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砷化镓MMIC
GN01096B
GaAs集成电路(带内置铁电体)
单位:mm
用于蜂窝电话的低噪声放大器
其它通讯设备
s
特点
超级迷你S- 6微型引脚封装( 2125尺寸)
接收机放大器:内置有增益控制功能的低失真
6
0.2
±0.05
0.12
+0.05
0.02
4
1.25
±0.1
2.1
±0.1
R0.2
1
0.65
2
0.65
3
0.425
2.0
±0.1
6 - 0°到10°
s
绝对最大额定值
T
a
=25 °C
参数
电源电压
短路电流
栅极控制电压
最大输入功率
允许功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
DD
I
DD
V
AGC
P
IN
P
D
T
OPR
T
英镑
评级
8
20
0-4
5
150
30
to
+90
40
to
+120
单位
0-0.1
V
mA
V
DBM
mW
°C
°C
EIAJ : SC -88
1 : RF
IN
4 : V
DD
2 : GND
5 : GND
3 : V
AGC
6 :源
如小型封装类型( 6针)
标记符号: KW
s
电气特性
V
DD
=2.9
V,P
IN
=25
dBm的,T
a
=25 °C±3 °C
参数
短路电流
*1
功率增益1
*1
功率增益2
*1
噪声系数1
*1, 2
噪声系数2
*1, 2
动态范围
*1
输入回波损耗
*1, 2
输出回波损耗
*1, 2
第三个输入intersept点
*1, 2
第三个输出intersept点
*1, 2
符号
I
DD
PG1
PG2
NF1
NF2
DR
S11
S22
IIP3
OIP3
条件
V
AGC
=1.5
V,F = 850 MHz的
V
AGC
=1.5
V,F = 850 MHz的
V
AGC
=0.1
V,F = 850 MHz的
V
AGC
= 1.5 V,F = 832 MHz的
F = 850 MHz时, F = 870 MHz的
V
AGC
= 0.1 V,F = 832 MHz的
F = 850 MHz时, F = 870 MHz的
V
AGC
=1.5
V到0.1 V,F = 850 MHz的
V
AGC
=1.5
V,F = 850 MHz的
V
AGC
=1.5
V,F = 850 MHz的
V
AGC
=1.5
V,F = 850兆赫/ 850.9兆赫
V
AGC
=1.5
V,F = 850兆赫/ 850.9兆赫
典型值
6.5
0.7
±0.1
0.9
±0.1
0.2
最大
10
17.5
3.0
2.0
22
27
6
6
单位
mA
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
12.5
10.0
15.0
6.5
1.4
17
18
22
10
10
4.0
16.5
5.8
21.0
注)* 1 :参考测量电路。
* 2 :设计保证的物品。
0.2
±0.1
0.1
5
0.425
1
GN01096B
s
测量电路
1000 pF的
砷化镓MMIC
1.4 pF的
39 nH的
100 pF的
RF
OUT
0.5 pF的
82
22 nH的100 pF的
6
5
4
3
1
2
33 pF的
RF
IN
27 nH的
5.1 k
V
AGC
12 pF的
10 nF的
2
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