添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第206页 > GM76C256CLL-70
LG的Semicon有限公司。
描述
该GM76C256C家庭是一个262,144位静态
组织为32768字的随机存取存储器
由8位。采用0.6um CMOS先进技
术和经营一个单一的5.0V电源。
先进的电路技术，提供高
速度和低功耗。家庭
可以支持各种操作系统1.5v1号范围
系统设计的用户灵活性。
家里有片选/ CS ，它允许
设备的选择和数据保持控制，并
输出使能（ / OE ） ，它提供了快速记忆
访问。因而它适用于高速和低
功耗应用，特别是在电池
备份是必需的。
.
.
.
GM76C256CL/LL
32,768字× 8位
CMOS静态RAM
引脚配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
特点
*高速：快速访问和周期时间
55 / 70ns的最大
*低功耗待机以及低功耗工作
-Standby ： 165uW在T
A
= -25 ~ 85
C
（ LLE ）
110uW在T
A
= 0 ~ 70
C
(LL)
-operation ： 385mW在Vcc = 5.0V + 0.5V
*完全静态RAM ：无时钟或定时
频闪要求
*电源电压： 5.0V + 0.5V
*低数据保持电压： 2.0V （最小值）
*温度范围
-GM76C256CL/LL
: ( 0 ~ 70
C
)
-GM76C256CLE / LLE ： （ -25 85
C
)
*封装类型： JEDEC标准
28-DIP,SOP,TSOP(I)
（ TOP VIEW ）
框图
A0
A1
A2
地址
卜FF器
........
9
X
解码器
512
存储单元阵列
512 x 64 x 8
（ 32K ×8 ）
64 x 8
A13
A14
6
Y
解码器
64
列选择
引脚说明
针
A0-A14
/ WE
/ OE
/ CS
I/O0-I/O7
V
CC
V
SS
功能
地址输入
写使能输入
输出使能输入
片选输入
数据输入/输出
电源
地
33
/ OE
/ WE
/ CS
芯片
控制
8
I / O
控制
I / O缓冲器
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
LG的Semicon
绝对最大额定值
*1
符号
T
A
T
英镑
V
SOL
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
环境
温度
在偏置
储存温度
焊接温度和时间
电源电压
输入电压
输入和输出电压
功耗
GM76C256CL/LL
参数
GM76C256CL/LL
GM76C256CLE/LLE
等级
0 ~ 70
-25 ~ 85
-65 ~ 150
260 ， 10 （以铅）
-0.3 ~ 4.6
-0.3
*2
~ 4.6
-0.5 ~ V
CC
+ 0.5
1.0
单位
C
C
C
C，S
V
V
V
W
注意事项：
1.操作在上述绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
2.在-3.0V脉冲宽度为50ns最大。
建议的直流工作条件
(T
A
= -25 ~ 85
C
)
GM76C256C
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
民
电源电压
输入高电压
输入低电压
4.5
2.2
-0.3*
单位
典型值
5.0
-
-
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
0.8
V
V
V
*注： V
IL
= -3.0V最小脉冲宽度小于50ns 。
真值表
/ CS
H
L
L
L
/ WE
X
H
L
H
/ OE
X
L
X
H
输入/输出
高阻
输出数据
输入数据
高阻
模式
未选择
读
写
输出禁用
*注： X表示"don't care" 。
34
LG的Semicon
GM76C256CL/LL
DC电气特性
(V
CC
= 5.0V + 0.5V ，T
A
= -25 ~ 85
C
)
GM76C256C
符号
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
IN
= 0至V
CC
测试条件
最小典型最大
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
1
1
-
0.4
10
单位
uA
uA
V
V
mA
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
I
CC
I
CC1
/ CS = V
IH
或/ OE = V
IH
or
/ WE = V
IL
， V< V
OUT
＆ LT ; V
CC
高电平输出电压I
OH
= -1.0mA
低电平输出电压
工作电源电流
I
OL
= 2.1毫安
/ CS = V
IL
,
V
IN
= V
IH
/V
白细胞介素，
I
I / O
= 0毫安
平均工作电流/ CS = V
IL
,
V
IN
= V
IH
/V
IL
I
I / O
= 0毫安
t
周期=最小，周期
平均工作电流/ CS = V
IL
,
V
IN
= V
IH
/V
IL
I
I / O
= 0毫安
t
周期= 1us的，周期
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
/ CS < V
CC
-0.2V(LL)
/ CS = V
IH
0至+ 70℃ （ LL）上
-25 + 85℃ （ LLE ）
0至+ 70℃ （L）的
-25 + 85℃ （ LE ）
-
-
70
mA
I
CC2
-
-
10
mA
I
CCS1
I
CCS2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
20
30
40
60
mA
uA
uA
uA
uA
/ CS < V
CC
-0.2V （L）的
* TYP 。值在25个测量
C
, V
CC
= 5.0V
35
LG的Semicon
GM76C256CL/LL
交流工作特性
(V
CC
= 5.0V + 0.5V ，T
A
= -25 ~ 85
C
)
读周期
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出启用访问时间
输出保持时间
片选输出在低Z
输出禁止到输出中低Z
芯片取消选择到输出高阻
输出禁用输出高阻
*2
*1
条件
系统蒸发散
GM76C256C-55
民
55
-
-
-
10
10
5
0
0
最大
-
55
55
25
-
-
-
20
20
GM76C256C-70
民
70
-
-
-
10
10
5
0
0
最大
-
70
70
30
-
-
-
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
写周期
符号
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间结束写的
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
数据保持时间
写在高Z输出
*2
输出写入结束活动
5
-
5
-
ns
*1
条件
系统蒸发散
GM76C256C-55
民
55
45
45
0
40
0
25
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
20
GM76C256C-70
民
70
60
60
0
50
0
30
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ
t
OW
* 1测试条件。
1.输入脉冲电平： 0.6V至2.4V
2， TR = TF =为5ns
3.输入/输出时序参考电平： 1.5V
4.输出载荷C
L
= 100pF电容+ 1TTL负荷
* 2测试条件。
1.输入脉冲电平： 0.6V至2.4V
2， TR = TF =为5ns
3.输入时序参考电平： 1.5V
4.输出时序参考电平：
+/- 200mV的（来自电平位移
稳定的输出电压电平）
5.输出载荷C
L
=的5pF + 1TTL负荷
36
LG的Semicon
时序波形
读周期1
（注1,2）
t
RC
添加
GM76C256CL/LL
t
AA
t
OH
D
OUT
上一页有效数据
有效数据
读周期2
（注2 ）
t
RC
添加
/ CS
t
ACS
/ OE
t
OE
t
OLZ
t
CLZ
D
OUT
t
OHZ
t
CHZ
有效数据
高-Z
高-Z
注意事项：
1.设备被连续地选择。 / OE ， / CS < V
IL 。
2 / WE高读周期。
37
查看更多GM76C256CLL-70PDF信息
推荐型号
GL7809
G9YAT-12S-45-PND
G6ZK-1P
GCM31A7U2J560JX01D
GM76C256BLLT-85
GC4372
GPC55-24
G50460B1EB1
GS816218BD-150I
GA355XR7GB563KW06L
G3VM-353D(TR)
G-375-10
GBPC50005-G
GS84032AT-150
G941T62U
GM71C4256BLZ
GM71C17400CLJ-7
G2-4-8
GS1532-CF
GS8161Z36T-250IT
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GM76C256CLL-70
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市汇景欣电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1337449016 复制 点击这里给我发消息 QQ：851428111 复制

电话：0755-23051326
联系人：张先生
地址：深圳市福田区华强北佳和大厦A座11B03室
GM76C256CLL-70
HYUNDAL
2023+
6845
DIP
专注进口原装，公司现货出售
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
GM76C256CLL-70
HYUNDAI
1844+
6852
DIP
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
GM76C256CLL-70
HYUNDAI
22+
30
DIp-28
全新原装正品/质量有保证
深圳市裕硕科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ：1909637520 复制
电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
GM76C256CLL-70
GOLDSTAR
2024+
9675
DIP-28
优势现货，全新原装进口
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
GM76C256CLL-70
HYUNDAI
0041+
697
原装正品，支持实单
中科国际电子（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1274131982 复制 点击这里给我发消息 QQ：3470449835 复制

电话：0755-23306107
联系人：业务员
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋
GM76C256CLL-70
GOLDSTAR
21+
12500
DIP-28
原装特价现货
中科国际电子（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1274131982 复制 点击这里给我发消息 QQ：3470449835 复制

电话：0755-23306107
联系人：业务员
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋
GM76C256CLL-70
GOLDSTAR
21+
12500
DIP
原装特价现货
深圳市汇景欣电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1337449016 复制 点击这里给我发消息 QQ：851428111 复制

电话：0755-23051326
联系人：张先生
地址：深圳市福田区华强北佳和大厦A座11B03室
GM76C256CLL-70
HYUNDAI
2023+
9150
DIP
专注进口原装，公司现货出售
上海鑫丰电子技术有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51875986/51872153
联系人：陈小姐 张先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
GM76C256CLL-70
HYUNDAI
21+
29000
DIP
全新原装，欢迎订购！
深圳市金亿泰电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：247773782 复制

电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
GM76C256CLL-70
HYUNDAI
24+
90000
DIP
绝对全新原装/自己库存现货
查询更多GM76C256CLL-70供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！