LG的Semicon有限公司。
描述
该GMM7654287CTG是一个4M ×64位EDO
这是组装4动态RAM模块
4M X 16位EDO DRAM中的50个引脚
TSOP
±
包一2K EEPROM的SPD在8
安装在一个144引脚的印刷引脚TSSOP封装
电路板的去耦电容。
该GMM7654287CTG的优化
应用到所要求的高的系统
密度和大容量等的主存
在计算机和图像存储器系统，和
到这些要求尺寸小巧的其他人。
该GMM7654287CTG提供通用的数据
投入和扩展数据输出。
GMM7654287CTG-5/6
4,194,304字× 64位
CMOS动态EDO RAM模块
特点
* 144引脚双列直插封装
- GMM7654287CTG ：镀金
*扩展数据输出（ EDO ）
*单电源
*快速存取时间及放大器;周期
速度
GMM7654287CTG-5
GMM7654287CTG-6
（单位：纳秒）
t
RAC
t
CAC
t
RC
50
60
13
15
90
110
t
HPC
20
25
GMM7654287CTG(Both
SIDE ）
*低功耗
主动： 2,160 / 2,016兆瓦（ MAX）
待机： 7.2MW （ CMOS电平： MAX ）
* RAS只刷新，刷新RAS CAS之前，
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 4096Refresh循环/ 128ms的
*自刷新操作
*电池备份操作
引脚配置
（ TOP VIEW ）
引脚符号引脚符号引脚符号
引脚符号引脚符号
引脚符号
1
143
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
VSS
VSS
DQ0
DQ32
DQ1
DQ33
DQ2
DQ34
DQ3
DQ35
VCC
VCC
DQ4
DQ36
DQ5
DQ37
DQ6
DQ38
DQ7
DQ39
VSS
VSS
/CE0
/CE4
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
/CE1
/CE5
VCC
VCC
A0
A3
A1
A4
A2
A5
VSS
VSS
DQ8
DQ40
DQ9
DQ41
DQ10
DQ42
DQ11
DQ43
VCC
VCC
DQ12
DQ44
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
DQ13
DQ45
DQ14
DQ46
DQ15
DQ47
VSS
VSS
RSVD
RSVD
RSVD
RSVD
俄罗斯足协
俄罗斯足协
VCC
VCC
俄罗斯足协
俄罗斯足协
/ WE
俄罗斯足协
/RE0
俄罗斯足协
/RE1*
俄罗斯足协
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
/ OE
俄罗斯足协
VSS
VSS
RSVD
RSVD
RSVD
RSVD
VCC
VCC
DQ16
DQ48
DQ17
DQ49
DQ18
DQ50
DQ19
DQ51
VSS
VSS
DQ20
DQ52
DQ21
DQ53
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
DQ22
DQ54
DQ23
DQ55
VCC
VCC
A6
A7
A8
A11
VSS
VSS
A9
A12*
A10
A13*
VCC
VCC
/CE2
/CE6
/CE3
/CE7
VSS
VSS
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
DQ24
DQ56
DQ25
DQ57
DQ26
DQ58
DQ27
DQ59
VCC
VCC
DQ28
DQ60
DQ29
DQ61
DQ30
DQ62
DQ31
DQ63
VSS
VSS
SDA
SCL
VCC
VCC
注：标记引脚
*
未在本模块中使用。
*本表数据如有更改，恕不另行通知。
1
LG的Semicon
GMM7654287CTG
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写使能
串行地址/数据I / O
串行时钟
引脚说明
针
A0-A11
DQ0-DQ63
RE0
CE0-CE7
WE
SDA
SCL
针
OE
V
CC
V
SS
NC
功能
OUTPUT ENABLE
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
RSVD
SA0-SA2
俄罗斯足协
版权所有
地址在EEPROM
留作将来使用
串行存在检测信息
。 SPD接口协议： IIC
。 SDA驱动电流吸收能力
= 3毫安
。最大时钟频率：100kHz
字节
0
1
2
3
4
5
6
函数来描述
定义写入字节数为串行内存模块MFGR
总字节数SPD内存设备的
基本内存类型（ FPM ， EDO ..）形式附录A.
在本次大会＃行地址
在本次大会＃列地址
在本次大会＃模块银行
本届大会的数据宽度
模块数据宽度的延续
本届大会的电压接口标准
本次大会的RAS ＃访问时间
本届大会CAS ＃访问时间
DIMM配置型（非奇偶校验，奇偶校验， ECC ）
刷新率/类型
DRAM宽度，主要DRAM
错误检查DRAM数据宽度
保留为将来之祭
（可能在将来使用）超内存类型
功能支持十六进制值
128字节
256字节
EDO
80h
08h
02h
0Ch
0Ah
01h
40h
00h
01h
3Ch
0Fh
00h
80h
10h
00h
00h
00h
12 （ 4K刷新）
10
1 （ 1银行）
64位
不适用
LVTTL
t
RAC
= 60 ns的
t
CAC
- 15纳秒
非奇偶校验
4096/128ms
x16
7
8
9
10
11
12
13
14
15-31
32
*以上数据是基于JEDEC标准SPD规范。
3
LG的Semicon
字节
33-62
63
64
65
66-71
72
73
生产地点
制造商零件编号
===允许的字符包括0-9 ， AZ和空间===
GMM7654287CTG
函数来描述
功能支持十六进制值
00h
BDH
继续码
LGS
7Fh
E0h
00h
韩国
GMM7654287CTG-60
52h
47h(G)
4Dh(M)
4Dh(M)
37h(7)
36h(6)
34h(4)
34h(4)
32h(2)
38h(8)
37h(7)
43h(C)
54h(T)
47h(G)
2Dh(-)
36h(6)
30h(0)
20h( )
20h( )
超内存的特定功能（可在将来使用）
校验和字节0-62
每JEP - 106E制造商的JEDEC的ID代码
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91-92
93
94
95-98
99-125
126-127
126-255
修改代码
日期代码
Rev0
WW
YY
00h
00h
61h(97)
00h
00h
00h
00h
装配序列号
制造商的具体数据
版权所有
打开用户自由格式区域$没有定义
二进制增量
不适用
*以上数据是基于JEDEC标准SPD规范。
4
LG的Semicon
GMM7654287CTG
参数
存储温度（塑料）
任何引脚相对于V电压
SS
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
绝对最大额定值*
符号
T
英镑
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
等级
-55至125
-0.5到+0.5的Vcc
-0.5到4.6
50
4
单位
C
V
V
mA
W
*
注：1，压力大于上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
民
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
-
-
最大
3.6
Vcc+0.3
0.8
单位
V
V
V
记
1
1
1
*
注意事项：1.参考V所有电压
SS
.
5
QQ：2880707522 复制
