.15
2.0
±
0.1
3.6
±
0.15
2.3
±
0.2
0.22
±
0.07
机械数据：
*案例： SMB模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：铅形成了表面贴装
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.1079克
尺寸以毫米
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
最大额定值和电气特性
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流TA = 50
°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 2.0安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
TA = 25
°C
TA = 100
°C
SYMBOL GN2A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
50
35
50
GN2B
100
70
100
GN2D
200
140
200
GN2G
400
280
400
2.0
50
GN2J
600
420
600
GN2K
800
560
800
GN2M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
V
F
I
R
I
R（高）
C
J
T
J
T
英镑
1.0
5.0
50
75
- 65至+ 150
- 65至+ 150
V
A
A
pF
°C
°C
典型结电容（注1）
结温范围
存储温度范围
注意：
（ 1 ）测得1.0 MHz和应用4.0V的反向电压
DC
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启示录02 ： 2005年3月25日
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