GM76V256C
系列
32Kx8bit CMOS SRAM
文档标题
32K ×8位的3.3V低功耗CMOS SRAM慢
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版本号
00
历史
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修订
- 数据格式转换
- PDIP封装类型插入
- 引脚配置变化
标识信息添加
修订
- AC测试条件添加： 5pF的负载测试
改变的标志
- 现代 - >海力士
草案日期
Jul.08.2000
备注
最终科幻
01
Dec.04.2000
最终科幻
02
Apr.30.2000
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
转02 / 2001年4月
海力士半导体
GM76V256C系列
订购信息
产品型号
GM76V256CL
GM76V256CLL
GM76V256CLE
GM76V256CLLE
GM76V256CLFW
GM76V256CLLFW
GM76V256CLEFW
GM76V256CLLEFW
GM76V256CLT
GM76V256CLLT
GM76V256CLET
GM76V256CLLET
速度
85/100
85/100
85/100
85/100
85/100
85/100
85/100
85/100
85/100
85/100
85/100
85/100
动力
L-部分
LL-部分
L-部分
LL-部分
L-部分
LL-部分
L-部分
LL-部分
L-部分
LL-部分
L-部分
LL-部分
温度
0至70℃
0至70℃
-25 85°C
-25 85°C
0至70℃
0至70℃
-25 85°C
-25 85°C
0至70℃
0至70℃
-25 85°C
-25 85°C
包
PDIP
PDIP
PDIP
PDIP
SOP
SOP
SOP
SOP
TSOP- I标准
TSOP- I标准
TSOP- I标准
TSOP- I标准
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
VCC ，V
IN，
V
OUT
T
A
参数
电源，输入/输出电压
工作温度
GM76V256C
GM76V256CE
储存温度
功耗
数据输出电流
引线焊接温度&时间
等级
-0.3 4.6
0到70
-25到85
-65到150
1.0
50
260
10
单位
V
°C
°C
°C
W
mA
° C秒
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
符号
参数
分钟。
VCC
电源电压
3.0
VSS
地
0
V
IH
输入高电压
2.2
V
IL
输入低电压
-0.3
(1)
记
1. V
IL
= -3.0V脉冲宽度小于50ns
典型值。
3.3
0
-
-
马克斯。
3.6
0
Vcc+0.3
0.4
单位
V
V
V
V
真值表
/ CS
/我们/ OE
模式
H
X
X
待机
L
H
H
输出禁用
L
H
L
读
L
L
X
写
记
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =无所谓
I / O操作
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
转02 / 2001年4月
2
GM76V256C系列
DC特性
VCC = 3.3V
±10%,
T
A
= 0 ° C至70 ° C（普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） ，除非另有说明。
参数
测试条件
分钟。典型值。马克斯。
符号
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
-1
-
1
I
LO
输出漏电流
VSS < V
OUT
＆ LT ; VCC ， / CS = V
IH
or
-1
-
1
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
ICC
工作电源
/ CS = V
IL
,
-
-
2
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
I
CC1
平均工作电流
/ CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
IL
-
-
35
分钟。占空比= 100 ％ ，我
I / O =
0mA
I
CC2
平均工作电流
/ CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
IL
-
-
5
周期= 1us的，我
I / O =
0mA
I
SB
TTL待机电流
/ CS = V
IH ，
-
-
0.5
（ TTL输入）
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
SB1
CMOS待机电流
/ CS >为VCC - 0.2V ，
L
-
-
20
（ CMOS输入）
V
IN
>的Vcc - 0.2V或
LL
-
-
10
V
IN
< VSS + 0.2V
LE
-
-
30
LLE
-
-
15
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
-
-
0.4
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1.0mA
2.4
-
-
注：典型值是在Vcc = 3.3V ，T
A
= 25°C
单位
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
uA
V
V
交流特性（ I）
VCC = 3.3V
±10%,
T
A
= 0 ° C至70 ° C（普通） / -25 ° C至85°C （扩展），除非另有说明。
-85
-10
单位
＃符号
参数
分钟。
马克斯。民
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
85
-
100
-
ns
2
TAA
地址访问时间
-
85
-
100
ns
3
TACS
芯片选择访问时间
-
85
-
100
ns
4
TOE
输出使能到输出有效
-
45
-
50
ns
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
ns
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
ns
7
TCHZ
芯片禁用高Z输出
0
30
0
35
ns
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
30
0
35
ns
9
TOH
从地址变更输出保持
10
-
15
-
ns
写周期
10 TWC
写周期时间
85
-
100
-
ns
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
75
-
80
-
ns
12 TAW
地址有效到写结束
70
-
80
-
ns
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
ns
14 TWP
把脉冲宽度
60
-
70
-
ns
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
ns
16 tWHZ
写在高Z输出
0
30
0
30
ns
17 TDW
数据写入时间重叠
35
-
40
-
ns
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
ns
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
10
-
ns
转02 / 2001年4月
3
GM76V256C系列
AC测试条件
T
A
= 0 ° C至70 ° C（普通） / -25 ° C至85°C （扩展），除非另有说明。
参数
价值
输入脉冲电平
0.4V至2.2V
输入上升和下降时间
5ns
输入和输出时序参考电平
1.5V
输出负载
tCLZ ， TOLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tWHZ ，拖车
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
OTHERS
CL = 100pF电容+ 1TTL负荷
AC测试负载
TTL
CL(1)
注：包括夹具和范围电容
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
参数
C
IN
输入电容
C
I / O
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试
转02 / 2001年4月
4
QQ：2880707522 复制
