数据表
GMZJ2.0~GMZJ56
表面贴装齐纳二极管
电压
2.0 56伏特
动力
500毫瓦
MICRO- MELF
单位:英寸(毫米)
特点
平面模施工
500mW的功率耗散
非常适合于自动装配程序
正常和无铅产品可供选择:
正常情况: 80 95 %的锡, 5 20 %的Pb
无铅: 98.5 %以上的Sn
.043(1.1)
.008(0.2)
.008(0.2)
.049(1.25)
.047(1.2)DIA.
机械数据
案例:模压玻璃MICRO- MELF
终端:每MIL -STD- 202E ,方法208
极性:参见下图
约。重量: 0.01克
安装位置:任意
包装信息
T / R - 每个7"塑料卷2.5K
.079(2.0)
.071(1.8)
最大额定值和电气特性
参数
功耗在环境温度Tamb = 25
结温
存储温度范围
有效的提供,导致在从情况下的距离为10mm保持在环境温度。
O
符号
价值
500
175
-65到+175
单位
mW
O
C
P
合计
T
J
T
S
C
C
O
参数
热RESI立场Juncti到香必耳鼻喉科艾
在正向电压IF =百毫安
符号
MI N 。
--
--
典型值。
马克斯。
0.3
1
UNI TS
K /毫瓦
V
RthA
VF
--
--
瓦利 PROVI DED ,导致在为10mm二,从立场的情况下保持在AMBI耳鼻喉科温度。
STAD-SEP.14.2004
PAGE 。 1
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
R
thJA
-Therm.Resist.Junction /环境(K / W)
500
V
ZTN
=相对
VoltageChange
1.3
V
ZTN
=V
Zt
/V
Z
(25°C)
400
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
–60
TK
VZ
=10 x 10
–4
/K
300
l
l
8 x 10
–4
/K
6 x 10
–4
/K
4 x 10
–4
/K
2 x 10
–4
/K
0
–2 x 10
–4
/K
–4 x 10
–4
/K
200
100
T
L
=常数
0
0
5
10
15
20
L - 引线长度(mm )
0
60
120
180
240
95 961
1
95 9599
T
j
- 结温( ° C)
图。 1热敏电阻与导线长度
图。工作电压4典型变化与结
温度
TK
VZ
第五 - 温度系数
Z
( 10
–4
/K)
P - 总功率耗散( mW)的
合计
600
500
400
300
15
10
5
I
Z
=5mA
200
100
0
0
–5
0
10
20
30
40
0
40
80
120
160
200
50
95 9602
T
AMB
- 环境牛逼
emperature ( ° C)
95 9600
V
Z
- z - 电压(V)
图。 2总功耗与环境温度
图。 Vz的5个温度系数与Z-电压
1000
C
D
- 二极管电容(pF )
200
V
Z
-VoltageChange毫伏)
(
T
j
=25°C
100
150
V
R
=2V
T
j
=25°C
100
I
Z
=5mA
10
50
1
0
95 9598
0
5
10
15
20
25
95 9601
0
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压(V)
V
Z
- z - 电压(V)
图。工作电压下工作3典型的变化
在T条件
AMB
=25°C
图。 6二极管电容与Z-电压
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PAGE 。 4
100
I
F
- 正向电流(mA )
50
40
30
20
10
0
P
合计
=500mW
T
AMB
=25°C
T
j
=25°C
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
Z
- Z-电流(mA )
10
15
95 9607
20
25
30
35
95 9605
V
F
- 正向电压( V)
V
Z
- z - 电压(V)
图。 7正向电流与正向电压
图。 9 Z-电流与Z-电压
I
Z
- Z-电流(mA )
80
60
40
20
0
0
4
8
12
r
Z
- 微分Z-电阻(
)
100
1000
P
合计
=500mW
T
AMB
=25°C
I
Z
=1mA
100
5mA
10
10mA
1
T
j
=25°C
0
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压(V)
16
20
95 9606
95 9604
V
Z
- z - 电压(V)
图。 8 Z-电流与Z-电压
Z
THP
-ThermalResistance PulseCond 。 (K / W)
为
图。 10差分Z-电阻与Z-电压
1000
t
p
/T=0.5
100
t
p
/T=0.2
单脉冲
10
t
p
/T=0.1
R
thJA
=300K/W
T=T
JMAX
–T
AMB
t
p
/T=0.01
t
p
/T=0.02
t
p
/T=0.05
i
ZM
=(–V
Z
+(V
Z2
+4r
zj
x
T /
THP
)
1/2
)/(2r
zj
)
10
0
10
1
t
p
- 脉冲宽度(毫秒)
10
2
1
10
–1
95 9603
图。 11热响应
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PAGE 。五
半导体
技术规格
RECTRON
GMZJ
系列
微型MELF齐纳二极管2.5 % 500mW的
微型晶圆电阻
0.049(1.25)
0.047(1.20)
0.008(0.2)
0.079(2.0)
0.071(1.8)
单位为毫米
绝对最高可额定值( TA = 25
o
C)
符号
齐纳电流见表"Characteristics"
在环境温度Tamb功耗= 25
结温
存储温度范围
特征在环境温度Tamb = 25
符号
热阻
RthA
结到环境空气
正向电压
_
_
VF
在IF = 100毫安
*有效的规定,导致在从情况下的距离为10mm保持在环境温度。
分钟。
_
典型值。
_
马克斯。
0.3*
1
单位
K /毫瓦
V
P合计
Tj
Ts
价值
500*
175
-65到+175
单位
mW