GMF05C-HS3
威世半导体
在LLP75-6A 5线ESD保护二极管阵列
特点
超小型LLP75-6A封装
ESD保护5行
浪涌抗扰度ACC 。
IEC 61000-4-5我
PPM
>一12
低漏电流I
R
< 1 μA
静电放电抗扰度ACC 。 IEC 61000-4-2
± 30 kV接触放电
± 30 kV空气放电
工作电压范围V
RWM
= 5 V
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
6
5
4
19957
1
1
2
3
19956
记号
（例如只）
XX
YY
21001
点= 1脚打标
XX =日期代码
YY =类型代码（见下表）
订购信息
设备名称
GMF05C-HS3
订购代码
GMF05C-HS3-GS08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
3000
最小起订量
15000
包数据
设备名称
GMF05C-HS3
包
名字
LLP75-6A
TYPE
CODE
F5
重量
5.2毫克
造型
复合
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿度敏感度等级
焊接条件
MSL等级1 （根据J- STD- 020 ）， 260 ℃/ 10秒，在终端
*请参阅文件“日前，Vishay绿色无卤定义（ 5-2008 ） ” http://www.vishay.com/doc?99902
文档编号85654
修订版1.8 23 09月08
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1
GMF05C-HS3
威世半导体
绝对最大额定值
等级
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
测试条件
偏置模式：每个输入（引脚1 ; 3 - 引脚6）接地（引脚2） ;
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
偏置模式：每个输入（引脚1 ; 3 - 引脚6）接地（引脚2） ;
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
命中率。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲
偏置模式：每个输入（引脚1 ; 3 - 引脚6）接地（引脚2 ）
结温
联系
放电
空气
放电
符号
I
PPM
P
PP
V
ESD
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
12
200
± 30
± 30
- 55至+ 125
- 55至+ 150
单位
A
W
kV
kV
°C
°C
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
偏置模式（ 5线双向不对称保护模式）
与
GMF05C-HS3
高达5信号 - 或数据线（L1 - L5）可以被保护免受电压瞬变。同
2脚接地，引脚1 ; 3向上TP销6连接到信号 - 或数据线具有被保护。
只要在数据或信号线的电压电平介于0V（地电平）和指定
最大
反向工作电压
(V
RWM
的）数据线和接地之间的保护二极管提供高隔离
接地线。保护装置的行为就像打开的开关。
只要任何积极的瞬态电压信号超过通过保护电压等级的突破
二极管，该二极管导通并短路过渡电流接地。现在，保护装置
表现得像一个闭合的开关。该
钳位电压
(V
C
）被定义
击穿电压
(V
BR
）水平
加在保护装置的串联阻抗（电阻和电感）的电压降。
任何负瞬态信号将相应地夹紧。负瞬态电流流过
保护二极管的正向方向。低
正向电压
(V
F
）夹负瞬态接近
地电平。
由于不同的钳位电平在正向和反向方向上的
GMF05C-HS3
夹紧行为
双向
和
不对称
（ BIAS ） 。
L1
1
2
5
4
3
L5
L4
L3
L2
3
20739
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威世半导体
电气特性
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
GMF05C-HS3
偏置模式：每个输入端（引脚1 ; 3 - 引脚6）接地（ 2脚）
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
在我
PP
= 1 ACC 。 IEC 61000-4-5
在我
F
= 12 A类股份累积。 IEC 61000-4-5
正向电压钳位
在我
PP
= 1 ACC 。 IEC 61000-4-5
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
电容
在V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz的
C
D
76
pF
V
F
C
D
1.5
126
150
V
pF
V
C
V
F
7.8
9.5
5.5
V
V
测试条件/备注
线的数目可被保护的
在我
R
= 1 A
在V
R
= V
RWM
= 5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 12 A类股份累积。 IEC 61000-4-5
符号
N行
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
6
5
＆ LT ; 0.1
1
8
12.5
分钟。
典型值。
马克斯。
5
单位
线
V
A
V
V
如果需要更高的浪涌电流或
峰值脉冲电流
(I
PP
）是需要的，一些保护二极管在
GMF05C-HS3
也可以使用并联以"multiply"性能。
如果两个二极管同时切换你
双浪涌功率=双峰值脉冲电流（2×
I
PPM
)
半年线电感=降低钳位电压
半年线阻力=降低钳位电压
双行
电容
(2 x
C
D
)
双
反向
泄漏
当前
(2 x
I
R
)
L1
1
2
3
6
5
4
L2
L3
20740
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典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100 %
80
%
60 %
53 %
100
偏置模式
10
放电电流I
ESD
I
F
（MA ）
1
0.1
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
20557
0.01
0.001
0.5
21205
0.6
0.7
0.8
0.9
时间（纳秒）
V
F
(V)
图1. ESD放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
Ω/150
pF的）
图4.典型正向电流I
F
与正向电压V
F
7
100 %
80
%
60 %
20
s
70％的
40 %
2
20 %
0%
0
20548
8 s
到100％
6
5
V
R
(V)
4
3
偏置模式
I
PPM
1
0
0.01
21206
10
20
30
40
0.1
1
10
100
1000 10000
时间（μs ）
I
R
(A)
图2. 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
（符合IEC 61000-4-5 ）
图5.典型的反向电压V
R
与
反向电流I
R
140
F = 1 MHz的
120
100
偏置模式
14
12
10
偏置模式
C
D
（PF ）
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
V
C
(V)
80
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
测
ACC 。 IEC 61000-4-5
(8/20
s
-
WAVE
表）
V
C
21204
V
R
(V)
21207
I
PP
(A)
图3.典型电容C
D
与反向电压V
R
图6.典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
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威世半导体
80
60
40
命中率。 IEC 61000-4-2
+
8
kV
接触放电
V
C- ESD
(V)
20
0
- 20
- 40
- 60
- 10 0
10 20 30 40 50 60 70
80
90
21208
T（ NS ）
图7.典型钳位性能，在+ 8千伏
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
60
40
20
命中率。 IEC 61000-4-2
-
8
kV
接触放电
V
C- ESD
(V)
0
- 20
- 40
- 60
-
80
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90
21209
T（ NS ）
图8.典型钳位性能 - 8千伏
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
250
200
150
100
负
放电
V
C- ESD
(V)
50
0
- 50
积极
- 100放电
- 150
命中率。 IEC 61000-4-2
- 200
接触放电
- 250
0
5
10
15
V
C- ESD
20
25
30
21210
V
ESD
（千伏）
图9.典型的峰值钳位电压ESD时
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
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