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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第109页 > GMM77332280CTG-5
GMM77332280CTG-5/6
33554432字× 72位
CMOS动态RAM模块
描述
该GMM77332280CTG是32M X 72位
这是组装动态RAM模块
36件16M X 4位的DRAM在32针
TSOP-
±
包,两个20位的驱动器IC
56pin TSSOP封装和一个8bit的驱动IC中
安装在一个168引脚的20引脚TSSOP封装
印刷电路板的去耦电容。
该GMM77332280CTG的优化
应用到所要求的系统
高密度,大容量的诸如主
计算机的存储器和图像存储器
系统,以及它们所要求的其它
紧凑的尺寸。
该GMM77332280CTG提供了常见的
数据输入和扩展数据输出。
GMM77332280CTG
(双面)
特点
* 168引脚双列直插封装
- GMM77332280CTG :镀金
*扩展数据输出继电器( EDO )模式功能
*单电源
*快速存取时间及放大器;周期
(单位:纳秒)
速度
GMM77332280CTG-5
GMM77332280CTG-6
t
RAC
t
CAC
t
RC
50
60
18
20
84
104
t
HPC
20
25
*低功耗
主动: 9310 / 8662mW ( MAX)
待机: 173mW ( CMOS电平: MAX )
* RAS只刷新,刷新RAS CAS之前,
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 4096刷新周期/ 64ms的
引脚配置
( TOP VIEW )
引脚符号引脚符号引脚符号引脚符号引脚符号
引脚符号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
V
SS
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
V
SS
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
V
CC
DQ
14
DQ
15
DQ
16
DQ
17
V
SS
RSVD
RSVD
V
CC
/ WE
0
/ CAS
0
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
RSVD
/ RAS
0
/ OE
0
V
SS
A
0
A
2
A
4
A
6
A
8
A
10
A
12*
V
CC
俄罗斯足协
俄罗斯足协
V
SS
/ OE
2
/ RAS
2
/ CAS
4
RSVD
/ WE
2
V
CC
RSVD
RSVD
DQ
18
DQ
19
V
SS
DQ
20
DQ
21
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
DQ
22
DQ
23
V
cc
DQ
24
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
DQ
25
DQ
26
DQ
27
V
SS
DQ
28
DQ
29
DQ
30
DQ
31
V
CC
DQ
32
DQ
33
DQ
34
DQ
35
V
SS
PD
1
PD
3
PD
5
PD
7
ID
0
V
CC
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
V
SS
DQ
36
DQ
37
DQ
38
DQ
39
V
CC
DQ
40
DQ
41
DQ
42
DQ
43
DQ
44
V
SS
DQ
45
DQ
46
DQ
47
DQ
48
DQ
49
V
CC
DQ
50
DQ
51
DQ
52
DQ
53
V
SS
RSVD
RSVD
V
CC
俄罗斯足协
/ CAS
1*
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
RSVD
/ RAS
1
俄罗斯足协
V
SS
A
1
A
3
A
5
A
7
A
9
A
11
A
13*
V
CC
俄罗斯足协
B
0
V
SS
俄罗斯足协
/ RAS
3
/ CAS
5*
RSVD
/ PDE
V
CC
RSVD
RSVD
DQ
54
DQ
55
V
SS
DQ
56
DQ
57
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
DQ
58
DQ
59
V
CC
DQ
60
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
DQ
61
DQ
62
DQ
63
V
SS
DQ
64
DQ
65
DQ
66
DQ
67
V
CC
DQ
68
DQ
69
DQ
70
DQ
71
V
SS
PD
2
PD
4
PD
6
PD
8
ID
1
V
CC
注:标记引脚
*
未在本模块中使用。
*本表数据如有更改,恕不另行通知。
1
LG的Semicon
框图
RAS1
OE0
WE0
RAS0
CAS0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
OE0
WE0
CAS0
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
RAS3
OE2
WE2
RAS2
CAS4
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
OE2
WE2
CAS4
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 64
DQ 65
DQ 66
DQ 67
DQ 68
DQ 69
DQ 70
DQ 71
GMM77332280CTG-5/6
D0
D18
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D9
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D27
D1
D19
D10
D28
D2
D20
D11
D29
D3
D21
D12
D30
D4
D22
D13
D31
D5
D23
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D14
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D32
D6
D24
D15
D33
D7
D25
D16
D34
D8
D26
D17
D35
A1~A11
DRAMS : D9 D17 , D27 D35
DRAMS : D0 D8 , D18 D26
VSS
PDE
V
CC
0.22uF电容
V
SS
D0 D35 ,缓冲
(当= 0 ,1 = NC)的
D0 D35 ,缓冲
A0
B0
DRAMS : D0 D8 , D18 D26
DRAMS : D9 D17 , D27 D35
2
LG的Semicon
引脚说明
A0 -A11 , B0
DQ0-DQ71
RAS0 RAS3
CAS0 , CAS4
WE0 , WE2
PD 1-8
ID 0-1
GMM77332280CTG-5/6
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写使能
设备检测
ID位
PDE
V
CC
V
SS
NC
OE0 , OE2
RSVD
俄罗斯足协
功能
设备检测启用
电源( + 3.3V )
无连接
OUTPUT ENABLE
保留使用
留作将来使用
存在检测引脚
(可选)
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
PD8
50ns
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
60ns
1
0
0
0
1
1
1
0
0
0
ID0
ID1
绝对最大额定值*
符号
T
A
T
英镑
V
IN
/V
OUT
V
CC
I
OUT
P
D
参数
在偏置环境温度
存储温度(塑料)
任何引脚相对于V电压
SS
电源电压
短路输出电流
功耗
等级
0 ~ 70
-55 ~ 125
-0.5 ~ 7.0
-0.5 ~ 7.0
50
23
单位
C
C
V
V
mA
W
*
注:1,压力大于上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
CC
V
IH
参数
电源电压
输入高电压
4.5
2.4
0
典型值
5.0
-
-
最大
5.5
5.5
0.8
单位
V
V
V
1
1
1
3
输入低V
SS
.
*
注: 1.V
IL
电压参考toVoltage
所有
LG的Semicon
GMM77332280CTG-5/6
GMM77332280CTG
直流电气特性:
(V
CC
= 3.3V +/- 0.3V ,T
A
= 0 ~ 70C)
符号
参数
最大
单位
V
OH
V
OL
输出电平
输出` ` H``电平电压(I
OUT
= -2§
)
输出电平
输出` ` L``电平电压(I
OUT
= 2§
)
工作电流
平均供电工作电流
( RAS , CAS自行车:
t
RC
=
t
RC
分)
待机电流( TTL )
电源的待机电流
( RAS , CAS = V
IH
, D
OUT
=高阻)
RAS仅刷新当前
平均供电电流
RAS仅刷新模式
( RAS骑自行车, CAS = V
IH
, t
RC
= t
RC
分)
扩展数据输出模式电流
平均供电电流
扩展数据输出模式
( RAS = V
IL
中国科学院,地址自行车:
t
PC
=
t
PC
)
待机电流( CMOS )
电源的待机电流
( RAS , CAS & GT ; = V
CC
-0.2V ,D
OUT
=高阻)
CAS先于RAS的刷新电流
(t
RC
= t
RC
分)
50ns
60ns
RAS = V
IH
CAS = V
IL
D
OUT
=启用
50ns
60ns
50ns
60ns
50ns
60ns
2.4
VCC
V
0
-
0.4
2586
V
I
CC1
§
-
-
2406
1,2
I
CC2
102
§
-
-
-
-
2586
§
2406
2046
§
1866
1,3
2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
-
48
§
-
-
2586
2406
I
CC6
§
I
CC7
待机电流
-
210
§
1
I
I(L)
I
O( L)
输入漏电流,任何输入
(0V V
IN
VCC )
输出漏电流
(D
OUT
为残疾人, 0V V
OUT
-5
5
uA
VCC )
-5
5
uA
注:1。我
CC
依赖于输出负载条件下,当被选择的设备。我
CC( MAX)的
在被指定
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少的改变,而RAS = V
IL
.
3.地址可以一次或更少的改变,而CAS = V
IH
.
4
LG的Semicon
GMM77332280CTG-5/6
参数
输入电容( A0 A11 , B0 )
输入电容( WE0 , WE2 , OE0 , OE2 )
输入电容( RAS0 RAS3 )
输入电容( CAS0 , CAS4 )
I / O电容( DQ0 DQ71 )
电容
(V
CC
= 3.3V +/- 0.3V ,T
A
= 25 ,F = 1MHz的)
符号
C
I1
C
I2
C
13
C
14
C
I / O
-
-
-
-
-
最大
20
20
65
20
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
1
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
注: 1,电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. CAS = V
IH
禁用
OUT
.
AC特性
(V
CC
= 3.3V +/- 0.3V ,T
A
= 0 70℃ ,注意事项1, 2,19 )
测试条件
输入上升和下降时间: 2ns的
输入电平: V
IL
/V
IH
= 0.0/3.0V
输入时序参考水平: V
IL
/V
IH
= 0.8/2.0V
输出时序参考水平: V
OL
/V
OH
= 0.8/2.0V
输出负载: 1 TTL门+ C
L
(100pF)
(包括范围和夹具)
读,写,读 - 修改 - 写和更新周期
(公用参数)
GMM77332280CTG - 5 GMM77332280CTG - 6
符号
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ODD
t
DZO
t
DZC
t
T
t
REF
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
OE到D
IN
延迟时间
从D- OE延迟时间
IN
CAS建立时间从D-
IN
TransitionTime
(上升和下降)
刷新周期( 4096周期)
84
30
8
50
8
5
8
0
8
12
10
18
35
10
18
0
0
2
-
最大
-
-
-
10000
10000
-
-
-
-
32
20
-
-
-
-
-
-
50
64
104
40
10
60
10
5
10
0
10
14
12
20
40
10
20
0
0
2
-
最大
-
-
-
10000
10000
-
-
-
-
40
25
-
-
-
-
-
-
50
64
单位注
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
ms
5
3
4
5
6
6
7
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GMM77332280CTG-5
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
GMM77332280CTG-5
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